Новости про flash-память и NAND

Цены на память NAND снижаются

Радостная новость для тех, кто хочет себе приобрести твердотельный накопитель, ну или просто обновить гаджет. Впервые после долгих месяцев объёмы производства твердотельной памяти стали незначительно превышать спрос, что позволит цене на NAND память опуститься по результатам второго квартала.

Небольшое перепроизводство уже повлияло на цены на память NAND. В первом квартале наблюдалось незначительное снижение цены, которое сохранится и во втором.

3D NAND память Samsung

А вот во второй половине 2018 года поставки NAND будут в дефиците, поскольку ожидается повышение спроса со стороны оптовых дистрибьюторов. В то же время рынок конечных устройств достигнет пика своих продаж также во второй половине года. Это произойдёт на фоне постоянного увеличения объёма памяти в смартфонах. После этого цены на NAND флеш-память должны стабилизироваться.

Также аналитики отмечают, что китайский стартап Yangtze Memory Technologies Company (YMTC), который активно продвигается на рынке памяти, до 2019 года не повлияет на мировой рынок NAND.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Поставки памяти NAND улучшатся в следующем году

Аналитики DigiTimes, традиционно ссылаясь на промышленные источники, сообщили, что поставки твердотельной NAND памяти должны улучшиться в 2018 году, по сравнению 4 кварталом текущего года.

Эти прогнозы не удивительны. Уходящий год оказался довольно дефицитным в плане памяти NAND и DDR, и многие компании увеличили производство микросхем соответствующих типов. Но даже так они не смогли удовлетворить все заявки, а потому поставки памяти растянулись во времени, а её цена выросла.

Однако новые производственные мощности, построенные компаниями, должны ослабить отпускные цены уже в первом квартале 2018 года, что приведёт и к снижению розничных цен.

Также аналитики отметили, что увеличение объёмов производства связано не только с расширением производственных мощностей, но и с началом производства более технологичной памяти, например, 3D NAND, которая также станет доступнее для потребителей.

Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane

Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.

Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.

Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.

По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.

О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.

Toshiba анонсирует чипы памяти QLC

Компания Toshiba анонсировала последнее поколение памяти NAND 3D, которое позволяет хранить 4 бита на ячейку памяти. Данная технология получила название Quadruple-Level Cell или QLC.

Благодаря технологии QLC, представленной 64-слойной стековой структурой, Toshiba сможет представить миру кристаллы крупнейшего объёма в 768 Гб (96 ГБ). Новая память также позволяет создавать 1,5 ТБ устройства с 16-слойной архитектурой кристаллов в едином пакете, что также на 50% увеличивает ёмкость пакета, по сравнению с прошлым поколением устройств.

Память типа QLC имеет те же проблемы (если не большие), с которыми столкнулись разработчики при выпуске памяти MLC. Главная из них заключается в том, как поместить данные в одну ячейку без влияния на надёжность хранимых данных и производительность. Так что вопрос того, смогут ли SSD, основанные на QLC NAND, предложить достаточную производительность, остаётся открытым.

Скорее всего данная память найдёт себе место в накопителях для ЦОД, где ключевую роль играют низкое энергопотребление и физический размер накопителя. Однако, возможно, QLC можно будет встретить и в некоторых других отраслях.

Как сообщает разработчик, образцы устройств на основе памяти QLC поставляются производителям SSD и контроллеров для SSD с июня месяца, которые используют новую память для разработки накопителей. Новое поколение образцов будет представлено в августе в ходе Flash Memory Summit 2017.

Цены на NAND память должны снизиться

Цены на твердотельную память типа NAND за последние месяцы заметно выросли, однако аналитики прогнозируют их снижение уже в текущем квартале.

Такое мнение выразил глава Phison Electronics Хеин Сен Пуа. Однако в третьем квартале цены вновь начнут расти, поскольку на конечном рынке вновь повысится спрос.

Переход производителей от технологии NAND 2D к 3D привёл к опустошению складских запасов и росту цены на чипы — отметил Пуа.

Кроме того, OEM производители неохотно поставляют свою продукцию, ведь на фоне растущей цены они только теряют деньги, увеличивая свои продажи. В результате складские запасы оптовых поставщиков истощились, и они начали предлагать устройства с меньшим объёмом памяти. К примеру, некоторые производители, преимущественно в Китае, вместо SSD объёмом 128 ГБ стали поставлять устройства с 96 ГБ. Пуа отметил, что дефицит коснулся даже eMMC устройств объёмом в 4 ГБ и 8 ГБ.

Руководитель компании выразил уверенность, что в ближайшее время цены на память скорректируются, однако уже в третьем квартале, на фоне спроса со стороны Apple iPhone и других новых смартфонов, они начнут расти.

Что касается поставщиков, то их склады заполнятся в мае и июне, когда производители начнут массово выпускать 3D NAND продукты. Уже в четвёртом квартале более половины всех чипов памяти будут изготовлены по 64-слойной 3D NAND технологии.

