7994420702;horizontal

Новости про DDR4

Установлен рекорд скорости DDR4 #

6 января 2015

Компания MSI сообщает, что оверклокер с ником Toppc установил новый мировой рекорд для памяти DDR4. На материнской плате MSI X99 SLI Plus он разогнал оперативную память до 4032 МГц, что всего на 17 МГц опережает предыдущий рекорд.

Данная материнская плата является одной из последних разработок компании на базе чипсета Intel X99. Для установления рекорда разгона в ней Toppc применил оперативную память Kingston Hyper X DDR4 4GB. Как несложно догадаться, компания MSI использовала данное достижение чтобы в очередной раз похвалить себя за превосходный арсенал функций разгона, которыми обладает материнская плата.

Разгон памяти Kingston

По словам компании, производительности платы будет достаточно для построения на её основе мощной рабочей станции, предназначенной для тяжёлых расчётов и рендера сцен. Среди главных функций в платформе, MSI назвала наличие Gigabit LAN от Intel, поддержку NVIDIA SLI, поддержку накопителей Turbo M.2 со скоростью до 32 Гб/с, интерфейса SATA Express со скоростью до 10 Гб/с. Также фирма похвасталась наличием на плате технологии Guard-Pro и компонентов военного класса 4, что должно обеспечить стабильную и надёжную работу.

DDR4, Kingston, MSI, материнские платы, оперативная память, разгон


Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4 #

30 декабря 2014

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

Samsung

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

20 нм, DDR4, Samsung, оперативная память, смартфон

«Eteknix»

Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4 #

9 декабря 2014

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Микросхемы памяти Samsung LPDDR4

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

DDR4, Hynix, LPDDR, Micron, Qualcomm, Samsung, оперативная память, смартфон

«Fudzilla»

TeamGroup выпускает первую в мире 16 ГБ память DDR4 #

14 ноября 2014

TeamGroup Inc. анонсировала свои новые наборы модулей памяти DDR4 2666 объёмом 64 ГБ (4х16 ГБ) для оверклокинга, что делает их самой ёмкой памятью в мире.

Этот новый продукт разделён на две параллельные серии, представленные в четырёх цветовых схемах.

Память DDR4 Team Dark

Серия Team Dark использует специально сконструированный радиатор, который может обеспечить наилучшее охлаждение и превосходную производительность для оверклокеров. Модельный ряд Team Vulcan сохраняет размеры стандартного модуля, что делает его гарантированно совместимым с широким спектром материнских плат и предохраняет от несовместимости с большими кулерами процессора.

Память DDR4 Team Vulcan

Кроме наборов DDR4 2666 64GB, TeamGroup также предлагает память того же типа в наборах общим объёмом 4, 8 или 16 ГБ. Все модули памяти оснащаются алюминиевыми радиаторами и построены на 8-слойных печатных платах.

О цене и доступности пока ничего не сообщается.

DDR4, оперативная память

«Eteknix»

Transcend анонсирует серверную DDR4 память частотой 2133 МГц #

3 ноября 2014

Компания Transcend Information с гордостью представила три новых модуля памяти DDR4 серверного класса.

В их число вошли модели RDIMM объёмом 8 ГБ и 16 ГБ частотой 2133 МГц со скоростью передачи данных в 17 ГБ/с, а также сверхнизкопрофильные модули объёмом 16 ГБ.

В пресс-релизе производитель утверждает, что планки памяти полностью совместимы с семейством процессоров Intel Xeon E5-2600 v3. Также память может похвастать высокой ёмкостью, превосходной производительностью, сверхнизким энергопотреблением при напряжении питания 1,2 В, а также увеличенной надёжностью. Всё это делает представленные модули превосходным решением для облачных вычислений, виртуализации и высокопроизводительных вычислительных технологий.

Модули памяти RDIMM Transcend

Что касается, низкопрофильных модулей DDR4 VLP RDIMM, то они примечательны высотой планки всего в 2 см, что прекрасно подходит для применения в современных системах с ограниченным пространством, таких как блейд серверы. Благодаря же меньшему вертикальному размеру, эти модули не препятствуют движению воздуха внутри корпуса, упрощая и удешевляя систему охлаждения.

