Новости про flash-память, NAND и Toshiba

Производители NAND ожидают высокий спрос со стороны ЦОД

Поставщики микросхем NAND-памяти начали ускорять темп своего производства на фоне ожидаемого интереса к такой памяти со стороны промышленного сектора и центров обработки данных.

Ожидается, что спрос на NAND-накопители для промышленности и ЦОД вырастет в первой половине 2020 года и сохранит тенденцию в течение всего следующего года, сообщает DigiTimes. Это связывают с развитием 5G и прогнозируют взрывной рост трафика до 20 ЗБ после коммерческого запуска этих сетей.

Источник отмечает, что уже сейчас такие компании как Samsung, Toshiba Memory, Micron Technology, Intel и SK Hynix готовятся к данному событию.

3D NAND память от Samsung

Лидер индустрии Samsung уже анонсировал массовое производство SATA SSD объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND. Во второй половине года компания готовится выпустить более быструю память V-NAND большей ёмкости.

Что касается Toshiba Memory, то она представила XL-Flash с низкими задержками и высокой производительностью. Эта память предназначена именно для коммерческого применения. Опытные образцы этой памяти появились в сентябре, а массовое производство начнётся в 2020 году.

Тем не менее, несмотря на продолжающейся рост плотности NAND-памяти, цены на неё продолжают падать, что негативно сказывается на всём рынке. По данным аналитической организации ChinaFlashMarket, мировой рынок NAND флэш-памяти в этом году составит 43 миллиарда долларов. Цены на NAND-память в первом полугодии снизились на 30%.

Tosiba и WD разрабатывают 128-слойную память 3D NAND

Компания Toshiba со своим стратегическим партнёром Western Digital готовят память 3D NAND высокой плотности, состоящую из 128 слоёв.

По номенклатуре Toshiba чип будет называться BiCS-5. Несмотря на высокую плотность, чип будет основан на памяти TLC, а не новой QLC. Это связывают с продолжающимися проблемами при производстве QLC и низким процентом выхода годных отпечатков. Однако за счёт повышения числа слоёв чипы будут иметь объём 512 Гб, что на треть больше, чем у 96-слойных чипов. Первые коммерческие продукты на основе 128-слойной памяти появятся в 2020 или 2021 годах.

Структура памяти BiCS-5 от Toshiba

Сообщается, что чипы BiCS-5 имеют четырёхплоскостную конструкцию. Их ядра разделены на 4 секции, или плоскости, доступ к которой осуществляется независимо. Для сравнения, BiCS-4 имела две плоскости. Благодаря этому скорость записи на канал также удвоится и составит 132 МБ/с. Кроме того, в новых микросхемах используется инновационное размещение логической цепи под самым нижним «слоем» с данными, что позволяет на 15% экономить размер ядра.

Аналитики считают, что новые микросхемы будут изготавливаться на 300 мм блинах с выходом годной продукции выше 85%.

Производители флэш-памяти нарастят выпуск 96-слойной 3D NAND

Распространение памяти 3D NAND из 96 слоёв начнёт усиливаться, начиная со II квартала 2019 года, что внесёт дополнительные неясности в рынок и цены на накопители. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на обозревателей рынка.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Микросхема NAND памяти от Toshiba

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Toshiba разрабатывает 96-слойную флэш-память QLC

Корпорация Toshiba Memory, мировой лидер в области твердотельной памяти, анонсировала готовность прототипа 96-слойной памяти BiCS FLASH, построенного на проприетарной технологии 3D памяти с возможностью хранения 4 бит на ячейку (QLC).

Применение технологии QLC позволяет увеличить объём хранимых на одном чипе данных. Уже с сентября компания планирует начать опытные поставки микросхем производителям SSD и разработчикам контроллеров для SSD. Массовое же производство памяти начнётся в 2019 году.

