Новости про flash-память

Цены на NAND память снизятся

В четвёртом квартале 2013 года цены на память NAND снизятся, несмотря на имеющийся спад общемировых поставок.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

WD изготовит гибридные винчестеры с памятью DDR3?

Сайт Tech ARP сообщает, что по информации знакомых работников компании Western Digital, она ищет способы реализации трёх весьма интересных решений, которые включают гибридные накопители с памятью DDR3, встроенный антивирус и договор с компаниями по восстановлению данных.

Конечно, все эти сведения лишь слухи, но они довольно интересны. Итак, первый слух сообщает, что WD хочет в своих гибридных винчестерах использовать RAM, вместо флэш-памяти. Скорее всего, это будет память DDR3 SDRAM, возможно LP-DDR3 с функцией записи данных с питанием от конденсаторной батареи.

Подобная конструкция гибрида несомненно резко увеличит скорость работы HDD, поскольку ОЗУ намного быстрее твердотельной памяти. Безусловно, скорость работы будет ограничена интерфейсом, который сейчас составляет для SATA 6 Гб/с теоретическим пределом 600 МБ/с, либо 1600 МБ/с в интерфейсе SATA 16 Гб/с, когда он всё же будет запущен.

Также скорость работы диска будет завесеть и от объёма используемой ОЗУ. Чем больше объём памяти — тем быстрее будет работать гибрид, но в то же время тем выше будет его цена и тем дольше будет осуществляться резервное копирование данных после отключения питания, а значит, потребуются батареи большей ёмкости.

Вторая идея, посетившая инженеров WD, это использование встроенного антивируса. Так, по слухам, будущие портативные жёсткие диски могут поставляться с интегрированным антивирусным ПО. Это может быть аппаратный сканер, использующий эвристический анализ, или программное решение, устанавливаемое при первом использовании диска.

Третье решение касается гарантии производителя на восстановление данных. Безусловно, что одной из важнейших проблем при выходе из строя накопителя является потеря данных, на нём содержащихся, и если для рядовых пользователей это не сильно большая проблема, то для бизнеса такая потеря может оказаться фатальной. Поэтому Western Digital может заключить договор с одной или несколькими компаниями, занимающимися восстановлением данных. В результате, купив гарантию на восстановление данных, потребители смогут рассчитывать на бесплатное восстановление информации с вышедших из строя винчестеров в течение гарантийного периода. Конечно, компании будут уверять, что шанс поломки винчестера крайне мал, так что для фирм, занимающихся восстановлением, это вряд ли станет хорошим бизнесом.

Что ж, можно подытожив и сказать, что Western Digital предлагает довольно интересные решения, но как всегда не стоит забывать о том, что это всего лишь слухи.

Превратите карты MicroSD в твердотельный накопитель

Конечно, редко можно встретить человека, у которого есть коробка лишних высокоскоростных карт MicroSD, но если вы такой счастливчик, то сайту GeekStuff4U.com есть что вам предложить.

Ресурс GeekStuff4U начал продавать конвертер для MicroSD, превращающий карты памяти в SSD-накопитель благодаря объединению до 4 карт MicroSD в RAID-массив.

Продаваемый набор предназначен для того, чтобы взять все ваши карты памяти формата MicroSD и установить их в конвертер размером с типичный накопитель шириной 2,5”. Каждая из карт памяти может иметь объём до 32 ГБ, что в сумме даёт SSD ёмкостью до 128 ГБ. Нет сомнений, что для объёдинения карт памяти конвертер использует RAID-контроллер. К сожалению, о возможных скоростях работы такого твердотельного накопителя достоверно ничего неизвестно, но можно сослаться на сайт продавца, который уверяет, что собранный таким образом SSD может поднять оценку накопителя в тесте Windows Experience Index Score до 3,6. Конечно же, более быстрые карты дадут лучший результат производительности.

Набор создания SSD на основе MicroSD продаётся в рознице по 80 долларов США, а значит, его нельзя назвать самым дешёвым способом приобретения твердотельного накопителя объёмом даже в 128 ГБ. В любом случае, это довольно оригинальное решение, и на наш взгляд оно заслуживает внимания. Возможно в будущем, с увеличением числа поддерживаемых карт памяти и их объёма, создание подобных систем и станет популярным бюджетным решением.

SanDisk выпускает первую в мире карту CFast 2.0

Компания SanDisk Corporation, мировой лидер в производстве решений на базе флэш памяти, анонсировала карту памяти Extreme Pro CFast 2.0, предназначенную для профессионального применения в телевидении, кинематографе и профессиональной фотографии следующего поколения.

Новая карта памяти является самой быстрой картой памяти в мире. Скорость чтения с неё составляет 450 МБ/с, что должно обеспечить максимальную эффективность обработки данных. Скорость записи же несколько ниже и равна 350 МБ/с, что, в свою очередь, способствует максимально быстрому сохранению видео.  С новыми картами памяти профессиональные операторы могут передавать данные быстрее, чем когда бы то ни было. К примеру, в обычной ситуации файл размером в 100 ГБ передаётся в течение 20 минут с карты CompactFlash на скорости 90 МБ/с. Теперь же, при использовании SanDisk Extreme Pro CFast 2.0, передача такого файла займёт всего 4 минуты.