Все представленные модули DDR4 от Transcend обеспечены ограниченной пожизненной гарантией. О сроках начала продаж модулей пока не сообщается.

DDR4, Transcend, оперативная память, сервер


7994420702;horizontal

Samsung изготовила 8 Гб микросхемы DDR4 #

28 октября 2014

Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

32 ГБ модуль памяти DDR4 от Samsung

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

20 нм, DDR4, Samsung, оперативная память, сервер


SK Hynix разрабатывает самые плотные модули памяти #

27 октября 2014

Корпорация SK Hynix объявила о разработке самых плотных в мире NVDIMM (Non Volatile DIMM) модулей памяти объёмом 16 ГБ, основанных на 4 Гб чипах DDR4. Производство чипов использует собственный 20 нм процесс компании.

Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.

16 ГБ NVDIMM модули от Hynix

SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.

DDR4, flash-память, Hynix, NAND, оперативная память


Память G.SKILL DDR4 разогнали до 4 ГГц #

8 сентября 2014

Компания G.SKILL International Co. Ltd. с гордостью сообщает о том, что память DDR4 её производства установила новый рекорд частоты на уровне 4004 МГц.

Для достижения этого результата G.SKILL использовала платформу Asus ROG X99 Rampage V с процессором Intel Core i7 5930k. Данная установка, как обычно и происходит, охлаждалась жидким азотом. В качестве ОЗУ в систему была установлена новая линейка памяти Ripjaws 4. Для того, чтобы увеличить потенциал разгона частота микропроцессора была занижена до 2184,24 МГц. В результате удалось достичь частоты модулей памяти 4004,4 МГц.

Память Ripjaws 4 от G.Skill

Компания G.SKILL никогда не оставляла попыток достичь предела, и в последние месяцы активно пыталась разработать память для работы с Intel X99, и теперь эти усилия щедро вознаграждены.

Разгон памяти G.Skill

Результаты разгона были подтверждены CPU-Z.

DDR4, G.Skill, разгон


Утверждена спецификация DDR4 для ноутбуков #

1 сентября 2014

Уже все ведущие производители представили свои модули памяти DDR4, которые будут работать с процессорами Haswell-E, в связи с чем в JEDEC решили подготовить спецификацию DDR4 и для ноутбуков.

Итак, спецификация получила название JESD209-4 Low Power Double Data Rate 4 или коротко — LPDDR4.

Он определяет пропускную способность модулей LPDDR4 на уровне 3200 МТ/с, а целевая скорость составит 4266 МТ/с, что вдвое больше, чем установлено для LPDDR3.

JEDEC

Для достижения этого архитектура была полностью переработана. В ней было заменено 16-битное одноканальное ядро на 32-битное двухканальное ядро (по 16 бит на канал). Ключевой особенностью новой памяти стала именно двухканальная архитектура, поскольку она позволяет снизить затраты энергии, необходимые для отправки больших объёмов данных, требуемых для интерфейса LPDDR4. Также были объединены тактовая и адресная шины, что позволило уменьшить тайминги.

На первый взгляд память LPDDR4 значительно превосходит по своим характеристикам прошлое поколения, и очень жаль, что мы не увидим лэптопов, основанных на ней, до середины будущего года.

DDR4, LPDDR, ноутбуки, оперативная память

«Softpedia»

Avexir готовит DDR4 частотой 3,4 ГГц #

29 августа 2014

Несмотря на то, что память DDR4 имеет заметно большую частоту, чем DDR3, до настоящего времени все производители памяти для энтузиастов не выпустили ни одной модели DDR4 с частотой выше 3,0 ГГц.

Таким образом продукция компании из Тайваня, Avexir, станет первым модулем памяти с частотой в 3,40 ГГц.

Память Avexir

На прошлой неделе два розничных интернет магазина, Overclockers UK и Caseking, объявили о подготовке эксклюзивных продаж новых модулей от Avexir на территории Великобритании и материковой Европы. Среди прочего две компании объявили о том, что Avexir готовит к выпуску память DDR4 частотой в 3,40 ГГц. Однако при этом представленные к продаже планки модели Avexir Platinum продаются без радиатора, а их максимальной частотой называется 2,40 Ггц. Это значит, что они гарантировано не предназначены для разгона. Наиболее вероятно, для энтузиастов компания подготовит модули Blitz, которые оснащаются светодиодной подсветкой.

