7994420702;horizontal

Новости про DDR4

Установлен рекорд разгона DDR4 до 5 ГГц #

31 мая 2016

Известный бренд G.Skill сообщил о том, что модули памяти Trident Z DDR4 достигли рекордной частоты в 5 ГГц.

Модуль памяти DDR4 Trident Z объёмом 4 ГБ был разогнан до невероятной частоты в 2501,2 МГц или 5002,4 МГц эффективной частоты. Разгон осуществлялся на материнской плате MSI Z170I Gaming Pro AC и процессоре Intel Skylake Core i5-6600K. Безусловно, разгон проводился с охлаждением жидким азотом. Разгон осуществлялся известным оверклокером Toppc, который многократно находился в топе HWBOT. Задержки памяти составляли 31-31-31-63. Дело в том, что при разгоне основной упор делался на частоту, а не на тайминги. Примечательно, что разгон осуществлялся на плате форм фактора mini-ITX.

Память G.Skill Trident Z

Разгон G.Skill Trident Z

Частота 5 ГГц долгое время была главным порогом производительности, которого стремились достичь все производители и оверклокеры. Именно поэтому корпоративный вице-президент G.Skill Текила Хуан выразил «крайнюю радость от достижения столь значимой величины благодаря компонентам Samsung и материнской плате MSI». При этом он пообещал продолжать ставить аппаратное обеспечение на пределы его возможностей, предлагая ещё более совершенные продукты.

Результаты разгона G.Skill Trident Z

DDR4, G.Skill, разгон

«Fudzilla»

Samsung представила 10 нм память LPDDR4 #

28 мая 2016

Компания Samsung представила мобильную память LPDDR4 объёмом 6 ГБ, изготовленную по 10 нм техпроцессу. По слухам, эта память будет использована в смартфоне Galaxy Note 6, который поступит в продажу в августе этого года.

Отмечается, что новый смартфон получит 5,8” AMOLED дисплей «Slim RGB» и будет основан на процессоре Snapdragon 823. Также платформа получит 6 ГБ оперативной памяти. Также, по слухам, Galaxy Note 6 получит сканер роговицы.

Samsung LPDDR4

По всей видимости, Note 6 станет первым смартфоном от Samsung, оснащённым 6 ГБ памяти LPDDR4.

Будучи изготовленной по 10 нм технологии, новая память обеспечит большую производительность при меньшем энергопотреблении, что означает увеличение времени автономной работы. Сообщается, что компания уже занята разработкой прошивки для данного смартфона, который должен появиться в продаже в августе.

10 нм, DDR4, Samsung, смартфон

«Fudzilla»

Память G.Skill преодолела 4 ГГц барьер #

27 мая 2016

Уже давно мы используем оперативную память частотой более 1 ГГц, и новые модули DDR4 G.Skill вывели частоту на новые горизонты. Благодаря набору модулей Trident Z объёмом 8 ГБ и 16 ГБ теперь вы сможете работать с ОЗУ частотой более 4266 МГц.

Вся плата, вместе с микросхемами, спрятана под алюминиевым радиатором. Будучи доступной в серебристом и чёрном цвете с различной цветовой маркировкой, зависящей от модели, данные модули вряд ли станут эталоном дизайна, однако они обеспечат беспрецедентную производительность.

G.Skill Trident-Z DDR4

Самым быстрым решением стали наборы объёмом 16 ГБ (2х8 Гб) частотой 4266 МГц. При этом тайминги памяти составляют 19-23-23-43. В то же время менее производительное решение серии поставляется в наборах по 64 ГБ и при таймингах 14-14-14-34 работает на частоте 3466 МГц. С обратной стороны модельного ряда расположились наборы объёмом от 8 ГБ до 64 ГБ с частотой 3200 МГц при таймингах 13-13-13-33. Все три модели питаются напряжением 1,35 В, так что вполне возможно, для ещё большего ускорения его стоит немного увеличить.

Если вы заинтересовались новым предложением G.Skill, то у вас ещё есть время внимательно обдумать покупку, поскольку в продажу новые Trident Z поступят только в июне.

DDR4, G.Skill, оперативная память

«Kit Guru»

G.Skill выпускает память DDR4-4333, работающую только с ASRock Z170M OC Formula #

19 апреля 2016

Компания ASRock объявила, что новые хай-энд модули памяти Trident-Z DDR4 частотой 4333 МГц работоспособны исключительно в материнской плате mATX Z170M OC Formula.

