7994420702;horizontal

Новости про DDR4

JEDEC завершает стандарт гибридных DDR4 и NAND модулей #

2 июня 2015

Стандартизирующая организация JEDEC объявила о создании первого стандарта, поддерживающего гибридные модули памяти, которые устанавливаются в обычные слоты памяти DDR4, но содержат и флэш-память NAND.

Такие не теряющие данные двухлинейные модули памяти NVDIMM (non-volatile dual in-line memory module) будут использованы для сверхвысокопроизводительных накопителей, а также для сверхбезопасных решений ОЗУ.

Первый тип таких модулей называется NVDIMM-N. В нём объединена память DRAM и NAND типов для обеспечения создания резервных копий и последующего восстановления всей ОЗУ, что значительно повышает надёжность работы в случае внезапного прекращения питания. Второй тип получил название NVDIMM-F. В нём применяется прямая адресация к NAND флеш, которая адресуется как блочно-ориентированный накопитель. Память NVDIMM-F сможет предложить сверхвысокопроизводительные твердотельные накопители для использования в качестве кэша записи, хранения метаданных и т.п.

NVDIMM модуль от Agiga

Оба типа памяти будут использовать форм фактор с 288 контактами, т.е. будут соответствовать стандартным модулям DDR4, и смогут устанавливаться в двухлинейные слоты стандартных промышленных серверов и платформ накопителей. Они будут распознаваться контроллерами как стандартная DDR4 SDRAM. Канал памяти же будет разделяться между DRAM и NAND чипами.

Первое коммерческое решение, соответствующее спецификации JEDEC NVDIMM ожидается к появлению в конце 2015 или начале 2016 года.

DDR4, flash-память, NAND, оперативная память, стандарты

«KitGuru»

Kingston готовит 128 ГБ наборы памяти частотой 3 ГГц #

30 мая 2015

Компания Kingston объявила о разработке первых в мире наборов модулей памяти DDR4 объёмом 128 ГБ и частотой 3000 МГц. Набор будет состоять из 8 планок по 16 ГБ с таймингами 16-16-16-39. При этом цена и дата начала продаж пока не называются.

Фирма HyperX, являющаяся подразделением мирового лидера в области памяти Kingston Technology Company, Inc., объявила о создании передового продукта, являющегося набором из 8 модулей памяти DDR4, которая работает на частоте 3 ГГц. 16 ГБ модули HyperX Predator будут работать в четырёхканальной конфигурации на материнских платах с 8 слотами DDR4. Сама компания называет подходящей платформу MSI X99 MPOWER и процессор Intel Core i7 5820K.

128ГБ набор памяти HyperX Predator

В ходе выставки Computex в Тайбее, HyperX представит высокопроизводительную систему, в которую будут установлены новые 16 ГБ модули памяти, а также недавно выпущенный PCIe SSD HyperX Predator M.2.

DDR4, HyperX, Kingston, оперативная память


ASRock представляет первую материнскую плату mini-ITX с четырёхканальной памятью #

20 мая 2015

Компания ASRock представила первую в мире материнскую плату форм фактора mini-ITX, которая оснащена процессорным слотом LGA2011v3 и четырёхканальным интерфейсом памяти.

Материнская плата получила номер модели EPC612D4I и относится она к классу серверных платформ. Она предлагает в общей сложности 4 слота DDR4 SO-DIMM, однако пока их нельзя полноценно использовать, поскольку совместимых модулей памяти ещё попросту нет. Плата построена на чипсете Intel C612 и поддерживает процессоры серий Intel Xeon E5-1600/2600 v3.