SK Hynix представила 72-слойную NAND

Компания SK Hynix первой в мире представила чипы стековой NAND памяти объёмом 256 Гб и высотой 72 слоя. Чипы построены на массивах памяти 3D NAND Flash по три уровня на ячейку (TLC).

В результате инженеры смогли разместить в полтора раза больше ячеек, чем в 48-слойных чипах, которые уже находятся в массовом производстве.

Напомним, что SK Hynix выпустила 36-слойные чипы объёмом 128 Гб в августе прошлого года, а с ноября выпускает микросхемы с 48 слоями. Инженеры отметили сложность проделанной работы, сравнив её со строительством 4 миллиардов небоскрёбов высотой в 72 этажа каждый на одной площадке. Новые 256 Гб чипы имеют на 30% большую эффективность в производстве и на 20% большую производительность. В настоящее время на базе этой памяти SK Hynix разрабатывает NAND Flash решения для построения твердотельных накопителей и решений хранения данных для смартфонов.

Улучшая производительность, имея высокую надёжность и низкое потребление энергии, SK Hynix надеется сохранить за собой лидирующие позиции на рынке твердотельной памяти.

Toshiba готовит терабайтные чипы NAND

Японская компания Toshiba сообщает о начале опытного производства продуктов на основе памяти NAND третьего поколения.

Новые 512 гигабитные чипы построены из 64 слоёв по технологии трёхуровневых ячеек хранящих по три бита на ячейку (TLC). Эти чипы станут частью модельного ряда продуктов BiCS FLASH.

Сейчас компания начала поставки опытных чипов объёмом 512 Гб, а их массовое производство компания начнёт во втором полугодии.

Новый флеш продукт обладает на 65% большей ёмкостью, по сравнению с прошлым поколением, в котором использовались 48 слоёв ячеек NAND. В дополнение к 512 Гб устройства линейка Toshiba BiCS FLASH будет включать 64-слойные 256 Гб решения, которые уже находятся в массовом производстве.

По словам Скотта Нельсона, старшего вице-президента подразделения памяти TAEC, «представление нами третьего поколения BiCS FLASH в паре с крупнейшим в промышленности 1 ТБ чипом заметно укрепляет наши позиции в качестве передового решения в области памяти, и мы продолжим развивать нашу 3D технологию для соответствия постоянно возрастающим требованиям рынка к объёму хранимых данных».

Таким образом, компания планирует выпустить по этой технологии микросхему, объёмом 1 ТБ.

Чип будет использоваться в накопителях для ЦОД, а также найдёт себе место в SSD продуктах, а значит, он будет достаточно дёшев для использования в игровых системах хай-энд уровня.

В 2017 году продолжится дефицит памяти NAND

В течение 2017 года сохранится дефицит памяти NAND. Об этом сообщил Кхень Сен Пуа, глава тайваньской компании Phison Electronics, которая выпускает контроллеры для USB накопителей и карт памяти.

При этом спрос на память со стороны производителей ПК, серверов, автопроизводителей и потребительской электроники останется высоким. В то же время производители чипов переходят на 3D NAND процесс, что приводит к опустошению складов, отмечает Пуа.

Изначально ожидалось, что дефицит NAND памяти ослабнет к концу 2016 году, однако поставки оказались ниже, чем прогнозировалось.

Несмотря на то, что прибыль Phison напрямую зависит от количества поставленных микросхем памяти, Пуа даёт для своей компании обнадёживающий финансовый прогноз.

Toshiba анонсирует eMMC память нового поколения

Компания Toshiba America Electronic Components представила обновлённую линейку NAND устройств Embedded Multimedia Card (e-MMC) и Universal Flash Storage (UFS).

В отличие от обычных накопителей, эти устройства содержат контроллеры и память в одном пакете, упрощая создание устройств.

Новые e-MMC устройства доступны в объёмах от 16 ГБ до 128 ГБ. Все они изготавливаются по нормам 15 нм процесса, что делает эти чипы одними из самых маленьких в мире. Последовательное чтение данных достигает 320 МБ/с, а запись — 180 МБ/с, что на 2—20% быстрее памяти Toshiba прошлого поколения. Скорость случайного же чтения выросла примерно на 100%, а записи — на 140%.

В памяти UFS используется более широкий интерфейс связи MIPI M-PHY, что позволило в новых модулях увеличить скорость чтения до 850 МБ/с, а записи — 180 МБ/с. Микросхемы UFS построены на той же 15 нм NAND памяти и доступны в объёмах от 32 ГБ до 128 ГБ.

Компания Toshiba производит для своих накопителей не только память, но и контроллеры. Так, фирма разработала собственное аналоговое ядро M-PHY 3.0 и цифровое ядро UniPro 1.6, интегрируемые в UFS контроллер. В результате полученные микросхемы отвечают всем требованиям по скорости работы.