Пока ещё не известно, когда же Avexir планирует представить планки DDR4 частотой 3,40 ГГц, но учитывая, что в настоящее время компания не анонсировала память для энтузиастов, можно предположить, что модель Blitz станет частью этой программы в ближайшие месяцы.

DDR4, оперативная память, разгон

«Xbit Labs»

SMART Modular представляет гибрид ОЗУ и SSD #

16 августа 2014

Одной из самых больших проблем оперативной памяти является её энергозависимость. В результате, при потере питания, данные, хранящиеся в памяти, безвозвратно исчезают, что может привести к потере важной информации. В SMART Modular озадачились этой проблемой.

Конечно, они не изобрели новый тип памяти, поэтому разработчики пошли на хитрость, добавив к модулям памяти DDR4 чипы NAND памяти, что позволяет надёжно хранить данные в течение большого промежутка времени.

Гибридная память SART Modular

Используя схему с высокой пропускной способностью, чипы NAND обеспечивают резервное копирование ОЗУ, при необходимости восстанавливая сохранённые данные. Безусловно, NAND память намного медленнее DDR4, поэтому для надёжного создания резервных копий в модулях памяти предусмотрены временные источники питания, которые необходимы для питания системы при отключении энергии. Также разработчики предусмотрели систему коррекции ошибок, которая крайне необходима в операциях резервного копирования и восстановления.

Что касается RAM, то производитель использовал чипы спецификации DDR4 JEDEC частотой 2133 МГц. Напряжение питания такой памяти равно 1,2 В.

О том, по какой цене будут продаваться эти модули, и с каким объёмом ОЗУ, пока не сообщается.

DDR4, RAM, SSD

«Softpedia»

AMD обновляет дорожную карту процессоров #

6 августа 2014

Компания AMD продемонстрировала обновление платформы Toronto. По информации Bitsandchips.it выходит, что AMD хочет на этой платформе обеспечить одновременную поддержку памяти DDR3 и DDR4.

Ускоренные и центральные процессоры Toronto являются частью платформы AMD Opteron, в которой используются ядра Excavator. Ранее утекшая диаграмма демонстрировала поддержку либо памяти DDR3, либо DDR4, но теперь выяснилось, что чипы будут поддерживать оба типа памяти благодаря Dual IMCs (Integrated Memory Controller).

Ранее AMD избегала использования DDR4 памяти, но теперь решила изменить своё решение. В настоящее время платформа Opteron используется в APU Berlin, а Toronto станет его наследником, получив обновление архитектуры Bulldozer. В новом чипе, как APU, так и CPU, будет присутствовать 4 ядра.

Дорожная карта AMD Opteron

Чипы Carrizo изначально должны были поддерживать память DDR4, однако от неё отказались в связи с высокой стоимостью вопроса. С учётом того, что процессоры Toronto предназначены для серверного рынка, цена на реализацию такой поддержки окажется не столь важным фактором, как для потребительского рынка. И если вместе с ростом цены вырастет и производительность, такой шаг можно будет считать успешным. Главное преимущество DDR4 — это использование более плотной памяти с меньшим энергопотреблением, и, конечно же, задел на будущее.

Возможно, что эти слухи не соответствуют действительности, да и представленный слайд не высокого качества, так что будем ждать официальное заявление AMD.

AMD, APU, DDR3, DDR4, Opteron, Roadmap, контроллер памяти, слухи

«Eteknix»

Начались продажи памяти DDR4 #

28 июня 2014

Хотя чипсет Intel X99, вместе с процессорами Haswell-E, не поступит в продажу раньше сентября, один производитель памяти уже начал продажи модулей DDR4, пока лишь в Японии.

Стандарт памяти наконец-то получил обновление. Первой платформой, которая её поддерживает, станет Intel с чипсетом X99.