«С SanDisk Extreme Pro CFast 2.0 мы создаём следующее поколение форматов карт памяти, которые отвечают требованиям профессиональных кинематографистов высочайшего уровня», —заявил Динеш Бахал, вице-президент SanDisk по маркетингу продуктов. «Эти карты сделают доступными новые цифровые решения для профессиональных создателей фильмов, которые ищут возможностей использования таких технологий, как высококачественное 4K видео, и это очередной пример инноваций SanDisk, а также лидерства в области хранилищ флэш-карт памяти».

Представленная карта памяти, как следует из её названия, основана на спецификации CFast 2.0, которая разработана при содействии CompactFlash Association. Первыми компаниями, принявшими этот стандарт стали SanDisk, Canon, ARRI и Codex.

Карта памяти SanDisk Extreme Pro CFast 2.0 уже доступна в США и Европе в специализированных фотомагазинах в версиях объёмом 60 ГБ и 120 ГБ. О цене производитель предпочёл умолчать.

Toshiba выпускает USB-флеш высокой ёмкости

Компания Toshiba Electronics Europe выпустила новую линейку накопителей на флеш-памяти, подключаемых по высокоскоростному стандарту USB 3.0. Модельный ряд TransMemory-EX II получил, по сравнению с прошлым поколением, увеличенные скорости чтения и записи.

Используя DDRNAND память от Toshiba, новые продукты способны обеспечить чтение или запись blu-ray диска объёмом 25 ГБ всего за 5 минут, что в 22 раза быстрее, чем в моделях, подключаемых по USB 2.0. По заявлению производителя, реальная скорость чтения с накопителя может достигать 222 МБ/с! При этом максимальная скорость записи ненамного меньше и равна 205 МБ/с, а это вдвое больше, чем у предыдущего поколения TransMemory-EXTM. Как и следует ожидать, новые флешки Toshiba полностью совместимы с предыдущими поколениями интерфейсов USB, включая 2.0 и 1.1. Представленные флешки выпускаются в трёх вариантах: с ёмкостью 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ.

Новые накопители поддерживают специальное программное обеспечение, которое позволяет защищать паролем определённые блоки данных, таким образом ограждая их от нежелательного доступа.

Компания Toshiba пообещала и впредь совершенствовать свои накопители, увеличивая ёмкость и скорость работы. Компания продолжит продвигать инновации, расширяя горизонты рынка NAND флеш, и сохранять лидерство на этом рынке.

LSI продемонстрировала SSD контроллер нового поколения

По информации X-bit Labs, компания LSI, в ходе конференции Flash Memory Summit 2013, продемонстрировала новую версию своего решения для твердотельных накопителей.

Фирма представила возможности нового поколения контроллеров SandForce. А также усовершенствования в серии SandForce SF2000, которая теперь поддерживает модернизированную 19 нм NAND память от Toshiba (A19nm), позволяя производителям SSD изготавливать более доступные накопители.

Кроме этого компания также продемонстрировала технологию SHIELD, представляющую собой метод корректирования ошибок, разработанный для обеспечения надёжности и целостности данных на SSD промышленного класса даже при использовании менее дорогой флэш-памяти, которая типично имеет большие уровни ошибок. Данная технология является уникальной реализацией кода с малой плотностью проверок на чётность (LDPC) и цифровой обработки сигналов (DSP), которые будут доступны в следующем поколении контроллеров SandForce. SHIELD объединяет алгоритмы декодирования с мягким и жёстким решениями с DSP, для обеспечения создания решения для всеобъемлющей коррекции ошибок (ECC) оптимизированного для флэш-памяти.

Продемонстрированная на саммите технология SHEILD показала преимущества в коррекции ошибок по сравнению со стандартными методами, основанными на LDPC и коде Боуза—Чоудхури—Хоквингхема, посредством сравнения между тремя технологиями, основанными на различных исходных битовых коэффициентах ошибок флэш-памяти.

Samsung начал выпуск первой 3D вертикальной NAND памяти

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство усовершенствованной версии NAND флэш-памяти, известной как 3D Vertical NAND (V-NAND), которая должна помочь обойти ограничения масштабирования, установленные традиционной NAND памятью.

Южнокорейский гигант исправил свою архитектуру Charge Trap Flash для использования слоёв в трёх измерениях, которые могут быть собраны друг над другом для создания больших по плотности хранилищ.

С V-NAND, компания Samsung, как она утверждает, не только достигла от двух до десяти кратного повышения надёжности, по сравнению с традиционной NAND, но и два раза увеличила скорость записи по сравнению с NAND памятью 10 нм класса с плавающими транзисторами. Первые версии чипов, изготовленных по этой технологии, будут иметь объём 16 ГБ, а с учётом возможности Samsung собирать по 24 слоя, общий объём одной микросхемы составит 128 ГБ.

