Новости про flash-память, SanDisk и Toshiba

SanDisk и Toshiba объявили о создании 48-слойной 3D NAND памяти

Компании SanDisk и Toshiba объявили о том, что их совместное предприятие создало первую в мире 48-слойную стековую памяти NAND.

Память получила название BiCS (сокращение от bit cost scalable). Компании создали чипы с памятью по 2 бита на ячейку, что обеспечит плотность записи в 128 гигабит (16 ГБ) на чип. Опытное производство памяти уже начато, а массовое должно начаться в первой половине 2016 года на новом заводе Fab2 в Yokkaichi Operations.

«Мы с радостью представляем наше второе поколение 3D NAND, обладающее 48-слойной архитектурой, которое разработано совместно с нашим партнёром Toshiba», — заявил доктор Шива Шиварам, исполнительный вице-президент по технологии памяти компании SanDisk.  «Мы использовали наше первое поколение технологии 3D NAND как средство изучения, позволившее нам разработать наше коммерческое второе поколение 3D NAND, которое, мы уверены, предоставит нашим клиентам интереснейшее решение в сфере накопителей».

Компания SanDisk планирует использовать второе поколение технологии 3D NAND в широком спектре решений, от съёмных накопителей до промышленных SSD.

Toshiba начинает массовое производство 15 нм памяти

Известная японская компания Toshiba Corporation анонсировала 15 нм техпроцесс производства 128 битной MLC NAND памяти. Её массовое производство начнётся в конце апреля на Fab 5.

На заводах компания Toshiba новая технология заменит нынешний 19 нм процесс. Теперь компания обладает самой тонкой технологией производства микросхем, который позволит ей увеличить скорость передачи данных до 533 Мб/с благодаря более быстрому интерфейсу.

Кроме того, компания объявила о подготовке к запуску 15 нм процесса производства TLC памяти, которая предназначена для смартфонов и планшетов, а также для SSD (после разработки соответствующего контроллера).

Также стало известно, что и SanDisk готовит к выпуску 15 нм технологию производства памяти, которую она назвала 1Z-nanometer. Её технология также позволит выпускать чипы NAND по 2 и 3 бита на ячейку, однако промышленный выпуск микросхем начнётся во втором полугодии.

Производители памяти готовят новую систему безопасности для Flash

Пять известных компаний-производителей Flash-памяти решили объединиться в альянс, для разработки новой технологии защиты контента. На сей раз речь пойдёт, конечно же, о флеш накопителях.

Под общим названием «Next Generation Secure Memory Initiative» (Инициатива по безопасности памяти следующего поколения) пять ведущих компаний — Panasonic, Samsung, SanDisk, Sony и Toshiba приступили к лицензированию и популяризации средств безопасности для HD контента на картах SD, которые широко используются в смартфонах и планшетах. Эта новая мера безопасности позволит защитить контент высокой чёткости благодаря использованию технологии уникального идентификатора для флеш-памяти, а также сможет обеспечить надёжную защиту от несанкционированного копирования, основываясь на инфраструктуре открытых ключей.

По заявлению пятёрки производителей, эта инициатива позволит осуществлять загрузку HD из Сети, потоковое вещание контента «на ходу», а также цифровое копирование и управление копиями с Blu-ray дисков. «С этими приложениями пользователи смогут наслаждаться HD контентом на широком спектре устройств, включая Android смартфоны и планшеты, телевизоры и Blu-ray продукты»,— говорится в заявлении альянса.

В понедельник группа объявила, что их совместные усилия помогут им начать лицензирование новой технологии по защите контента на флеш картах уже в начале следующего года. В реальных продуктах технология начнёт применяться где-то в 2012 году, однако к настоящему времени не уточняется даже квартал запуска этой инициативы.