Новости про flash-память, Intel и NAND

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Intel анонсирует прорыв в области энергонезависимой памяти

Компания Intel в партнёрстве с Micron анонсировала прорыв в технологии памяти, которая изменит подход к хранению данных. Технология получила название 3D XPoint (читается CrossPoint).

Компании считают данный прорыв крупнейшим с момента разработки NAND Flash, которая впервые была представлена в 1989 году. Новая технология предлагает энергонезависимую память совершенно нового класса. Так, память 3D XPoint будет в 1000 раз быстрее, чем обычная NAND и будет обладать в 1000 раз большей надёжностью. И это ещё не всё, ведь новая память будет в 10 раз плотнее нынешних образцов.

Xpoint может вмещать 128 Гб на одном чипе

Всё это означает, что новая память позволит заметно ускорить работу современных компьютеров даже без изменения производительности процессоров. Сейчас один из крупнейших барьеров производительности заключён во времени, необходимом для передачи данных от CPU к накопителю, однако в 3D XPoint это время резко сокращено. По словам Intel, это позволит использовать PC в совершенно новых областях, к примеру, новая память даст врачам возможность изучать распространение болезни в реальном времени, а ЦОД смогут записывать и считывать информацию заметно быстрее.

Структура памяти 3D XPoint

Наши коллеги из Neowin пообщались с представителями Intel и выяснили, что фирма уже начала изготавливать память 3D XPoint и готовится передать её избранным партнёрам, а уже в следующем году появятся новые продукты на основе памяти 3D XPoint.

Intel и Micron обещают SSD объёмом 10 ТБ

Как известно, Toshiba и SanDisk совсем недавно представили свои 128 Гб модули NAND состоящие из 48 слоёв. Их главные конкуренты, Intel и Micron, пока заметно отстают от них в количестве слоёв. Эти компании анонсировали лишь 32-слойную архитектуру чипа, однако им удалось значительно продвинуться в плотности микросхем.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC конфигурации, и 384 битный в TLC конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

32 слойная MLC память NAND от Intel

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Intel: 3D NAND приведёт к появлению 10 ТБ SSD

В ходе интернет совещания с инвесторами, компания Intel рассказала о своих планах по флэш-памяти NAND.

Гигант рынка полупроводников планирует выпустить первые SSD с памятью 3D NAND во второй половине 2015 года. Эти чипы станут результатом совместной работы с Micron. В них будут собраны 32 плоских слоя, что может обеспечить ёмкость одного MLC ядра в 256 Гб (32 ГБ), а с использованием технологии трёх бит на ячейку (TLC), объём чипа может вырасти до 384 Гб (48 ГБ).

Слайд презентации 3D NAND

Память 3D NAND обещает совершить прорыв в вопросах стоимости и габаритов. В результате, SSD объёмом 1 ТБ будет иметь толщину всего 2 мм, а через пару лет, благодаря 3D NAND, твердотельные накопители вырастут в объёме до 10 ТБ.

Для сравнения, 32-слойная V-NAND флэш-память от Samsung предлагает всего 86 Гб на ядро MLC и 128 Гб при TLC конфигурации. Таким образом, Intel с Micron становятся явными лидерами рынка твердотельной памяти.

В ходе конференции, компания Intel показала презентацию с работающим прототипом новой флэш-памяти, так что все работы по её созданию действительно подходят к концу. О том, где Intel хочет использовать новые накопители, она пока не решила. Перспективными направлениями использования компания считает центры обработки данных, корпоративных клиентов и энтузиастов PC.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Медленно, но уверенно флеш память продолжает становиться все более плотной и более ёмкой.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.

10 самых интересных событий 2009 года, часть 1

Прошедший год был довольно насыщен событиями и разнообразными новостями. Это был год кризиса, который сильно подорвал финансовое положение многих компаний и ещё много лет будет влиять на отрасль. Но к началу 2010 года появились ясные признаки оздоровления спроса. Ресурс DailyTech решил вспомнить 10 самых интересных событий компьютерной индустрии в прошедшем году.

Нетбуки

Ниже все они перечислены в нижеприведённом списке без упорядочивания по важности.

Intel отменила выход графического ускорителя Larrabee

В течение последних нескольких лет Intel говорит о своём выходе на рынок дискретных видеокарт и высокопараллельных вычислений. Компания обещает благодаря Larrabee добиться выдающегося качества графики и высочайшей производительности, однако, по всей видимости, с архитектурой графических ускорителей NVIDIA и AMD решение Intel пока тягаться неспособно. Следующее поколение Larrabee компания обещает представить лишь в 2011 году.

Переход на 64-битное ПО

Процессоры поддерживают 64-битные инструкции уже много лет, но 2009 год стал переломным: сейчас большая часть продаваемых ОС Windows являются 64-битными. Это позволит разработчикам быстрее выпустить 64-битные версии своих программ.

Перевод производства Flash NAND памяти на 34-нм техпроцесс

Спрос на flash-память в 2009 году рост быстрее, чем ожидалось, что привело к росту её стоимости. Однако, переход на массовое производство с соблюдением 34-нм норм в полном разгаре и в 2010 году этот тип памяти станет гораздо дешевле. Кстати, память DDR3 и GDDR5 переводится производителями на 40-нм нормы, что тоже сделает её более доступной.

Нетбуки

Рынок небольших дешёвых компьютеров с низкой производительностью и долгим временем работы от батарей буквально взорвался в прошлом году:  по сравнению с 2008 годом этих небольших устройств было продано вдвое больше: 40 млн. единиц. Результат был бы ещё более впечатляющим, если бы не экономический спад.

Microsoft занесла в чёрный список более 1 миллиона консолей Xbox 360

По причине пиратства Microsoft серьёзно взялась за борьбу со взломанными приставками Xbox 360. Несмотря на то, что мнение общественности по этому поводу разделилось, компанией был закрыт доступ к online-службам для более 1 миллиона консолей. В offline-игры владельцы злополучных приставок играть по-прежнему могут.