Материнская плата ASRock EPC612D4I

Платформа оснащена 3 гигабитными сетевыми портами и тремя разъёмам USB 3.0. На ней присутствует единственный слот расширения PCI-Express 3.0 x16, а также 4 порта SATA 6 Гб/с для подключения накопителей. В ней поддерживаются механизмы Wake-On-LAN, Dual LAN с функцией объединения пропускной способности (тиминг), PXE, содержит набор температурных датчиков, тахометров для фронтального, заднего и процессорного вентиляторов и мониторинг напряжений. Плата совместима с операционными системами Microsoft Windows Server 2008 и 2012. Также поддерживаются и основанные на *nix серверные дистрибутивы, такие как Fedora, Ubuntu, SUSE Enterprise Linux Server, CentOS и FreeBSD 9.2.

Сейчас данная материнская плата уже поступила в продажу по цене 265 долларов США.

ASRock, DDR4, контроллер памяти, материнские платы

«VR-Zone»

MSI установила рекорд частоты DDR4 #

31 января 2015

Компания MSI похвасталась новым рекордом производительности памяти DDR4.

Для его достижения компания использовала одну из своих новых материнских плат на базе чипсета Intel X99. С помощью материнской платы MSI X99S XPower AC была установлена максимальная частота для 4 ГБ памяти Kingston HyperX DDR4. Непосредственно разгоном занимался оверклокер Toppc.

Разгон DDR4

Результатом его работы стала абсолютно стабильная память DDR4 в плате X99S XPOWER AC, работающая на невероятной частоте 4351 МГц. При этом режиме компьютер мог использоваться и дальше для выполнения повседневных задач.

По мнению MSI, данный рекорд свидетельствует не только о прекрасных возможностях и функционале материнской платы X99S XPOWER AC, но и о её большой надёжности, которая позволяет эксплуатировать платформу в составе высоконагруженных рабочих станций, выполняющих тяжёлые рассчёты и рендер видео.

DDR4, MSI, материнские платы, разгон


Установлен рекорд скорости DDR4 #

6 января 2015

Компания MSI сообщает, что оверклокер с ником Toppc установил новый мировой рекорд для памяти DDR4. На материнской плате MSI X99 SLI Plus он разогнал оперативную память до 4032 МГц, что всего на 17 МГц опережает предыдущий рекорд.

Данная материнская плата является одной из последних разработок компании на базе чипсета Intel X99. Для установления рекорда разгона в ней Toppc применил оперативную память Kingston Hyper X DDR4 4GB. Как несложно догадаться, компания MSI использовала данное достижение чтобы в очередной раз похвалить себя за превосходный арсенал функций разгона, которыми обладает материнская плата.

Разгон памяти Kingston

По словам компании, производительности платы будет достаточно для построения на её основе мощной рабочей станции, предназначенной для тяжёлых расчётов и рендера сцен. Среди главных функций в платформе, MSI назвала наличие Gigabit LAN от Intel, поддержку NVIDIA SLI, поддержку накопителей Turbo M.2 со скоростью до 32 Гб/с, интерфейса SATA Express со скоростью до 10 Гб/с. Также фирма похвасталась наличием на плате технологии Guard-Pro и компонентов военного класса 4, что должно обеспечить стабильную и надёжную работу.

DDR4, Kingston, MSI, материнские платы, оперативная память, разгон


7994420702;horizontal

Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4 #

30 декабря 2014

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

Samsung

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

20 нм, DDR4, Samsung, оперативная память, смартфон

«Eteknix»

Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4 #

9 декабря 2014

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Микросхемы памяти Samsung LPDDR4

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

DDR4, Hynix, LPDDR, Micron, Qualcomm, Samsung, оперативная память, смартфон

«Fudzilla»

TeamGroup выпускает первую в мире 16 ГБ память DDR4 #

14 ноября 2014

TeamGroup Inc. анонсировала свои новые наборы модулей памяти DDR4 2666 объёмом 64 ГБ (4х16 ГБ) для оверклокинга, что делает их самой ёмкой памятью в мире.

Этот новый продукт разделён на две параллельные серии, представленные в четырёх цветовых схемах.

