Новости про flash-память

Huawei работает над собственным GPU

По информации одного китайского сервиса микроблогов Starry_wang, на котором очень любят сидеть энтуазиасты IT, компания Huawei хочет заняться разработкой собственных графических процессоров и флеш-памяти, которые она будет использовать в своих смартфонах.

Как известно, компания Huawei уже использует в собственных хай-энд смартфонах систему-на-чипе своей разработки, известную под названием Kirin.

Huawei

Поскольку компания начала ориентацию на собственные ресурсы, вполне логичным может выглядеть и её переход на графические чипы собственной разработки, что позволит фирме избавиться от зависимости от ARM Mali GPU. Также в сообщении говорится, что фирма ищет способы наладить сотрудничество с крупнейшими игроками на рынке памяти, компаниями Samsung, Micron и SK Hynix, чтобы те помогли ей с выпуском собственных микросхем флеш-памяти. Отмечается, что свою собственную память компания может представить уже через один-два года, а вот разработка GPU потребует больше времени.

Кроме того в блоге отмечено, что ещё с 2012 года Huawei планирует выпуск собственной операционной системы для смартфонов.

SK Hynix отвергла финансовое предложение Tsinghua

Китайская правительственная компания Tsinghua давно ищет способы стать крупнейшим производителем микросхем памяти в мире, для чего она готова потратить огромные средства.

Согласно недавним слухам, Tsinghua Unigroup хотела приобрести большую долю в SK Hynix, и теперь детали этой сделки стали известны общественности. Китайская компания хотела приобрести 20% акций южнокорейской SK Hynix за 5,3 миллиарда долларов США, с условием, что последняя построит завод по производству NAND памяти в Китае. Однако корейская фирма отклонила это предложение, заявив, что SK Hynix не продаётся.

SK Hynix

Марк Ньюмэн из аналитической компании Bernstein Research сообщил: «Изучая другие отрасли, в которые вошёл Китай (смартфоны, солнечная энергетика, LCD и т.д.), становится понятно, что однажды войдя в отрасль, Китай не остановится, пока не будет доминировать на рынке с постоянным экономическим и массовым подавлением. В SK Hynix об этом предупреждены, что и является главной причиной, по которой, по нашему мнению, они отклонили предложение Tsinghua».

Intel демонстрирует Optane 3D XPoint SSD

В ходе конференции Oracle OpenWorld компания Intel воспользовалась возможностью представить свою свежую реализацию революционной памяти 3D XPoint, которая должна заменить NAND флеш в качестве следующего шага развития твердотельных технологий. Новый тип памяти предлагает экспоненциальный рост скорости и плотности.

Optane — это кодовое имя для будущих SSD Intel на базе памяти 3D XPoint, с быстрыми интерфейсами (PCIe M.2, U.2, карта расширения PCIe) и протоколом NVMe. В работе сервера Oracle серии X5-2 модели 1U, он показал в 4,42 раза большую скорость случайного доступа, 6,44 раза меньшие задержки, по сравнению с лучшими NAND SSD образцами. Также, при работе с ПО от Oracle, накопитель Optane обещает в 7,13 раза большую пропускную способность.

Optane DIMM SSD

Кроме Optane компания также представила прототип 3D XPoint SSD в форм-факторе памяти DDR4 DIMM. Таким образом, компания надеется обойти все узкие места в транспортных шинах и обращаться непосредственно к контроллеру памяти процессора.

Преимущества 3D Xpoint SSD

Преимущества 3D Xpoint SSD

Системные интеграторы смогут объединять оперативную память DDR4 и SSD модули, обеспечив наименьшие, из возможных, задержки передачи данных в системе. По словам исполнительного директора Intel Брайана Крзанича, модули Optane DIMM будут иметь производительность близкую к оперативной памяти, а потому могут ускорить реализацию идеи хранения базы данных в памяти.

SK Hynix выпустит 48-слойную NAND память через год

Один из лидеров рынка памяти, компания SK Hynix, недавно приступила к массовому производству DRAM чипов 20 нм класса и сообщила о планах по выпуску 36-слойной флеш-памяти до конца этого года. Что касается 48-слойных чипов, то их выпуск компания запланировала на 2016 год.