Новые модули памяти  Trident-Z DDR4 частотой 4333 МГц нельзя найти на сайте G.Skill, но, скорее всего, они будут аналогичны нынешним наборам Trident Z DDR4-4266 по 8 ГБ, которые работают на таймингах CL19-26-26-46 с напряжением 1,40 В. И именно этот набор памяти смог установить рекорд частоты, который составил 4901 МГц.

G.Skill Trident-Z DDR4-4333

По информации ASRock, материнская плата Z170M OC Formula является единственной, где можно использовать данную память прямо из коробки. Это возможно благодаря грамотному дизайну платы, который включает 10 слоёв и 14+2 фазы ШИМ.

Как нетрудно догадаться, данные модули памяти предназначены для экстремального разгона в системах, основанных на процессорах Intel 6-го поколения.

Наверняка, представленная память окажется работоспособной и на многих других материнских платах хай-энд класса, однако пока монопольное положение держит ASRock. К сожалению, ни о цене, ни о дате выпуска Trident-Z DDR4-4333 пока ничего не известно.

ASRock, DDR4, G.Skill, разгон

«Fudzilla»

Samsung начинает массовое производство 10 нм памяти DDR4 #

15 апреля 2016

Компания Samsung приступила к массовому производству «первых в мире 10 нм, 8 Гб чипов DRAM DDR4», а также модулей памяти, основанных на этих чипах.

По уверению разработчиков, новая память обеспечит лучшие скорости передачи данных и повышенную энергоэффективность, по сравнению с предыдущей памятью 20 нм класса. Так, прирост составит до 30%, а чипы смогут поддерживать передачу данных на скорости до 3200 Мб/с.

Что касается энергоэффективности, то она возрастёт на 10—20%. Этого удалось добиться благодаря фирменной конструкции ячеек памяти Samsung, новой технологии литографии и технологии осаждения сверхтонкого диэлектрического слоя.

Оперативная память Samsung

Кроме энергоэффективности это позволило повысить и качество. В своём блоге компания отметила, что при переходе на 10 нм производство 8Gb DDR4 DRAM количество брака на пластинах снизилось более чем на 30%.

Следующим шагом в развитии памяти, компания Samsung видит выпуск более плотных 10 нм чипов мобильной ОЗУ, которая будет иметь меньшие габариты и большую скорость работы.

Также не будут забыты и пользователи PC, которые получат модули памяти объёмом от 4 ГБ для ПК и ноутбуков до 128 ГБ для промышленных серверов. Эти модули памяти южнокорейская компания планирует выпустить в текущем году.

10 нм, DDR4, Samsung, оперативная память

«Fudzilla»

7994420702;horizontal

Corsair представила память DDR4 частотой до 3,6 ГГц #

21 января 2016

Компания Corsair представила новые модули памяти DDR4, которые поддерживают частоту до 3600 МГц. Наборы будут доступны в объёмах 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ.

Топовый набор Vengeance LPX 128GB состоит из 8 модулей объёмом по 16 ГБ с частотой 3000 МГц. Планки имеют полную поддержку XMP 2.0 и работают на напряжении 1,35 В с таймингами CL16-18-18-36. Средний набор, Vengeance LPX 64GB, также состоит из модулей объёмом 16 ГБ, однако пиковая частота 4 планок набора составляет 3333 МГц при том же напряжении и таймингах. Самый маленький набор, Vengeance LPX 32GB, представлен восемью модулями по 8 ГБ частотой 3600 МГц, питающим напряжением 1,35 В и таймингами CL16-19-19-39.

Память DDR4 Corsair Vengeance LPX

Все три версии оснащены чёрными фирменными радиаторами Corsair, при этом в больших вариантах доступны также красные радиаторы. Кроме того, модули оснащаются системой вентиляции Corsair Vengeance Airflow, которая включает 40 мм вентилятор, устанавливаемый на обратную сторону планок.

Наборы памяти Vengeance LPX объёмом 128 ГБ, 64 ГБ и 32 ГБ уже поступили в продажу по цене 1174, 549 и 349 долларов США соответственно.

Corsair, DDR4, видеопамять

«VR-Zone»

G.SKILL анонсирует наборы памяти частотой 3 ГГц #

13 января 2016

Компания G.SKILL International Enterprise, Ltd., известный производитель игровой периферии и оперативной памяти представила новые наборы ОЗУ, которые стали самыми быстрыми в мире для платформы Intel X99.

