Новости про flash-память и технологии

WD изготовит гибридные винчестеры с памятью DDR3?

Сайт Tech ARP сообщает, что по информации знакомых работников компании Western Digital, она ищет способы реализации трёх весьма интересных решений, которые включают гибридные накопители с памятью DDR3, встроенный антивирус и договор с компаниями по восстановлению данных.

Конечно, все эти сведения лишь слухи, но они довольно интересны. Итак, первый слух сообщает, что WD хочет в своих гибридных винчестерах использовать RAM, вместо флэш-памяти. Скорее всего, это будет память DDR3 SDRAM, возможно LP-DDR3 с функцией записи данных с питанием от конденсаторной батареи.

Подобная конструкция гибрида несомненно резко увеличит скорость работы HDD, поскольку ОЗУ намного быстрее твердотельной памяти. Безусловно, скорость работы будет ограничена интерфейсом, который сейчас составляет для SATA 6 Гб/с теоретическим пределом 600 МБ/с, либо 1600 МБ/с в интерфейсе SATA 16 Гб/с, когда он всё же будет запущен.

Также скорость работы диска будет завесеть и от объёма используемой ОЗУ. Чем больше объём памяти — тем быстрее будет работать гибрид, но в то же время тем выше будет его цена и тем дольше будет осуществляться резервное копирование данных после отключения питания, а значит, потребуются батареи большей ёмкости.

Western Digital

Вторая идея, посетившая инженеров WD, это использование встроенного антивируса. Так, по слухам, будущие портативные жёсткие диски могут поставляться с интегрированным антивирусным ПО. Это может быть аппаратный сканер, использующий эвристический анализ, или программное решение, устанавливаемое при первом использовании диска.

Третье решение касается гарантии производителя на восстановление данных. Безусловно, что одной из важнейших проблем при выходе из строя накопителя является потеря данных, на нём содержащихся, и если для рядовых пользователей это не сильно большая проблема, то для бизнеса такая потеря может оказаться фатальной. Поэтому Western Digital может заключить договор с одной или несколькими компаниями, занимающимися восстановлением данных. В результате, купив гарантию на восстановление данных, потребители смогут рассчитывать на бесплатное восстановление информации с вышедших из строя винчестеров в течение гарантийного периода. Конечно, компании будут уверять, что шанс поломки винчестера крайне мал, так что для фирм, занимающихся восстановлением, это вряд ли станет хорошим бизнесом.

Что ж, можно подытожив и сказать, что Western Digital предлагает довольно интересные решения, но как всегда не стоит забывать о том, что это всего лишь слухи.

Intel показала прототип флэш-накопителя для Thunderbolt

Нет сомнения, что главным доходом Intel являются их центральные процессоры, однако это вовсе не означает, что Haswell стала единственной вещью, которую компания привезла на Computex.

Одной из интересных вещей фирмы стал прототип флэш-накопителя с интерфейсом подключения Thunderbolt, который, по словам Intel, является самой быстрой технологией передачи данных между компьютером и периферией.

По большому счёту представленный 128 ГБ накопитель выглядит как обычная USB флэшка. На самом деле внутри неё установлен простой SSD от SanDisk, однако само устройство подключается к ПК посредством стандартного порта Thunderbolt. При этом в отличие от большинства периферии накопитель не требует использования дорого интерфейсного кабеля.

Thunderbolt флэшка Intel

Современная версия технологии Thunderbolt обеспечивает скорость передачи данных в 10 Гб/с, что в два раза выше, чем у USB 3.0. Несмотря на такое технологическое преимущество лишь небольшая часть ПК оснащена портами Thunderbolt, да и рынок не пестрит устройствами, подключаемыми по данному интерфейсу. В их число входит лишь небольшая часть мониторов и внешних накопителей.

Сейчас же прототип готов и продемонстрирован. Инженер Thunderbolt Орен Хабер сообщил, что существует некоторый интерес производителей в выпуске подобных устройств, поскольку они обладают крайне высокой скоростью передачи данных, но при этом он так и не сказал, будет ли подобный гаджет когда-либо выпущен на рынок.

Innodisk готовит флеш-память с большой долговечностью

Компания Innodisk работает над новой твердотельной памятью iSLC NAND, которая должна значительно увеличить долговечность чипов памяти.

Современная MLC NAND память может выдержать от 3 до 5 тысяч циклов перезаписи. По уверениям Innodisk, новые чипы смогут выдержать порядка 30 000 циклов перезаписи. При этом разработчики обещают, что производительность памяти iSLC будет сопоставима с SLC при заметно меньшей стоимости. Выпуск первых микросхем по технологии iSLC должен произойти уже в этом квартале.

Требования к долговечности памяти разных типов

Сама технология предусматривает программирование двух бит на ячейку MLC в один бит на ячейку, что увеличивает разницу чувствительности между слоями. На практике это означает производительность идентичную решениям на базе SLC памяти. В среднем, долговечность iSLC даже превысит показатель в 30 тысяч циклов, многократно увеличив срок службы накопителей, по сравнению с MLC технологией. Кроме того, при подключении по интерфейсу Serial ATA II скорость записи памяти iSLC будет на 70% выше, чем у MLC накопителей.

Фирма Innodisk разрабатывает iSLC для максимально близкой производительности по сравнению с SLC, при максимальном приближении по стоимости к MLC. Сама технология направлена для обеспечения работы в нетребовательных к производительности устройствах, таких как POS-терминалы и интерактивные информационные стенды, при обеспечении высокой ёмкости с сохранением минимальной стоимости.

Viking представили комбинацию DRAM и флэш-памяти

Вчера компания Viking Technology представила свою новую разработку — модули памяти ArxCis-NVTM, которые, по утверждениям разработчиков, могут автоматически определять прерывания ввода-вывода и производить резервное копирование данных на твердотельную NAND память в случае аварийной ситуации.

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модуль памяти ArxCis-NVTM

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Медленно, но уверенно флеш память продолжает становиться все более плотной и более ёмкой.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.