7994420702;horizontal

Новости про DDR4

Samsung начала промышленное производство 20 нм памяти DDR4 #

3 сентября 2013

Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Модуль памяти Samsung DDR4

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

20 нм, DDR4, Samsung, оперативная память, производство, сервер

«Inquirer»

Haswell-E — 8 ядер, DDR4 #

18 июня 2013

В будущем году компания Intel планирует выпуск своих первых бытовых 8-и ядерных процессоров для энтузиастов, под традиционным названием Haswell-E.

С новой платформой Intel откажется от четырёхъядерных чипов и остановится на 6-и и 8-и ядерных решениях с кэшем L3 вплоть до 20 МБ. Ну и, конечно же, стоит помнить, что технология Hyper Threading позволит использовать 16 логических ядер в каждом таком CPU. Процессоры будут построены по второму поколению 22 нм техпроцесса, что обеспечит их тепловыделение на уровне 130—140 Вт.

Haswell-E

Вместе с новым процессором компания также представит и новый чипсет с кодовым именем Wellsburg, главной особенностью которого станет поддержка четырёхканальной памяти DDR4 частотой 2133 МГц. Кроме того чипсет, который получит имя X99, будет иметь: 6 портов USB 3.0, 8 портов USB 2.0, до 10 портов SATA 6 Гб/с и TDP в 6,5 Вт. Стоит также отметить, что четырёхканальная конфигурация памяти DDR4 позволит на 50% повысить её пропускную способность, по сравнению со старыми трёхканальными версиями.

Haswell-E

Новый процессор получит и новый сокет — LGA 2011-3. Он будет иметь то же количество контактов, что и нынешняя версия сокета, однако они будут иметь другое расположение. Новая конструкция станет более эффективной и позволит Intel улучшить поддержку сокетов.

Чипсет Wellsburg

Что же, восьмиядерные процессоры с четырёхканальной памятью DDR4 наверняка установят новую планку в производительности, практически недостижимую для AMD, даже с её новым 5 ГГц процессором.

DDR4

CPU, DDR4, Haswell-E, Intel, процессоры

«VR-Zone»

Intel рассказала о планах по выпуску новых платформ #

29 апреля 2013

Компания Intel продемонстрировала слайд своей дорожной карты, в котором раскрыла планы по выпуску трёх новых платформ.

Итак, компания готовится выпустить платформы Haswell Refresh (известной как Broadwell) в середине 2014 года, Haswell-E (Lituya Bay) в конце 2014 года и 14 нм процессоры Skylake, во втором квартале 2015 года. Ожидается, что платформы Haswell-E и Skylake будут поддерживать память DDR4. Скорее всего, версия Haswell для энтузиастов будет устанавливаться в традиционный сокет LGA2011, а вот Skylake перейдёт на новый разъём.

Дорожная карта Intel

Также было объявлено, что процессоры Broadwell будут поддерживать интерфейс SATA 3.2 и SATA Express. Для этого поколения CPU компания выпустит чипсеты Z97 и H97.

К сожалению, больше никаких сведении не сообщалось.

Broadwell, CPU, DDR4, Intel, Roadmap, Skylake, процессоры


Утилита HWiNFO обновилась до версии 4.12 #

5 февраля 2013

Словацкая утилита HWiNFO32/64 — это одна из старейших и мощнейших утилит по получению информации о системе, её диагностирования и мониторинга в реальном режиме времени.

Программа позволяют получать сведения о системе, а диагностическая часть поддерживает самые свежие компоненты, промышленные технологии и стандарты. Эти инструменты нацелены на распознавание и извлечение всей возможной информации об аппаратном обеспечении компьютера, что делает утилиты подходящими для пользователей, ищущих драйвера, производителей компьютеров, системных интеграторов и технических экспертов.

Утилита HWiNFO 32/64 версии 4.12

Новая версия утилиты (4.12.1850) получила следующие изменения:

  • исправлен баг, приводящий к краху программы, при работе с некоторыми материнскими платами GIGABYTE под ОС Windows 8;
  • расширен поддержка мониторинга сенсоров в серии GIGABYTE GA-78LMT;
  • расширена поддержка чипа мониторинга Nuvoton NCT6791D;
  • расширена поддержка мониторинга сенсоров ASUS MAXIMUS VI EXTREME;
  • расширен набор отчётов для Intel ME;
  • улучшено отображение отчётов о загрузке GPU для видеопроцессоров AMD;
  • улучшен вид графиков, получаемых на базе данных от сенсоров;
  • добавлена поддержка мониторинга общего статуса S.M.A.R.T.;
  • добавлена поддержка отчётов и мониторинга оставшегося срока службы для SSD-накопителей;
  • исправлена ошибка при измерении текущей частоты ЦПУ в системах с режимом xAPIC;
  • добавлена предварительная поддержка DDR4 DRAM;
  • внесён ряд мелких улучшений и исправлений.