Месяц назад компания подготовила наборы памяти DDR4 частотой 3200 МГц и объёмом 64 ГБ для платформы Intel Skylake с чипсетом Z170. Теперь же G.SKILL занялась самым свежим поколением экстремальных процессоров Intel, представив 128 ГБ (8x16 ГБ) наборы памяти DDR4 с частотой 3000 МГц и сверхнизкими таймингами CL14-14-14-34. Таким образом, анонсированные модули стали поистине одним из самых быстрых решений на рынке DDR4, позволяя построить превосходную рабочую станцию для создания контента, научных вычислений или 3D рендера.

Память G.Skill Ripjaws V

Свежепредставленные модули памяти соответствуют стандарту Intel XMP2.0. Для демонстрации работы фирма представила результаты стресс-тестирования набора памяти DDR4 на материнской плате Asus ROG Rampage V Extreme с процессором Intel Core i7-5820K.

Валидация памяти

Компания сообщила, что новая память для платформы X99 будет включена в модельный ряд Ripjaws V и поступит в продажу к концу этого месяца через сеть авторизованных дилеров.

DDR4, G.Skill, оперативная память


ASRock позволит разгонять память не с чипсетом Z170 #

7 декабря 2015

Как известно, память DDR4 поддаётся разгону лишь на материнских платах с чипсетом Intel Z170, однако компания ASRock решила исправить ситуацию, представив технологию Non-Z OC, которая позволяет разогнать ОЗУ на чипсетах B150, H170 и H110.

Эта технология позволяет автоматически разгонять модули памяти на материнских платах ASRock. Функция очень похожа на ту, которую можно встретить в UEFI BIOS на платах ASRock Z170. Там частота может быть поднята с 2133 МГц до 2800 МГц.

ASRock DDR4 Non-Z OC

Определить, поддерживает ли ваша плата и модули памяти разгон, как на Z-платах, так и на остальных, можно по специальному логотипу ASRock, который в случае поддержки имеет золотой отлив.

Золотая подсветка для Non-Z OC

Список не-Z170 плат ASRock, которые поддерживают DDR4 Non-Z OC, приведён ниже, однако компания обещает в ближайшее время его расширить.

Поддержка DDR4 Non-Z OC

Ранее ASRock также выпускала решения по разгону ОЗУ на платах не с чипсетом серии Z. Так, в 2013 году фирма обеспечила разгон на платах Intel H87 и B85.

ASRock, DDR4, разгон, чипсеты


G.SKILL анонсирует память частотой 4133 МГц #

30 ноября 2015

Компания G.SKILL International Enterprise анонсировала новую серию высокопроизводительной оперативной памяти DDR4 объёмом в 8 ГБ на модуль. Модельный ряд включает версии ОЗУ с конфигурацией от 3600 МГц CL16 32 ГБ (4x8 ГБ) до 4133 МГц 16 ГБ (2x8 ГБ). Модули памяти изготавливаются из микросхем производства Samsung.

Производитель отмечает, что он принял решение о выпуске памяти подобного типа, наблюдая растущий спрос на высокопроизводительную память большого объёма. И теперь энтузиасты могут наслаждаться высокой скоростью ОЗУ не идя на компромиссы с объёмом.

G.SKILL Trident Z

Представленный модельный ряд модулей памяти присоединится к семейству решений G.SKILL Trident Z с экстремальной производительностью. Память поставляется с профилями разгона XMP 2.0, облегчая процесс оверклокинга на совместимых материнских платах.

Подтверждение работы памяти G.SKILL Trident Z на частоте 4133 МГц

Отмечается, что данная память разработана специально для 6-го поколения процессоров Intel Core и чипсетов Z170. Производитель сообщил, что протестировал модули памяти DDR4 4133 МГц 16 ГБ (2x8 ГБ) на материнской плате ASRock Z170 OC Formula с процессором Core i7-6700K.

DDR4, G.Skill, оперативная память


ASRock выпускает материнскую плату с поддержкой DDR3 и DDR4 #

18 сентября 2015

Пару дней назад компания Biostar представила свою новую материнскую плату для процессоров Skylake, в которую можно установить память как DDR3, так и DDR4. Теперь же компания ASRock выпустила платформу B150M Combo-G с теми же гибридными возможностями.