Чип флеш-памяти QLC от Toshiba

Переход на QLC позволяет увеличить объём хранимых в ячейке данных с 3 до 4. В результате появится возможность хранения 1,33 Тб данных на одном чипе. В случае распараллеленного применения стеков из 16 чипов в пакете, объём одной микросхемы можно увеличить до 2,66 ТБ. В Toshiba отмечают, что этот объём крайне необходим на фоне развития мобильных терминалов и устройств IoT, генерирующих огромные массивы данных.

Презентовать прототип планирует в ходе Flash Memory Summit, который состоится в Санта-Кларе в начале августа.

Toshiba анонсирует чипы памяти QLC

Компания Toshiba анонсировала последнее поколение памяти NAND 3D, которое позволяет хранить 4 бита на ячейку памяти. Данная технология получила название Quadruple-Level Cell или QLC.

Благодаря технологии QLC, представленной 64-слойной стековой структурой, Toshiba сможет представить миру кристаллы крупнейшего объёма в 768 Гб (96 ГБ). Новая память также позволяет создавать 1,5 ТБ устройства с 16-слойной архитектурой кристаллов в едином пакете, что также на 50% увеличивает ёмкость пакета, по сравнению с прошлым поколением устройств.

Память типа QLC имеет те же проблемы (если не большие), с которыми столкнулись разработчики при выпуске памяти MLC. Главная из них заключается в том, как поместить данные в одну ячейку без влияния на надёжность хранимых данных и производительность. Так что вопрос того, смогут ли SSD, основанные на QLC NAND, предложить достаточную производительность, остаётся открытым.

Скорее всего данная память найдёт себе место в накопителях для ЦОД, где ключевую роль играют низкое энергопотребление и физический размер накопителя. Однако, возможно, QLC можно будет встретить и в некоторых других отраслях.

Как сообщает разработчик, образцы устройств на основе памяти QLC поставляются производителям SSD и контроллеров для SSD с июня месяца, которые используют новую память для разработки накопителей. Новое поколение образцов будет представлено в августе в ходе Flash Memory Summit 2017.

Toshiba готовит терабайтные чипы NAND

Японская компания Toshiba сообщает о начале опытного производства продуктов на основе памяти NAND третьего поколения.

Новые 512 гигабитные чипы построены из 64 слоёв по технологии трёхуровневых ячеек хранящих по три бита на ячейку (TLC). Эти чипы станут частью модельного ряда продуктов BiCS FLASH.

Сейчас компания начала поставки опытных чипов объёмом 512 Гб, а их массовое производство компания начнёт во втором полугодии.

Новый флеш продукт обладает на 65% большей ёмкостью, по сравнению с прошлым поколением, в котором использовались 48 слоёв ячеек NAND. В дополнение к 512 Гб устройства линейка Toshiba BiCS FLASH будет включать 64-слойные 256 Гб решения, которые уже находятся в массовом производстве.

По словам Скотта Нельсона, старшего вице-президента подразделения памяти TAEC, «представление нами третьего поколения BiCS FLASH в паре с крупнейшим в промышленности 1 ТБ чипом заметно укрепляет наши позиции в качестве передового решения в области памяти, и мы продолжим развивать нашу 3D технологию для соответствия постоянно возрастающим требованиям рынка к объёму хранимых данных».

Таким образом, компания планирует выпустить по этой технологии микросхему, объёмом 1 ТБ.

Чип будет использоваться в накопителях для ЦОД, а также найдёт себе место в SSD продуктах, а значит, он будет достаточно дёшев для использования в игровых системах хай-энд уровня.

Toshiba анонсирует eMMC память нового поколения

Компания Toshiba America Electronic Components представила обновлённую линейку NAND устройств Embedded Multimedia Card (e-MMC) и Universal Flash Storage (UFS).

В отличие от обычных накопителей, эти устройства содержат контроллеры и память в одном пакете, упрощая создание устройств.

Новые e-MMC устройства доступны в объёмах от 16 ГБ до 128 ГБ. Все они изготавливаются по нормам 15 нм процесса, что делает эти чипы одними из самых маленьких в мире. Последовательное чтение данных достигает 320 МБ/с, а запись — 180 МБ/с, что на 2—20% быстрее памяти Toshiba прошлого поколения. Скорость случайного же чтения выросла примерно на 100%, а записи — на 140%.