На этом рынке фирма пытается догнать Samsung, которая начала массовое производство 20 нм ОЗУ ещё в марте 2014 года, а первая серийная 48-слойная микросхема NAND была выпущена в августе этого года.

SK Hynix 20 Nano-class 8GB LPDDR3

SK Hynix также объявила о своих планах по разработке флеш-продуктов на базе 3D NAND. Президент фирмы Парк Сун-вук заявил: «Это процесс становления новой технологии. Мы планируем произвести некоторое количество 36-слойных 3D NAND чипов поэтапно в этом году и массово выпускать 48-слойные продукты в начале следующего года».

Он также отметил, что «новая память будет хороша, но мы больше фокусируемся на расширении достижений нынешних DRAM и NAND продуктов. Вместо выпуска новой памяти на рынок, мы пытаемся найти способ сделать лучшими существующие чипы памяти».

HP и SanDisk разрабатывают новый тип памяти

Компания Hewlett Packard совместно с SanDisk занялась разработкой новой технологии памяти для накопителей, которая объединяет в себе преимущества мемристоров и ReRAM.

HP работает над мемристорами уже много лет. В 2010 году она вела работы с Hynix и создала новый класс вычислительных машин под названием The Machine, построенных на новых элементах. В то же время SanDisk работает над производством продуктов на основе ReRAM, и ключом к реализации её устройств может быть мемристор, изобретённый HP.

Обе компании объединили усилия в долгосрочном партнёрстве, чтобы быть представленными в самом начале зарождающегося рынка памяти накопительного класса (Storage Class Memory — SCM).

Интегральная схема на мемристорах

Мартин Финк, главный технолог HP, выразил своё восхищение началом совместной работы, поскольку убеждён, что SanDisk имеет глубокое понимание значения данного вызова, и, что более важно, разделяет видение решений, лежащих в основе вычислений на базе памяти.

До коммерческого выпуска продуктов большой ёмкости на базе ReRAM придётся ждать ещё несколько лет, поэтому компании заключили также соглашение о совместной разработке твердотельных накопителей для центров обработки данных, построенных на базе нынешней технологии памяти NAND.

Intel продемонстрировала новую память 3D Xpoint

На прошлой неделе мы писали о том, что компания Intel готовится к презентации твердотельного накопителя, основанного на памяти нового типа под названием 3D Xpoint, которая может заменить память NAND уже в следующем году.

В Intel назвали новый накопитель Optane SSD. Сообщается, что он будет доступен в форм факторах M.2/NGFF, SATA-Express, либо в виде платы PCI-Express.

На конференции IDF фирма представила первый инженерный образец накопителя, и выяснилось, что он в 5,5 раз быстрее, чем основанный на NAND SSD серии P3700, и это ещё сырая разработка!

Сравнение производительности NAND и 3D Xpoint

Новый накопитель также поддерживает и протокол связи NVMe. По сравнению с AHCI, у которого глубина очереди команд составляет 32, в протоколе NVMe очередь может достигать 65 536 команд.

Как известно, 3D Xpoint разработана совместно с Micron, таким образом, в будущем году нам стоит ожидать новую технологию не только в SSD под брендом Intel, но и под брендом Crucial.

Toshiba представила первую 16-ядерную стековую NAND память с технологией TSV

Компания Toshiba объявила о создании первой в мире флеш-памяти NAND, которая состоит из 16 «штабелированных» ядер NAND с использованием технологии TSV. Данный метод, который также использовался в линейке ускорителей AMD Fury, позволяет увеличить производительность при снижении энергопотребления.

Разработанный прототип новой микросхемы памяти компания представила на конференции Flash Memory Summit 2015.

16-слойная NAND TSV память

При традиционной конструкции стековой флеш-памяти, слои связаны между собой на торцах пакета. Технология Through Silicon Via (TSV) использует вертикальные электроды и связи для прохождения сквозь ядра памяти для их объединения. Всё это позволяет увеличить скорость передачи данных и снижает энергопотребление.

