Новости про flash-память, Samsung и производство

Samsung выпускает 32-слойную NAND память

Вертикальная NAND Flash технология является основным направлением деятельности компании Samsung при выпуске твердотельных накопителей, так что в постоянной её модернизации нет ничего удивительного.

Так, компания Samsung выпустила новый чип флэш-памяти, состоящий из 32-уровневого стека, что является заметным улучшением, по сравнению с нынешними 24-слойными чипами. Новый чип «второго поколения», как его назвала компания, будет использоваться в SSD, которые будут потреблять на 20% меньше электроэнергии, по сравнению с плоской технологией.

Чип Samsung 3D V-NAND второго поколения

Сами SSD, в которых будет применена новая память, будут иметь объёмы в 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Это будут высокопроизводительные модели премиум класса, предназначенные для геймеров, промышленности и владельцев рабочих станций. Примечательно, что чипы со стеком увеличенного объёма будут производиться на том же технологическом оборудовании, а значит, их себестоимость производства никак не изменится.

Будем надеяться, что всё это выльется в общее снижение цены. Конечно, SSD дороги сами по себе, но всё-таки было бы приятно увидеть некоторое общее снижение цены на твердотельные накопители. С другой же стороны, раньше память 3D V-NAND использовалась только в промышленных SSD, а значит Samsung может сосредоточиться на качестве и ёмкости продукции, а не на цене.

Цены на NAND память снизятся

В четвёртом квартале 2013 года цены на память NAND снизятся, несмотря на имеющийся спад общемировых поставок.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Чипы NAND памяти Samsung

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

Samsung начал выпуск первой 3D вертикальной NAND памяти

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство усовершенствованной версии NAND флэш-памяти, известной как 3D Vertical NAND (V-NAND), которая должна помочь обойти ограничения масштабирования, установленные традиционной NAND памятью.

Южнокорейский гигант исправил свою архитектуру Charge Trap Flash для использования слоёв в трёх измерениях, которые могут быть собраны друг над другом для создания больших по плотности хранилищ.

Чип V-NAND от Samsung

С V-NAND, компания Samsung, как она утверждает, не только достигла от двух до десяти кратного повышения надёжности, по сравнению с традиционной NAND, но и два раза увеличила скорость записи по сравнению с NAND памятью 10 нм класса с плавающими транзисторами. Первые версии чипов, изготовленных по этой технологии, будут иметь объём 16 ГБ, а с учётом возможности Samsung собирать по 24 слоя, общий объём одной микросхемы составит 128 ГБ.

И хотя данное достижение впечатляет, оно ничто, по сравнению с недавним анонсом компании Crossbar, представившую резистивную память (RRAM), которая позволяет хранить до 1 ТБ данных на чипе размером с почтовую марку. При этом такие микросхемы заметно быстрее, более энергоэффективны и, теоретически, более надёжны, чем V–NAND от Samsung.  Правда, V-NAND даже после 10 лет разработки по-прежнему не готова к массовому производству. В то же время, 3D микросхемы Samsung уже находятся в массовом производстве, а значит, мы увидим продукцию с этой памятью на полках магазинов уже в ближайшее время.

Samsung разрабатывает самую быструю встраиваемую память

Эволюция мобильных чипов памяти идёт всё быстрее, ну если Samsung можно считать показателем прогресса.

Ещё не прошло и восьми месяцев с момента анонса компанией скоростных чипов eMMC 4.5, как появилась новая версия NAND от южнокорейского гиганта. На самом деле Samsung объявила о начале массового производства того, что фирма называет самой быстрой в мире памятью для встраиваемых решений. Новые чипы eMMC PRO основаны на 64 ГБ микросхемах NAND флэш-памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса, и это первые микросхемы, поддерживающие стандарт eMMC 5.0. Напомним, что всего 3 недели назад о начале производства чипов 10 нм класса объявила компания Micron, которая изготовила микросхемы NAND по 16 нм техпроцессу.

Чип памяти Samsung eMMC 5.0

Новые чипы доступны в вариантах с объёмом 16, 32 и 64 ГБ. Случайная скорость чтения из этих микросхем составляет 7000 операций ввода-вывода в секунду, а скорость последовательного чтения и записи равна 250 МБ/с и 90 МБ/с соответственно. Такие скорости окажутся невероятно полезными для обеспечения многозадачности в мобильных устройствах. А учитывая готовящийся к выпуску процессор Exynos 5 Octa 5420 от Samsung, такая память позволит компании в полной мере реализовать его возможности и создать мобильные гаджеты с невероятной производительностью.

Samsung выпускает чипы 10 нм флэш памяти

Лишь в августе компания Samsung объявила о начале массового производства сверхбыстрой памяти eMMC, и вот теперь компания объявила об обновлении техпроцесса.

Теперь в новых чипах eMMC Pro Class 2000 объёмом 64 ГБ компания перешла с 20 нм техпроцесса на 10 нм. Эти чипы стали на 20% меньше, а также, по уверениям Samsung, на 30% более производительными и более лёгкими в производстве. И хотя интерфейс JEDEC eMMC 4.5 только начал набирать популярность, компания планирует в следующем году создать новый стандарт, который будет поддерживать новую конструкцию.

Новая память Samsung eMMC Pro Class 2000

Новые чипы позволяют записывать данные со скоростью 2000 IOPS и считывать на скорости 5000 IOPS, что выше существующих значений в 1500/3500 операций ввода-вывода. Это значит, что физическая скорость записи превысит порог в 260 МБ/с при чтении и 50 МБ/с при записи.

Новые процессоры поступят в массовое производство уже в ноябре и будут применены в тонких смартфонах и планшетах, выпускаемых огромным множеством компаний по всему миру.

Samsung начала производство быстрой flash-памяти для мобильных устройств

Компания Samsung не ограничивается выпуском быстрой памяти NAND лишь для быстрых SSD накопителей.

Компания также развивает и направление быстрой флэш-памяти для мобильных устройств. Новые микросхемы Pro Class 1500 обещают значительный прирост скорости работы памяти, но насколько большой? Ответ кроется в названии. Новая память при записи способна выполнить 1500 IOPS (операций ввода-вывода в секунду), а при чтении — 3500 IOPS, что примерно в 4 раза выше, чем в любом другом ранее представленном чипе флэш-памяти Samsung.

Чипы памяти NAND Pro Class 1500

В реальности это означает, что микросхема обеспечит скорость в 140 МБ/с при чтении и 50 МБ/с при записи данных. Успеха удалось добиться после применения всех технологических решений, имеющихся в арсенал е компании, включая 20 нм технологически процесс, быстрый контроллер DDR 2.0 и новый стандарт памяти JEDEC с пропускной способностью в 200 МБ/с.

Компания не назвала конкретных потребителей новой памяти объёмом 16, 32 и 64 ГБ, однако ни для кого не секрет, что главный потребитель флэш-памяти для мобильных устройств Samsung по-прежнему является компания Apple, несмотря на все судебные перипетии и патентные войны.