Нужной вам разрядности (32 или 64 бита) утилиту можно загрузить с официального ресурса или с сайта Softpedia. Напомню, программа совершенно бесплатна.

DDR4, Gigabyte, HWiNFO, бенчмарки, мониторинг, тестирование, утилиты

«Softpedia»

Samsung изготовили первый серверный модуль DDR4 на 16 ГБ #

5 июля 2012

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в разработке технологий памяти, заявила, что начала изготавливать первые образцы модулей памяти DDR4 объёмом 16 ГБ, разработанной для применения в серверах.

«С запуском новых высокоплотных модулей DDR4, Samsung вышла на путь тесной технической кооперации с ключевыми производителями CPU и серверов для разработки зелёных IT систем следующего поколения»,— заявил вице-президент Samsung Electronics по продажам памяти и маркетингу Ванхун Хон (Wanhoon Hong). «Кроме того Samsung будет агрессивно продвигаться на рынок премиум памяти для профессиональных систем, включая корпоративные серверные системы и обслуживание конкурентных систем для продуктов Samsung Green Memory при продолжении работы над введением в будущем DDR4 DRAM 20 нанометрового класса».

Модуль памяти Samsung DDR4 объёмом 16 ГБ

Используя технологию 30 нм класса, Samsung изготовили 8 ГБ и 16 ГБ модули памяти DDR4. Эти модули обеспечат максимальную плотность и производительность для корпоративных серверов премиум класса. Напомним, что память DDR4 30 нм производственного класса компания Samsung представила на 2 ГБ модулях в декабре 2010 года.

Компания утверждает, что тесно сотрудничает со своими клиентами, включая OEM производителей серверов, а также с фирмами, работающими на рынке CPU и контроллеров. Целью этого сотрудничества является расширение рынка модулей DDR4 после начала их массового производства в следующем году. После перехода в будущем году на 20 нм класс, компания обещает выпустить на рынок модули памяти ещё большей плотности, объёмом в 32 ГБ.

DDR4, Samsung, оперативная память


7994420702;horizontal

Micron представили первый модуль памяти DDR4 #

11 мая 2012

В настоящее время члены JEDEC приводят множество аргументов при обсуждении времени выпуска памяти стандарта DDR4. Одни считают, что это должно произойти уже в следующем году, другие предлагают повременить ещё два года, а между тем, Micron начали выпуск первых опытных модулей памяти DDR4, работающих на частоте 2400 МГц.

Сообщается, что компания уже начала поставки первых инженерных образцов «полнофункциональных модулей DDR4 DRAM» в форм-факторе DIMM своим основным клиентам. Это означает, что Micron будет готов к массовому производству нового типа памяти уже в 2013 году.

Основным преимуществом DDR4 является снижение энергопотребления при повышении производительности, по сравнению с памятью современного стандарта. Представленный образец был разработан в сотрудничестве с тайваньской компанией Nanya (входящей в конгломерат Formosa Plastics) с использованием 30 нм технологического процесса Micron.

Память Micron DDR4

Восемь четырёхгигабитных (512 МБ) чипов DDR4 в одном модуле обещают увеличить плотность памяти до 8 ГБ на один DIMM модуль, таким образом, мейнстрим системы смогут иметь объём ОЗУ равный 32 ГБ, а топовые, в будущем — до 128 ГБ. Micron использует чипы с 8-ю, 16-ю и 32-я ножками, сами же чипы способны производить от 2,4 до 3,2 млрд. переключений в секунду. Это значит, что в ближайшее время компания представит модули с эффективной частотой 3,2 ГГц.

Главный игрок рынка вычислений, компания Intel, не планирует переход на память DDR4 ранее 2014 года. Первым чипом, который будет поддерживать память этого типа, будет серверный Haswell-EX. Настольные же ПК должны получить поддержку DDR4 только в 2015 году вместе с Broadwell, 14 нм версией Haswell.

Казалось бы, что если такая компания как Intel не заинтересована в продвижении стандарта, то Micron зря так рано начали работу над этим проектом. Но к счастью для производителей памяти, такие компании как AMD, NVIDIA, Qualcomm и TI не разделяют мнение гиганта и могут начать поддержку DDR4 уже в 2013 году.