Технология TSV от Toshiba позволяет достичь скорости передачи данных на уровне 1 Гб/с при меньшем напряжении питания чем прочие типы NAND: 1,8 В для цепей ядра, 1,2 В для цепей ввода-вывода. Также на 50% снижается энергопотребление при операциях чтения, записи и передачи данных.

Toshiba и SanDisk представили 48-слойную 256 Гб память NAND

Компании Toshiba и SanDisk представили новое поколение BiCS FLASH — трёхмерной стековой структуры ячеек флэш-памяти. Представленные микросхемы являются первыми в мире чипами объёмом 256 Гб (32 ГБ), которые состоят из 48 слоёв BiCS, каждая ячейка которого может хранить 3 бита (TLC).

Память такого типа позволяет увеличить объём, по сравнению с двумерными чипами NAND, при этом увеличив долговечность памяти при операциях чтения/записи, а также увеличив скорость работы. Представленные 256-битные устройства предназначаются для применения в различных областях, включая потребительские SSD, смартфоны, планшетные компьютеры и карты памяти, а также SSD для центров обработки данных.

48-слойная TLC NAND память от SanDisk и Toshiba

48-слойная TLC NAND память от SanDisk и Toshiba

Сейчас компании уже начинают опытное производство новых 48-слойных 3D NAND микросхем.

Intel анонсирует прорыв в области энергонезависимой памяти

Компания Intel в партнёрстве с Micron анонсировала прорыв в технологии памяти, которая изменит подход к хранению данных. Технология получила название 3D XPoint (читается CrossPoint).

Компании считают данный прорыв крупнейшим с момента разработки NAND Flash, которая впервые была представлена в 1989 году. Новая технология предлагает энергонезависимую память совершенно нового класса. Так, память 3D XPoint будет в 1000 раз быстрее, чем обычная NAND и будет обладать в 1000 раз большей надёжностью. И это ещё не всё, ведь новая память будет в 10 раз плотнее нынешних образцов.

Xpoint может вмещать 128 Гб на одном чипе

Всё это означает, что новая память позволит заметно ускорить работу современных компьютеров даже без изменения производительности процессоров. Сейчас один из крупнейших барьеров производительности заключён во времени, необходимом для передачи данных от CPU к накопителю, однако в 3D XPoint это время резко сокращено. По словам Intel, это позволит использовать PC в совершенно новых областях, к примеру, новая память даст врачам возможность изучать распространение болезни в реальном времени, а ЦОД смогут записывать и считывать информацию заметно быстрее.

Структура памяти 3D XPoint

Наши коллеги из Neowin пообщались с представителями Intel и выяснили, что фирма уже начала изготавливать память 3D XPoint и готовится передать её избранным партнёрам, а уже в следующем году появятся новые продукты на основе памяти 3D XPoint.

SanDisk выпускает беспроводную флешку

Сейчас использование USB флеш-накопителей является стандартом для переноса информации между компьютерами. Однако беспроводные технологии развиваются всё быстрее, чем и воспользовалась компания SanDisk в своей новой разработке.

Представленный накопитель можно использовать как традиционную флешку, подключая её в USB разъём, а можно передавать на неё данные посредством WiFi. Но поскольку беспроводная работа требует наличия независимого источника энергии, то в большинстве случаев вам всё равно придётся держать флешку подключённой к компьютеру.

SanDisk Connect Wireless Stick

В целом накопитель заслуживает похвалы. Он позволяет связать два мира — мобильный и проводной, обмениваясь данными одновременно по двум стандартам. Более того, по словам разработчиков, накопитель может передавать по WiFi фильм одновременно на 3 устройства, правда при этом не уточняется срок автономной работы такой связки. Что касается объёма, то он также примечателен и может достигать 128 ГБ.

Если же вы считаете, что подобный накопитель будет стоить очень дорого, то вы правы. Устройство Connect Wireless Stick модели объёмом 128 ГБ будет продаваться по 100 долларов США. При этом интерфейс USB ограничен версией 2.0, что довольно странно для 2015 года.