Новости про flash-память

SanDisk выпускает крошечный USB 3.0 накопитель

Компания SanDisk уверяет, что ей удалось создать самый маленький USB флеш-накопитель объёмом 128 ГБ, который поддерживает стандарт USB 3.0. Он настолько мал, что всего на несколько миллиметров превышает размеры штекера.

Новый накопитель Ultra Fit был представлен в объёмах 16 ГБ, 32 ГБ, 64 ГБ в прошлом году. Новый же накопитель, объёмом 128 ГБ, продолжает модельный ряд Ultra Fit, предлагая скорости передачи данных «до 130 МБ/с, позволяя пользователям перемещать контент в 10 раз быстрее, чем при использовании стандартного порта USB 2.0, так, передача полнометражного фильма займёт 40 секунд».

Накопитель SanDisk 128GB Ultra Fit

Накопитель SanDisk уже находится в продаже по цене в 120 долларов США.

Накопители SanDisk продаются с пятилетней гарантией и ПО SanDisk SecureAccess, которое обеспечивает безопасное хранение файлов с защитой паролем и 128-битным шифрованием.

JEDEC завершает стандарт гибридных DDR4 и NAND модулей

Стандартизирующая организация JEDEC объявила о создании первого стандарта, поддерживающего гибридные модули памяти, которые устанавливаются в обычные слоты памяти DDR4, но содержат и флэш-память NAND.

Такие не теряющие данные двухлинейные модули памяти NVDIMM (non-volatile dual in-line memory module) будут использованы для сверхвысокопроизводительных накопителей, а также для сверхбезопасных решений ОЗУ.

Первый тип таких модулей называется NVDIMM-N. В нём объединена память DRAM и NAND типов для обеспечения создания резервных копий и последующего восстановления всей ОЗУ, что значительно повышает надёжность работы в случае внезапного прекращения питания. Второй тип получил название NVDIMM-F. В нём применяется прямая адресация к NAND флеш, которая адресуется как блочно-ориентированный накопитель. Память NVDIMM-F сможет предложить сверхвысокопроизводительные твердотельные накопители для использования в качестве кэша записи, хранения метаданных и т.п.

NVDIMM модуль от Agiga

Оба типа памяти будут использовать форм фактор с 288 контактами, т. е. будут соответствовать стандартным модулям DDR4, и смогут устанавливаться в двухлинейные слоты стандартных промышленных серверов и платформ накопителей. Они будут распознаваться контроллерами как стандартная DDR4 SDRAM. Канал памяти же будет разделяться между DRAM и NAND чипами.

Первое коммерческое решение, соответствующее спецификации JEDEC NVDIMM ожидается к появлению в конце 2015 или начале 2016 года.

Transcend выпускает USB 3.0 накопители объёмом 256 ГБ

Компания Transcend представила новый модельный ряд накопителей USB 3.0 для тех пользователей, которым требуются флешки большого объёма с высокими скоростями передачи данных. Новый модельный ряд флеш-накопителей с интерфейсом USB 3.0 включает 256 ГБ модель JetFlash 780, и 128 ГБ модели JetFlash 810, JetFlash 700/730 и JetFlash 790K/790W.

Флешка JetFlash 780 нацелена на тех пользователей, которым требуется максимальная ёмкость, поскольку её объём составляет 256 ГБ. При этом она не только предлагает большие объёмы для хранения данных, но и обеспечивает скорость передачи на уровне 210 МБ/с. Разработчик использовал в своей флешке наилучше чипы MLC NAND, что гарантирует высокую надёжность и стабильность хранимых данных.

Новое поколение флешек Transcend

Модель JetFlash 810 характеризуется повышенной надёжностью, которой способствует защищённый от брызг корпус. По словам Transcend, этот накопитель прошёл тесты падения по стандартам армии США, что должно гарантировать превосходную стойкость к влаге и ударам. Данный накопитель будет предлагаться в объёме от 8 до 128 ГБ.

Модели JetFlash 700/730 характеризуются классическим дизайном, в то время как JetFlash 790K/790W имеют «бесколпачковую» конструкцию, что позволяет объединить компактный дизайн с высоким объёмом хранимых данных. Накопитель JetFlash 700/730 будет продаваться в объёмах от 4 ГБ до 128 ГБ, а 790K/790W — от 8 ГБ до 128 ГБ.