Память DDR4 от SanMax

И для тех, кто хочет заполучить пока бесполезную память DDR4, один компьютерный магазин в Японии уже начал продавать модули объёмом 16 и 32 ГБ по цене в 350 и 685 долларов США соответственно. Конечно, цена немного шокирует, но не забывайте, что это первое предложение на рынке. Предлагаемые модули памяти изготовлены компанией SanMax из чипов производства SKHynix.

Маркировка памяти DDR4 от SanMax

Память DDR4 поддерживает намного большую скорость передачи данных на уровне 2133—4266 МТ/с, в то время как предшественник работал на скоростях 800—2133 МТ/с. Новая память будет иметь и увеличенное количество контактов — 288, по сравнению с 240, и будет питаться напряжением 1,2 В.

DDR4, Hynix, оперативная память

«VR-Zone»

Компания Finalwire обновила AIDA64 до версии 4.50 #

28 мая 2014

Сегодня компания FinalWire Ltd. анонсировала новую майскую версию за номером 4.50 популярной диагностической и тестовой утилиты AIDA64.

В новой версии набора утилит появился криптографический бенчмарк OpenCL, расширена база данных по новым платформам Intel, появилась поддержка памяти DDR4 и новых видеоускорителей.

AIDA64

Полный перечень изменений приведён ниже:

  • добавлен криптографический бенчмарк OpenCL GPGPU AES-256;
  • расширена диагностика графического акселератора AMD Mantle;
  • добавлена поддержка чипсетов Intel H97 и Z97;
  • улучшена поддержка процессоров Haswell-E и модулей памяти DDR4.
  • добавлена поддержка профилей памяти DDR4 XMP 2;
  • добавлена поддержка SSD A-Data SP;
  • детализирована информация для AMD Radeon R9 295X2 и FirePro W9100;
  • детализирована информация для NVIDIA GeForce GT 740, GeForce GTX Titan Z.

AIDA64 v4.50, доступна в трёх редакциях: Extreme и Business, а также Extreme Engineer для инженеров с разрешением использовать на неограниченном количестве ПК, приобрести которые можно в онлайн-магазине AIDA64.

AIDA64, AMD, CPU, DDR4, GeForce GT 740, GeForce GTX TITAN Z, Intel, NVIDIA, OpenCL, Radeon R9 295X2, SSD, бенчмарки, оперативная память, программы, тестирование, утилиты

«AIDA64»

SK Hynix разрабатывает 128 ГБ модули DDR4 #

15 апреля 2014

Пока на рынке отсутствуют материнские платы и процессоры с поддержкой памяти DDR4, но это не останавливает производителей памяти. Одним из лидеров этого рынка, как известно, является SK Hynix, и она сделала прорыв в подготовке памяти DDR4 высокой ёмкости.

Этот корейский производитель представил первый в мире модуль ОЗУ DDR4 объёмом 128 ГБ, который основан на 8 Гб чипах компании, изготовленных по 20 нм процессу.

«Разработка первого в мире 128 ГБ модуля DDR4 является важным в открытии серверного рынка ультравысокой плотности», — заявил Сун Джу Хон, глава подразделения DRAM в SK Hynix. «В дальнейшем компания усилит свою конкурентоспособность и сфере премиальной ОЗУ, разрабатывая высокоплотные, сверхвысокоскоростные и слабомощные потребительские продукты».

128 ГБ модуль DDR4 от Hynix

Компания SK Hynix использует технологию TSV (Through Silicon Via) — методику производства, позволяющую пропускать электрические соединения вертикально сквозь кремниевое ядро, что и позволяет удвоить плотность по сравнению с памятью предыдущего поколения. Новая память DDR4 работает со скоростью 2133 МГц и будет способна пропускать данные на скорости 17 ГБ/с по шине шириной 64 бита. Для питания этой памяти необходимо 1,2 В, в то время как DDR3 требуется 1,5 В.

Массовое производство новых 128 ГБ модулей DDR4 должно начаться к первой половине 2015 года. Однако есть большие сомнения, что подобные модули найдут свой путь на потребительском рынке, ведь редко какая материнская плата будет поддерживать более 32 ГБ ОЗУ.

DDR4, Hynix, оперативная память

«VR-Zone»