30-нм, DDR4, Micron, аналитика, оперативная память, производство

«VR-Zone»

DDR4 начнёт заменять DDR3 в 2014 #

17 апреля 2012

Память DDR3 задержалась на наших ПК на довольно продолжительный срок, однако к 2014 году ожидается выход на рынок памяти стандарта DDR4. Но что же это означает для потребителей?

Весной этого года Intel выпускает очередное поколение процессоров Core i-. И мы можем сосчитать, что от начала применения памяти этого типа с процессорами Core 2 Quad до Ivy Bridge прошло 6 поколений CPU. Причём тенденция продолжится ещё минимум два года. Это куда дольше, чем те четыре года, которые просуществовали DDR1 и DDR2.

В любом случае, наследник уже виден на горизонте. Стандарт DDR4 был утверждён и ожидается, что первые образцы памяти этого типа появятся уже через два года. Так что он нам даст?

Введение четвёртого поколения DDR в первую очередь обеспечит значительный рост скорости. Базовый уровень предложит DDR4-2667 и DDR4-3200, а в будущем, в течение полугода после выпуска, появятся DDR4-4000 и 4266. Для снижения задержек первые чипы DDR4 будут иметь целых 16 банков на каждой пластине, таким образом, большее число одновременно открытых страниц должно привести к снижению задержек.

Прогноз рынка ОЗУ

Во вторую очередь новая память обеспечит лучшее энергосбережение. Стандартным напряжением станет 1,2 В, при этом опционально будут предложены модули напряжением 1,05 В. В свою очередь снижение мощности приведёт к меньшему нагреву модулей.

В-третьих, изменится конструкция модулей памяти и материнских плат. Память DDR4 будет сходна с памятью Rambus в интерфейсе «точка-точка» с меньшей нагрузкой на каждый канал, что ускорит передачу данных и уменьшит задержки. Ожидается, что все первые модули памяти будут иметь двузначные CL задержки. Как думаете, вам понравится CL15 на DDR4-3200?

И напоследок стоит отметить, что будет улучшена коррекция ошибок, т. к. DDR4 имеет лучшие способы контроля чётности и ECC ошибок, по сравнению с памятью прошлых типов, что положительно скажется на стабильности работы серверов.

Что ж, ждать осталось не так и долго. Судя по приведенной диаграмме, в производительных системах эта память будет широко использоваться уже в 2015 году, однако ряд производителей памяти, в частности Samsung, толкают Intel к скорейшему введению нового стандарта, поскольку только в этом производители видят для себя выход из кризиса.

DDR3, DDR4, аналитика, оперативная память, прогнозы

«VR-Zone»

Samsung разработала первые модули памяти DDR-4 #

5 января 2011

Следующее поколение оперативной памяти уже проходит тестирование.

Samsung Semiconductor объявило о завершении разработки модулей памяти стандарта DDR4 и начале опытного производства соответствующих микросхем памяти по 30 нм технологическому процессу. Разработка памяти стандарта DDR4 началась еще в 2008 года, а появление на рынке ожидается лишь в 2012 году, но уже сейчас компания начала предоставлять модули ёмкостью 2 Гб разработчикам контроллеров для тестирования. Модули DDR4 предоставят скорость обмена 2,133 Гбит/с (эффективная полоса пропускания 17,064 Гб/с на модуль) при напряжении питания 1,2 В, с перспективой достижения в будущем скоростей обмена до 3,2 Гбит/с. Представленные на изображении модули имеют маркировку PC4-14300E, что означает эффективную полосу пропускания в 14,3 Гб/с, и, судя по числу микросхем и индексу E, поддерживают ECC и предназначены для серверов.

Samsung DDR-4 memory module

Главным преимуществом новой памяти в Samsung считают снижение энергопотребления в сравнении с текущими модулями DDR-3. В ноутбуках компания ожидает уменьшения вклада оперативной памяти в разрядку батарей на 40 %, как благодаря общему снижению напряжения, так и благодаря применению технологии терминации линий шины Pseudo Open Drain, уже хорошо зарекомендовавшей себя в памяти GDDR для графических применений.

Стандартизация DDR4 в консорциуме JEDEC должна произойти во второй половине этого года, так что к концу года память DDR4 уже может выйти на серверный рынок. 

DDR4, RAM, Samsung, оперативная память

«Samsung»