В памяти UFS используется более широкий интерфейс связи MIPI M-PHY, что позволило в новых модулях увеличить скорость чтения до 850 МБ/с, а записи — 180 МБ/с. Микросхемы UFS построены на той же 15 нм NAND памяти и доступны в объёмах от 32 ГБ до 128 ГБ.

Компания Toshiba производит для своих накопителей не только память, но и контроллеры. Так, фирма разработала собственное аналоговое ядро M-PHY 3.0 и цифровое ядро UniPro 1.6, интегрируемые в UFS контроллер. В результате полученные микросхемы отвечают всем требованиям по скорости работы.

Toshiba представила первую 16-ядерную стековую NAND память с технологией TSV

Компания Toshiba объявила о создании первой в мире флеш-памяти NAND, которая состоит из 16 «штабелированных» ядер NAND с использованием технологии TSV. Данный метод, который также использовался в линейке ускорителей AMD Fury, позволяет увеличить производительность при снижении энергопотребления.

Разработанный прототип новой микросхемы памяти компания представила на конференции Flash Memory Summit 2015.

При традиционной конструкции стековой флеш-памяти, слои связаны между собой на торцах пакета. Технология Through Silicon Via (TSV) использует вертикальные электроды и связи для прохождения сквозь ядра памяти для их объединения. Всё это позволяет увеличить скорость передачи данных и снижает энергопотребление.

Технология TSV от Toshiba позволяет достичь скорости передачи данных на уровне 1 Гб/с при меньшем напряжении питания чем прочие типы NAND: 1,8 В для цепей ядра, 1,2 В для цепей ввода-вывода. Также на 50% снижается энергопотребление при операциях чтения, записи и передачи данных.

SanDisk и Toshiba объявили о создании 48-слойной 3D NAND памяти

Компании SanDisk и Toshiba объявили о том, что их совместное предприятие создало первую в мире 48-слойную стековую памяти NAND.

Память получила название BiCS (сокращение от bit cost scalable). Компании создали чипы с памятью по 2 бита на ячейку, что обеспечит плотность записи в 128 гигабит (16 ГБ) на чип. Опытное производство памяти уже начато, а массовое должно начаться в первой половине 2016 года на новом заводе Fab2 в Yokkaichi Operations.

«Мы с радостью представляем наше второе поколение 3D NAND, обладающее 48-слойной архитектурой, которое разработано совместно с нашим партнёром Toshiba», — заявил доктор Шива Шиварам, исполнительный вице-президент по технологии памяти компании SanDisk.  «Мы использовали наше первое поколение технологии 3D NAND как средство изучения, позволившее нам разработать наше коммерческое второе поколение 3D NAND, которое, мы уверены, предоставит нашим клиентам интереснейшее решение в сфере накопителей».

Компания SanDisk планирует использовать второе поколение технологии 3D NAND в широком спектре решений, от съёмных накопителей до промышленных SSD.

Toshiba начинает производство 15 нм NAND памяти

Компания Toshiba начала отправку первых партий устройств, в которых применяется 15 нм память NAND.

Сами микросхемы памяти начали изготавливаться ранее в этом году на заводе, которым компания владеет совместно с Sandisk.

Будучи нацеленной на мобильные телефоны и рынок носимой электроники, 15 нм серия Toshiba на 26% меньше, чем предыдущие микросхемы компании. Кроме того, они на 8% быстрее при случайном чтении и на 20% быстрее при записи, благодаря оптимизации контроллера.

Каждая группа по объёму представлена в двух версиях: Premium, для устройств начального и среднего сегментов, и Supreme, для хай-энд устройств. В первом квартале 2015 года компания станет предлагать модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. По словам Toshiba, во втором квартале будут представлены также модули по 8 ГБ и 128 ГБ. Габариты памяти очень мало зависят от объёма. Например, 32 ГБ Supreme памяти имеют габариты в 11,5х13х1 мм.

