Новости про flash-память, накопители и смартфон

Новые модули памяти Western Digital iNAND MC EU551 предназначены для обеспечения высочайшей производительности в потребительских устройствах хай-энд класса, таких как камеры сверхвысокого разрешения, устройствах AR/VR, играх и видео 8K.

Накопитель iNAND MC EU551 стал первым продуктом, построенным на платформе UFS 3.1, обеспечив более быструю память NAND и более быстрый контроллер, улучшенную версию прошивки, что в итоге позволяет:

• на 100% увеличить производительность при случайном чтении и до 40% при случайной записи;
• на 90% увеличить скорость последовательной записи, чтобы раскрыть потенциал сетей 5G и Wi-Fi 6;
• на 30% увеличить производительность в последовательном чтении, что ускорит загрузку устройства и увеличит скорость выгрузки данных в Сеть.

Встраиваемый накопитель Western Digital iNAND MC EU551 UFS 3.1 сейчас проходит опытное производство, а массовое производство начнётся уже в июле. Представленные накопители предлагаются в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.

Выпустив новый накопитель, компания стала одним из первых производителей памяти, предлагающих накопители USF 3.1 для коммерческих целей. Данные устройства построены на 96-слойной памяти NAND и связаны по интерфейсу UFS.

Модули iNAND EU521 предлагают производителям полный набор функций интерфейса UFS 3.1, включая высокую скорость интерфейса и кэширование SLC-NAND. Благодаря скорости последовательной записи в 800 МБ/с, устройства iNAND обеспечат высокоскоростную работу с мобильными гаджетами, позволяя быстро загружать видео разрешением 8K из облачного хранилища, и улучшат производительность мобильных игр.

Устройства iNAND EU521 будут доступны в объёмах 128 ГБ и 256 ГБ после официального выпуска в марте 2020 года.

Эти чипы нашли себе место в Galaxy Note 9, а сам телефон был назван первым «готовым к терабайту» мобильным устройством, имея ввиду возможность установки карты microSD такого же размера и объёма.

Однако уже в ближайшем будущем мы можем увидеть мобильные устройства со встроенным терабайтом памяти. Южнокорейский гигант Samsung объявил о разработке чипа формата UFS объёмом 1 ТБ. В нём «объединяются 16 слоёв наиболее совершенной 512-гигабитной стековой V-NAND памяти Samsung и свежеразработанный проприетарный контроллер». Новая микросхема демонстрирует не только лучшую ёмкость, но и высокую скорость. Так, в Samsung обещают скорость последовательного чтения на уровне до 1000 МБ/с и до 260 МБ/с при записи.

Появится ли эта микросхема в топовых смартфонах Samsung этого года — вопрос открытый. Но учитывая важность конкурентной борьбы и прошлый опыт, этого можно ожидать.

Вам нужно быстро переписать данные с ПК на телефон или планшет, а может нужно подключить флэшку к устройству Android, но у вас нет подходящих переходников? Тогда вам пригодится новая флэшка от Sanwa Direct, которая поддерживает два способа подключения, без необходимости в дополнительных переходниках.

С одной стороны накопители серии 600-GUSD имеют традиционный USB коннектор, а с другой могут подключаться в разъём microUSB, так что одно устройство можно легко подключать к двум типам разъёмов. Кроме того, над полноразмерным USB штекером устройства расположен порт для карт памяти microSD, благодаря чему можно с лёгкостью и большой скоростью переписать данные с одного мобильного устройства на другое.

Однако, не смотря на то, что флэшку можно подключить к любому устройству на базе Android, оно не имеет стопроцентной совместимости. Лишь только те гаджеты, в которых есть поддержка универсальных USB накопителей (Honeycomb и выше), смогут распознать память 600-GUSD.

Разработчик готовится выпустить на японский рынок две версии таких накопителей. Флэшка объёмом 4 ГБ будет стоить порядка 24 долларов США, а за 8 ГБ придётся отдать 30 долларов. О том, когда накопители выйдут на мировой рынок, и выйдут ли вообще, ничего не сообщается.