Память DDR4 Team Dark

Серия Team Dark использует специально сконструированный радиатор, который может обеспечить наилучшее охлаждение и превосходную производительность для оверклокеров. Модельный ряд Team Vulcan сохраняет размеры стандартного модуля, что делает его гарантированно совместимым с широким спектром материнских плат и предохраняет от несовместимости с большими кулерами процессора.

Память DDR4 Team Vulcan

Кроме наборов DDR4 2666 64GB, TeamGroup также предлагает память того же типа в наборах общим объёмом 4, 8 или 16 ГБ. Все модули памяти оснащаются алюминиевыми радиаторами и построены на 8-слойных печатных платах.

О цене и доступности пока ничего не сообщается.

DDR4, оперативная память

«Eteknix»

Transcend анонсирует серверную DDR4 память частотой 2133 МГц #

3 ноября 2014

Компания Transcend Information с гордостью представила три новых модуля памяти DDR4 серверного класса.

В их число вошли модели RDIMM объёмом 8 ГБ и 16 ГБ частотой 2133 МГц со скоростью передачи данных в 17 ГБ/с, а также сверхнизкопрофильные модули объёмом 16 ГБ.

В пресс-релизе производитель утверждает, что планки памяти полностью совместимы с семейством процессоров Intel Xeon E5-2600 v3. Также память может похвастать высокой ёмкостью, превосходной производительностью, сверхнизким энергопотреблением при напряжении питания 1,2 В, а также увеличенной надёжностью. Всё это делает представленные модули превосходным решением для облачных вычислений, виртуализации и высокопроизводительных вычислительных технологий.

Модули памяти RDIMM Transcend

Что касается, низкопрофильных модулей DDR4 VLP RDIMM, то они примечательны высотой планки всего в 2 см, что прекрасно подходит для применения в современных системах с ограниченным пространством, таких как блейд серверы. Благодаря же меньшему вертикальному размеру, эти модули не препятствуют движению воздуха внутри корпуса, упрощая и удешевляя систему охлаждения.

Все представленные модули DDR4 от Transcend обеспечены ограниченной пожизненной гарантией. О сроках начала продаж модулей пока не сообщается.

DDR4, Transcend, оперативная память, сервер


Samsung изготовила 8 Гб микросхемы DDR4 #

28 октября 2014

Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

32 ГБ модуль памяти DDR4 от Samsung

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

20 нм, DDR4, Samsung, оперативная память, сервер


SK Hynix разрабатывает самые плотные модули памяти #

27 октября 2014

Корпорация SK Hynix объявила о разработке самых плотных в мире NVDIMM (Non Volatile DIMM) модулей памяти объёмом 16 ГБ, основанных на 4 Гб чипах DDR4. Производство чипов использует собственный 20 нм процесс компании.

Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.

16 ГБ NVDIMM модули от Hynix

SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.

DDR4, flash-память, Hynix, NAND, оперативная память


Память G.SKILL DDR4 разогнали до 4 ГГц #

8 сентября 2014

Компания G.SKILL International Co. Ltd. с гордостью сообщает о том, что память DDR4 её производства установила новый рекорд частоты на уровне 4004 МГц.

Для достижения этого результата G.SKILL использовала платформу Asus ROG X99 Rampage V с процессором Intel Core i7 5930k. Данная установка, как обычно и происходит, охлаждалась жидким азотом. В качестве ОЗУ в систему была установлена новая линейка памяти Ripjaws 4. Для того, чтобы увеличить потенциал разгона частота микропроцессора была занижена до 2184,24 МГц. В результате удалось достичь частоты модулей памяти 4004,4 МГц.

Память Ripjaws 4 от G.Skill

Компания G.SKILL никогда не оставляла попыток достичь предела, и в последние месяцы активно пыталась разработать память для работы с Intel X99, и теперь эти усилия щедро вознаграждены.

Разгон памяти G.Skill

Результаты разгона были подтверждены CPU-Z.

DDR4, G.Skill, разгон


Утверждена спецификация DDR4 для ноутбуков #

1 сентября 2014

Уже все ведущие производители представили свои модули памяти DDR4, которые будут работать с процессорами Haswell-E, в связи с чем в JEDEC решили подготовить спецификацию DDR4 и для ноутбуков.