Все новые накопители попадают под программу пожизненной гарантии от Transcend.

SanDisk выпускает флэшку со штекером USB Type-C

Разъём USB типа С только начинает появляться в первых компьютерах. Так, компания Apple объявила о его использовании в MacBook, а Google решила применить его в референсном дизайне Chromebook. При этом порт используется для питания устройства, передачи видео и данных к периферии.

По данным Strategy Analytics, к началу следующего года уже 12% устройств будут оснащаться коннекторами нового типа, наряду с традиционными разъёмами A и B.

SanDisk Dual USB Type-C

Учитывая быструю популяризацию нового формата USB, компания SanDisk подготовила новый флэш-накопитель с двумя штекерами стандарта USB 3.0 — Типа A и типа С. Устройство получило название Dual USB Type-C.

Накопитель поставляется в объёме 32 ГБ и имеет совместимость с приложением SanDisk Memory Zone, которое позволяет пользователям управлять и передавать данные и контент через совместимые устройства. Накопитель уже доступен к приобретению по цене в 100 долларов США.

PNY выпускает 128 ГБ флэшку

Компания PNY Technologies, мировой гигант в отрасли USB устройств и памяти, официально представила Hook Attaché — накопитель объёмом 128 ГБ.

Накопитель такого высокого объёма позволит с лёгкостью переносить всю вашу информацию от одной машины — к другой. Отныне можно записать на флэшку все свои любимые фильмы, музыку и фотографии, не смотря на то, какое они имеют разрешение.

PNY Hook Attaché

Накопитель PNY Hook Attaché  обладает высококачественной серебряной отделкой с тонкими устремлёнными вперёд гранями. Её экстерьер обладает влагозащитными свойствами, обеспечивает защиту от пыли и ударов, что, несомненно, продлит срок службы накопителя при ежедневном использовании. Предусмотренный дизайнерами карабин обеспечит надёжную сохранность накопителя, позволяя пристегнуть его к ключам, рюкзаку, барсетке или любому другому аксессуару. Также разработчики избавились от колпачка. Таким образом, вам больше не стоит беспокоиться из-за его возможной утери.

Флэшка PNY Hook Attaché  подключается по интерфейсу USB 2.0, что, конечно, не совсем удобно при использовании накопителей таких объёмов. Кроме 128 ГБ версии разработчики предлагают данную модель с объёмами 8 ГБ, 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. К сожалению, о скорости работы производитель ничего не сообщил, зато пообещал пятилетнюю гарантию на накопитель.

Intel и Micron обещают SSD объёмом 10 ТБ

Как известно, Toshiba и SanDisk совсем недавно представили свои 128 Гб модули NAND состоящие из 48 слоёв. Их главные конкуренты, Intel и Micron, пока заметно отстают от них в количестве слоёв. Эти компании анонсировали лишь 32-слойную архитектуру чипа, однако им удалось значительно продвинуться в плотности микросхем.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC конфигурации, и 384 битный в TLC конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

32 слойная MLC память NAND от Intel

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

SanDisk и Toshiba объявили о создании 48-слойной 3D NAND памяти

Компании SanDisk и Toshiba объявили о том, что их совместное предприятие создало первую в мире 48-слойную стековую памяти NAND.

Память получила название BiCS (сокращение от bit cost scalable). Компании создали чипы с памятью по 2 бита на ячейку, что обеспечит плотность записи в 128 гигабит (16 ГБ) на чип. Опытное производство памяти уже начато, а массовое должно начаться в первой половине 2016 года на новом заводе Fab2 в Yokkaichi Operations.

BiCS NAND память от Toshiba

«Мы с радостью представляем наше второе поколение 3D NAND, обладающее 48-слойной архитектурой, которое разработано совместно с нашим партнёром Toshiba», — заявил доктор Шива Шиварам, исполнительный вице-президент по технологии памяти компании SanDisk.  «Мы использовали наше первое поколение технологии 3D NAND как средство изучения, позволившее нам разработать наше коммерческое второе поколение 3D NAND, которое, мы уверены, предоставит нашим клиентам интереснейшее решение в сфере накопителей».

