Новости про flash-память, NAND и технологии

Innodisk готовит флеш-память с большой долговечностью

Компания Innodisk работает над новой твердотельной памятью iSLC NAND, которая должна значительно увеличить долговечность чипов памяти.

Современная MLC NAND память может выдержать от 3 до 5 тысяч циклов перезаписи. По уверениям Innodisk, новые чипы смогут выдержать порядка 30 000 циклов перезаписи. При этом разработчики обещают, что производительность памяти iSLC будет сопоставима с SLC при заметно меньшей стоимости. Выпуск первых микросхем по технологии iSLC должен произойти уже в этом квартале.

Требования к долговечности памяти разных типов

Сама технология предусматривает программирование двух бит на ячейку MLC в один бит на ячейку, что увеличивает разницу чувствительности между слоями. На практике это означает производительность идентичную решениям на базе SLC памяти. В среднем, долговечность iSLC даже превысит показатель в 30 тысяч циклов, многократно увеличив срок службы накопителей, по сравнению с MLC технологией. Кроме того, при подключении по интерфейсу Serial ATA II скорость записи памяти iSLC будет на 70% выше, чем у MLC накопителей.

Фирма Innodisk разрабатывает iSLC для максимально близкой производительности по сравнению с SLC, при максимальном приближении по стоимости к MLC. Сама технология направлена для обеспечения работы в нетребовательных к производительности устройствах, таких как POS-терминалы и интерактивные информационные стенды, при обеспечении высокой ёмкости с сохранением минимальной стоимости.

Viking представили комбинацию DRAM и флэш-памяти

Вчера компания Viking Technology представила свою новую разработку — модули памяти ArxCis-NVTM, которые, по утверждениям разработчиков, могут автоматически определять прерывания ввода-вывода и производить резервное копирование данных на твердотельную NAND память в случае аварийной ситуации.

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модуль памяти ArxCis-NVTM

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Медленно, но уверенно флеш память продолжает становиться все более плотной и более ёмкой.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.