Toshiba начинает массовое производство 15 нм памяти

Известная японская компания Toshiba Corporation анонсировала 15 нм техпроцесс производства 128 битной MLC NAND памяти. Её массовое производство начнётся в конце апреля на Fab 5.

На заводах компания Toshiba новая технология заменит нынешний 19 нм процесс. Теперь компания обладает самой тонкой технологией производства микросхем, который позволит ей увеличить скорость передачи данных до 533 Мб/с благодаря более быстрому интерфейсу.

Кроме того, компания объявила о подготовке к запуску 15 нм процесса производства TLC памяти, которая предназначена для смартфонов и планшетов, а также для SSD (после разработки соответствующего контроллера).

Также стало известно, что и SanDisk готовит к выпуску 15 нм технологию производства памяти, которую она назвала 1Z-nanometer. Её технология также позволит выпускать чипы NAND по 2 и 3 бита на ячейку, однако промышленный выпуск микросхем начнётся во втором полугодии.

Toshiba выпускает USB-флеш высокой ёмкости

Компания Toshiba Electronics Europe выпустила новую линейку накопителей на флеш-памяти, подключаемых по высокоскоростному стандарту USB 3.0. Модельный ряд TransMemory-EX II получил, по сравнению с прошлым поколением, увеличенные скорости чтения и записи.

Используя DDR NAND память от Toshiba, новые продукты способны обеспечить чтение или запись blu-ray диска объёмом 25 ГБ всего за 5 минут, что в 22 раза быстрее, чем в моделях, подключаемых по USB 2.0. По заявлению производителя, реальная скорость чтения с накопителя может достигать 222 МБ/с! При этом максимальная скорость записи ненамного меньше и равна 205 МБ/с, а это вдвое больше, чем у предыдущего поколения TransMemory-EXTM. Как и следует ожидать, новые флешки Toshiba полностью совместимы с предыдущими поколениями интерфейсов USB, включая 2.0 и 1.1. Представленные флешки выпускаются в трёх вариантах: с ёмкостью 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ.

Новые накопители поддерживают специальное программное обеспечение, которое позволяет защищать паролем определённые блоки данных, таким образом ограждая их от нежелательного доступа.

Компания Toshiba пообещала и впредь совершенствовать свои накопители, увеличивая ёмкость и скорость работы. Компания продолжит продвигать инновации, расширяя горизонты рынка NAND флеш, и сохранять лидерство на этом рынке.

Toshiba официально представили 19 нм NAND память

В апреле прошлого года компании Toshiba и SanDisk совместно заявили, что впервые в мире им удалось перейти черту 20 нм техпроцесса, изготовив флэш-память по 19 нм топологии. Хорошей новостью было то, что меньшая по размерам, более дешевая и ёмкая NAND память могла быть построена на MLC транзисторах (2 бита на ячейку), при этом 16 кристаллов были упакованы в единую микросхему.

Тогда же Toshiba начали производство 19 нм NAND флэш-памяти, а готовые продукты появились на рынке к осени 2011 года. Однако то были образцы только MLC продуктов, TLC микросхемы, с тремя битами на ячейку, компания обещала представить позднее.

И вот месяц назад Toshiba начала производить 19 нм чипы NAND памяти с тремя битами на ячейку, объёмом 128 Гб. При этом новые чипы стали самыми маленькими в мире, занимая площадь лишь в 170 мм2. Кроме того компания утверждает, что на основе их микросхем будут изготовлены быстрейшие в мире накопители, со скоростью записи в 18 МБ/с.

Безусловно, уменьшение технологии производства TLC чипов вызвало массу проблем, среди которых управление напряжением, усиление записи и коррекция ошибок, которые имеют большое значение при уменьшении норм производства твердотельной памяти. Тем не менее, в Toshiba утверждают, что им удалось оптимизировать периферийную сеть микросхем памяти, а также внедрить технологию воздушных зазоров для транзисторов, благодаря чему расстояние между ячейками памяти было уменьшено до 5%.

Нам лишь остаётся пожелать Toshiba успеха в их работе и ожидать появления первых 19 нм TLC накопителей среди ассортимента продукции партнёров компании.