И хотя данное достижение впечатляет, оно ничто, по сравнению с недавним анонсом компании Crossbar, представившую резистивную память (RRAM), которая позволяет хранить до 1 ТБ данных на чипе размером с почтовую марку. При этом такие микросхемы заметно быстрее, более энергоэффективны и, теоретически, более надёжны, чем V–NAND от Samsung.  Правда, V-NAND даже после 10 лет разработки по-прежнему не готова к массовому производству. В то же время, 3D микросхемы Samsung уже находятся в массовом производстве, а значит, мы увидим продукцию с этой памятью на полках магазинов уже в ближайшее время.

Samsung разрабатывает самую быструю встраиваемую память

Эволюция мобильных чипов памяти идёт всё быстрее, ну если Samsung можно считать показателем прогресса.

Ещё не прошло и восьми месяцев с момента анонса компанией скоростных чипов eMMC 4.5, как появилась новая версия NAND от южнокорейского гиганта. На самом деле Samsung объявила о начале массового производства того, что фирма называет самой быстрой в мире памятью для встраиваемых решений. Новые чипы eMMC PRO основаны на 64 ГБ микросхемах NAND флэш-памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса, и это первые микросхемы, поддерживающие стандарт eMMC 5.0. Напомним, что всего 3 недели назад о начале производства чипов 10 нм класса объявила компания Micron, которая изготовила микросхемы NAND по 16 нм техпроцессу.

Новые чипы доступны в вариантах с объёмом 16, 32 и 64 ГБ. Случайная скорость чтения из этих микросхем составляет 7000 операций ввода-вывода в секунду, а скорость последовательного чтения и записи равна 250 МБ/с и 90 МБ/с соответственно. Такие скорости окажутся невероятно полезными для обеспечения многозадачности в мобильных устройствах. А учитывая готовящийся к выпуску процессор Exynos 5 Octa 5420 от Samsung, такая память позволит компании в полной мере реализовать его возможности и создать мобильные гаджеты с невероятной производительностью.

Micron представила 16 нм технологию производства флэш-памяти

Компания Micron Technology анонсировала начало опытного производства чипов NAND памяти по техпроцессу нового поколения с размером элементов 16 нм, обеспечив, таким образом, выпуск самых маленьких устройств с MLC NAND памятью объёмом 128 Гб.

В настоящее время 16 нм техпроцесс является не просто самым совершенным при производстве чипов памяти, но и самым тонким процессом производства микросхем вообще. Таким образом, Micron ещё более утвердилась на позиции лидера в производстве чипов.

Представленные 128 гигабитные устройства предназначены для применения в потребительских SSD, переносных накопителях (USB флэшки и карты памяти), планшетных ПК, ультратонких устройствах, мобильных телефонах и облачных хранилищах в ЦОД. Новая 128 Гб NAND память может предложить самую высокую плотность данных на квадратный миллиметр при самой низкой стоимости по сравнению с любыми MLC чипами. Фактически, новая технология позволяет создавать ёмкости почти в 6 ТБ на одной кремниевой пластине.

По поводу выпуска новой технологии вице-президент Micron NAND Solutions Group Глен Хок, вслед за словами благодарности своей «команде инженеров, которая безустанно трудилась над самой маленькой и самой совершенной в мире технологией производства флэш», заявил: «Снижение стоимости всегда будет фундаментальным процессом для NAND индустрии». Так что новая технология действительно позволит понизить цену на флэш-накопители.

Сейчас компания Micron изготавливает 16 нм образцы 128 Гб MLC NAND, при этом полноценное производство начнётся в четвёртом квартале этого года. Кроме памяти компания также разрабатывает SSD накопители на базе новых микросхем, которые должны поступить в продажу в 2014 году.

Super Talent обновила флэш накопитель Pico

В настоящее время есть масса людей разочаровавшихся в накопителях Pico, поскольку компания их выпускающая, Super Talent, не хотела подготовить обновлённые версии продукта.

Конечно, если речь идёт о небольших объёмах, то использование USB 2.0 является допустимым, но ведь накопители Pico вышли в объёмах 16 ГБ, 32 ГБ и даже 64 ГБ, несмотря на малый размер.

Но, к всеобщему счастью, разработчики всё-таки решились обновить модельный ряд своих малогабаритных устройств, обеспечив поддержку USB 3.0, что означает рост теоретической скорости передачи данных с 480 Мб/с до 4,8 Гб/с. Надо отметить, что это весьма неплохой результат для флэшки, которая легко может стать брелком, или носиться на шнурке телефона или где-либо ещё. Она настолько мала, что многие её могут просто не заметить.

Такой размер всегда идёт на пользу, ведь накопитель можно всегда с лёгкостью носить за собой и использовать его в любой момент, когда это потребуется. К сожалению, о реальных скоростных характеристика производитель ничего не сообщил.