Новости про DDR4 и RAM

SMART Modular представляет гибрид ОЗУ и SSD

Одной из самых больших проблем оперативной памяти является её энергозависимость. В результате, при потере питания, данные, хранящиеся в памяти, безвозвратно исчезают, что может привести к потере важной информации. В SMART Modular озадачились этой проблемой.

Конечно, они не изобрели новый тип памяти, поэтому разработчики пошли на хитрость, добавив к модулям памяти DDR4 чипы NAND памяти, что позволяет надёжно хранить данные в течение большого промежутка времени.

Используя схему с высокой пропускной способностью, чипы NAND обеспечивают резервное копирование ОЗУ, при необходимости восстанавливая сохранённые данные. Безусловно, NAND память намного медленнее DDR4, поэтому для надёжного создания резервных копий в модулях памяти предусмотрены временные источники питания, которые необходимы для питания системы при отключении энергии. Также разработчики предусмотрели систему коррекции ошибок, которая крайне необходима в операциях резервного копирования и восстановления.

Что касается RAM, то производитель использовал чипы спецификации DDR4 JEDEC частотой 2133 МГц. Напряжение питания такой памяти равно 1,2 В.

О том, по какой цене будут продаваться эти модули, и с каким объёмом ОЗУ, пока не сообщается.

Samsung разработала первые модули памяти DDR-4

Следующее поколение оперативной памяти уже проходит тестирование.

Samsung Semiconductor объявило о завершении разработки модулей памяти стандарта DDR4 и начале опытного производства соответствующих микросхем памяти по 30 нм технологическому процессу. Разработка памяти стандарта DDR4 началась еще в 2008 года, а появление на рынке ожидается лишь в 2012 году, но уже сейчас компания начала предоставлять модули ёмкостью 2 Гб разработчикам контроллеров для тестирования. Модули DDR4 предоставят скорость обмена 2,133 Гбит/с (эффективная полоса пропускания 17,064 Гб/с на модуль) при напряжении питания 1,2 В, с перспективой достижения в будущем скоростей обмена до 3,2 Гбит/с. Представленные на изображении модули имеют маркировку PC4-14300E, что означает эффективную полосу пропускания в 14,3 Гб/с, и, судя по числу микросхем и индексу E, поддерживают ECC и предназначены для серверов.

Главным преимуществом новой памяти в Samsung считают снижение энергопотребления в сравнении с текущими модулями DDR-3. В ноутбуках компания ожидает уменьшения вклада оперативной памяти в разрядку батарей на 40 %, как благодаря общему снижению напряжения, так и благодаря применению технологии терминации линий шины Pseudo Open Drain, уже хорошо зарекомендовавшей себя в памяти GDDR для графических применений.

Стандартизация DDR4 в консорциуме JEDEC должна произойти во второй половине этого года, так что к концу года память DDR4 уже может выйти на серверный рынок.