BiCS NAND память от Toshiba

Компания SanDisk планирует использовать второе поколение технологии 3D NAND в широком спектре решений, от съёмных накопителей до промышленных SSD.

SanDisk анонсирует твердотельный накопитель для промышленности

За последние годы компания SanDisk сделала массу приобретений, и теперь активно пытается закрепиться на промышленном рынке.

Очередным шагом в этом направлении стала новая платформа накопителей под названием InfiniFlash. InfiniFlash — это массив данных полностью построенный на флэш-памяти. Он сконструирован специально для нужд предприятий и гиперскалярной работы, такой как, например, аналитика данных, хранение контента и медиа вещание. По данным разработчиков, массив InfiniFlash обеспечивает в 5 раз большую плотность, в 50 раз большую производительность и в 4 раза большую надёжность по сравнению с обычными накопителями на базе HDD. При этом InfiniFlash потребляет на 80% меньше электроэнергии.

SanDisk InfiniFlash

Что ещё более важно для пользователей, так это цена. В InfiniFlash она составляет менее 1 доллара за гигабайт. Для сравнения, подобные твердотельные массивы конкурентов стоят до 20 долларов за гигабайт.

Новая платформа SanDisk будет доступна в трёх конфигурациях: IF100, IF500 и IF700, каждая из которых создана для различных пользователей и приложений. Более того, каждое шасси имеет слоты для размещения 64 карт памяти объёмом по 8 ТБ каждая, что в сумме даёт до 512 ТБ. Наряду с ними, компания планирует поставлять и меньшие по объёму 256 ТБ модули.

SanDisk выпускает microSD карту объёмом 200 ГБ

Компания SanDisk, один из мировых лидеров на рынке накопителей, представила первую в мире карту памяти объёмом 200 ГБ. Этого удалось достичь благодаря использованию новых технологий для увеличения плотности.

Формат карт MicroSD невероятно популярен в мобильных устройствах. Его неоспоримым преимуществом является малый размер и высокая ёмкость, которая до недавнего времени достигала 128 ГБ. Теперь же рекордом ёмкости можно считать карты от SanDisk объёмом в 200 ГБ.

Карта microSD SanDisk объёмом 200 ГБ

Скорость чтения и записи для этой карты, измеренная на файлах общим объёмом 4,1 ГБ составляет 90 МБ/с. Проверка скорости выполнялась на обычных фотографиях со средним размером 3,5 МБ посредством использования кардридера USB 3.0. Таким образом были смоделированы условия реальной эксплуатации в смартфоне или планшете.

Карта памяти, полное название которой SanDisk Ultra microSDXC UHS-I Premium Edition 200GB, будет выпущена во втором квартале этого года с 10-и летней гарантией. Цена же на карту впечатляет, как и её характеристики. Производитель рекомендует продавать её по 400 долларов США.

Samsung анонсирует сверхбыструю встраиваемую флэш-память

С учётом современных быстрых процессоров, больших объёмов ОЗУ и камер высокого разрешения, многие по праву считают, что нынешним вычислительным системам необходимы быстрые накопители. Данная проблема была решена в компьютерах с помощью SSD, а в мобильной среде на помощь придёт новая флэш-память eMMC 5.1 от Samsung.

Компания Samsung стала одним из первых производителей, представивших твердотельную память eMMC 5.1, спецификация которой совсем недавно была представлена JEDEC. Стандарт eMMC предназначен для MultiMediaCard и был использован в коммуникаторах и подобных устройствах. Новая память eMMC 5.1 позволяет читать последовательные данные со скоростью до 250 МБ/с и записывать со скоростью до 125 МБ/с. При этом скорости проведения операций чтения и записи составляют 11 000 и 13 000 IOPS соответственно.

Память Samsung eMMC 5.1

Для сравнения, прошлое поколение eMMC 5.0 может достигать «лишь» 90 МБ/с, но при намного меньшем количестве операций ввода вывода за секунду.

По слухам, южнокорейский гигант может устанавливать новую память в свои флагманские смартфоны Galaxy S6, однако никаких подтверждений данной информации пока нет.