Новости про flash-память и стандарты

Карты памяти microSD Express будут использовать интерфейсы NVMe 1.3 и PCIe 3.1. Технология будет задействовать второй ряд контактов на карте памяти. Таким образом, карты памяти, отвечающие стандарту, в новых устройствах будут работать быстрее, но сохранится и обратная совместимость с нынешней технологией microSD.

Шина PCIe 3.1 обеспечивает низкоэнергетические подсостояния, благодаря чему карта не только работает быстрее, но и потребляет меньше энергии, чем современные решения. Также новая технология обеспечит связь карты памяти с другими компонентами системы минуя процессор, что снизит нагрузку, энергопотребление и нагрев. В результате мы будем иметь очень быстрые и ёмкие карты памяти, которые обеспечат запись видео в формате RAW.

Несмотря на все преимущества, перспективы развития нового формата весьма туманны. Традиционно, производители не спешат что-то менять в области накопителей. К примеру, сейчас почти во всех смартфонах используется формат microSD UHS-II, выпущенный ещё в 2011 году.

Такие не теряющие данные двухлинейные модули памяти NVDIMM (non-volatile dual in-line memory module) будут использованы для сверхвысокопроизводительных накопителей, а также для сверхбезопасных решений ОЗУ.

Первый тип таких модулей называется NVDIMM-N. В нём объединена память DRAM и NAND типов для обеспечения создания резервных копий и последующего восстановления всей ОЗУ, что значительно повышает надёжность работы в случае внезапного прекращения питания. Второй тип получил название NVDIMM-F. В нём применяется прямая адресация к NAND флеш, которая адресуется как блочно-ориентированный накопитель. Память NVDIMM-F сможет предложить сверхвысокопроизводительные твердотельные накопители для использования в качестве кэша записи, хранения метаданных и т.п.

Оба типа памяти будут использовать форм-фактор с 288 контактами, т. е. будут соответствовать стандартным модулям DDR4, и смогут устанавливаться в двухлинейные слоты стандартных промышленных серверов и платформ накопителей. Они будут распознаваться контроллерами как стандартная DDR4 SDRAM. Канал памяти же будет разделяться между DRAM и NAND чипами.

Первое коммерческое решение, соответствующее спецификации JEDEC NVDIMM ожидается к появлению в конце 2015 или начале 2016 года.