Итак, спецификация получила название JESD209-4 Low Power Double Data Rate 4 или коротко — LPDDR4.

Он определяет пропускную способность модулей LPDDR4 на уровне 3200 МТ/с, а целевая скорость составит 4266 МТ/с, что вдвое больше, чем установлено для LPDDR3.

JEDEC

Для достижения этого архитектура была полностью переработана. В ней было заменено 16-битное одноканальное ядро на 32-битное двухканальное ядро (по 16 бит на канал). Ключевой особенностью новой памяти стала именно двухканальная архитектура, поскольку она позволяет снизить затраты энергии, необходимые для отправки больших объёмов данных, требуемых для интерфейса LPDDR4. Также были объединены тактовая и адресная шины, что позволило уменьшить тайминги.

На первый взгляд память LPDDR4 значительно превосходит по своим характеристикам прошлое поколения, и очень жаль, что мы не увидим лэптопов, основанных на ней, до середины будущего года.

DDR4, LPDDR, ноутбуки, оперативная память

«Softpedia»

Avexir готовит DDR4 частотой 3,4 ГГц #

29 августа 2014

Несмотря на то, что память DDR4 имеет заметно большую частоту, чем DDR3, до настоящего времени все производители памяти для энтузиастов не выпустили ни одной модели DDR4 с частотой выше 3,0 ГГц.

Таким образом продукция компании из Тайваня, Avexir, станет первым модулем памяти с частотой в 3,40 ГГц.

Память Avexir

На прошлой неделе два розничных интернет магазина, Overclockers UK и Caseking, объявили о подготовке эксклюзивных продаж новых модулей от Avexir на территории Великобритании и материковой Европы. Среди прочего две компании объявили о том, что Avexir готовит к выпуску память DDR4 частотой в 3,40 ГГц. Однако при этом представленные к продаже планки модели Avexir Platinum продаются без радиатора, а их максимальной частотой называется 2,40 Ггц. Это значит, что они гарантировано не предназначены для разгона. Наиболее вероятно, для энтузиастов компания подготовит модули Blitz, которые оснащаются светодиодной подсветкой.

Пока ещё не известно, когда же Avexir планирует представить планки DDR4 частотой 3,40 ГГц, но учитывая, что в настоящее время компания не анонсировала память для энтузиастов, можно предположить, что модель Blitz станет частью этой программы в ближайшие месяцы.

DDR4, оперативная память, разгон

«Xbit Labs»

SMART Modular представляет гибрид ОЗУ и SSD #

16 августа 2014

Одной из самых больших проблем оперативной памяти является её энергозависимость. В результате, при потере питания, данные, хранящиеся в памяти, безвозвратно исчезают, что может привести к потере важной информации. В SMART Modular озадачились этой проблемой.

Конечно, они не изобрели новый тип памяти, поэтому разработчики пошли на хитрость, добавив к модулям памяти DDR4 чипы NAND памяти, что позволяет надёжно хранить данные в течение большого промежутка времени.

Гибридная память SART Modular

Используя схему с высокой пропускной способностью, чипы NAND обеспечивают резервное копирование ОЗУ, при необходимости восстанавливая сохранённые данные. Безусловно, NAND память намного медленнее DDR4, поэтому для надёжного создания резервных копий в модулях памяти предусмотрены временные источники питания, которые необходимы для питания системы при отключении энергии. Также разработчики предусмотрели систему коррекции ошибок, которая крайне необходима в операциях резервного копирования и восстановления.

Что касается RAM, то производитель использовал чипы спецификации DDR4 JEDEC частотой 2133 МГц. Напряжение питания такой памяти равно 1,2 В.

О том, по какой цене будут продаваться эти модули, и с каким объёмом ОЗУ, пока не сообщается.

DDR4, RAM, SSD

«Softpedia»