Новости про flash-память, Intel и технологии

Intel показала прототип флэш-накопителя для Thunderbolt

Нет сомнения, что главным доходом Intel являются их центральные процессоры, однако это вовсе не означает, что Haswell стала единственной вещью, которую компания привезла на Computex.

Одной из интересных вещей фирмы стал прототип флэш-накопителя с интерфейсом подключения Thunderbolt, который, по словам Intel, является самой быстрой технологией передачи данных между компьютером и периферией.

По большому счёту представленный 128 ГБ накопитель выглядит как обычная USB флэшка. На самом деле внутри неё установлен простой SSD от SanDisk, однако само устройство подключается к ПК посредством стандартного порта Thunderbolt. При этом в отличие от большинства периферии накопитель не требует использования дорого интерфейсного кабеля.

Современная версия технологии Thunderbolt обеспечивает скорость передачи данных в 10 Гб/с, что в два раза выше, чем у USB 3.0. Несмотря на такое технологическое преимущество лишь небольшая часть ПК оснащена портами Thunderbolt, да и рынок не пестрит устройствами, подключаемыми по данному интерфейсу. В их число входит лишь небольшая часть мониторов и внешних накопителей.

Сейчас же прототип готов и продемонстрирован. Инженер Thunderbolt Орен Хабер сообщил, что существует некоторый интерес производителей в выпуске подобных устройств, поскольку они обладают крайне высокой скоростью передачи данных, но при этом он так и не сказал, будет ли подобный гаджет когда-либо выпущен на рынок.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Медленно, но уверенно флеш память продолжает становиться все более плотной и более ёмкой.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.