Представленная плата позволяет устанавливать до 16 ГБ памяти DDR3 или до 32 ГБ памяти DDR4.

Материнская плата ASRock B150M Combo-G

Слоты расширения платы B150M Combo-G включают по одному слоту PCI-Express 3.0 x16 и PCI-Express 3.0 x16 (на 4 линии), а также слот PCIe gen 3.0 x1. Для подключения накопителей доступны один порт SATA-Express 16 Гб/с и 6 портов SATA III. Звуковой процессор характеризуется улучшенной изоляцией и электролитическими конденсаторами. Для подключения дисплеев можно использовать по одному порту DVI, HDMI и D-Sub. Также на плате имеется 6 портов USB 3.0, гигабитный сетевой адаптер и комбинированный порт PS/2.

Питание процессора в сокете LGA1151 осуществляется по 7 фазам ШИМ, а вся плата получает электропитание посредством стандартных 24-контактных ATX и 8-контактного EPS разъёма.

Материнская плата ASRock B150M Combo-G

Очевидно, что данная платформа имеет довольно скромное оснащение, по сравнению с решением Biostar, однако она имеет и меньшую цену, которая составит порядка 80 долларов США.

ASRock, DDR3, DDR4, Skylake, материнские платы


Biostar выпускает Hi-Fi материнскую плату с двумя типами ОЗУ #

16 сентября 2015

Как всегда после внедрения новых стандартов в PC, производители начинают выпускать гибридные решения. На этот раз речь пойдёт о материнской плате Biostar модели Intel H170, которая примечательна поддержкой сразу двух типов памяти — DDR3 и DDR4.

Представленная плата является первой в отрасли, которая поддерживает два современных типа модулей памяти. Как видно из названия, материнская плата основана на чипсете Intel H170 и обладает сокетом LGA 1151 для работы с процессорами 6-го поколения.

Другой важной особенностью новой платы можно считать поддержку технологии Pure Hi-Fi со встроенным усилителем. Также имеется сокет M.2 на базе 32 Гб/с PCIe, 16 Гб/с порты SATA Express и поддержка конфигурации с тремя мониторами с максимальным разрешением 4K.

BIOSTAR Hi-Fi H170Z3

В сетевой конфигурации стоит отметить технологию Smart Speed LAN, которая благодаря прилагающемуся ПО позволяет контролировать сетевой трафик и расставлять приоритеты и блокировки для трафика различного типа.

В плане комплектующих производитель отмечает использование сверхнадёжных твердотельных конденсаторов. В Biostar утверждают, что такие конденсаторы работают в 6,25 раза лучше, чем их электролитические аналоги.

BIOSTAR Hi-Fi H170Z3

Плата поддерживает операционные системы Windows 7, Windows 8, 8.1, и Windows 10, поставляется с программным обеспечением BIOS Flasher и BIOS Online Update. Цена на плату Biostar Hi-Fi H170Z3 составляет 105 долларов США.

Biostar, DDR3, DDR4, Skylake, материнские платы

«VR-Zone»

Чипы Samsung позволят расширить ОЗУ смартфонов до 6 ГБ #

11 сентября 2015

Объёмы оперативной памяти устройств растут постоянно, однако сейчас производители столкнулись с технологическими ограничениями дальнейшего роста объёма ОЗУ, которые инженерам Samsung удалось преодолеть. В результате, ваш будущий смартфон или планшетный компьютер будет работать заметно быстрее, и содержать вдвое больше ОЗУ.

Южнокорейский гигант заявил о начале массового производства 12 Гб (1,5 ГБ) модулей памяти DDR4 для мобильных устройств, производимых на собственных 20 нм заводах. Эти новые микросхемы памяти имеют тот же физический размер, что и 6 Гб модули компании, что означает, что устройства могут получить вдвое больше ОЗУ при том же занимаемом на печатной плате пространстве. Либо же будут доступны меньшие по размеру телефоны с 3 ГБ ОЗУ.

Микросхемы LPDDR4 объёмом 6 Гб от Samsung

Кроме того сообщается, что новые модули на 30% более производительны, чем 8 Гб чипы компании, используемые во многих устройствах с 4 ГБ ОЗУ, что несомненно положительно скажется на общей производительности мобильных устройств. Вообще же Samsung амбициозно заявила, что её новая память вдвое быстрее, чем DDR4 RAM для компьютеров. Также эта память использует на 20% меньше энергии, означая более эффективное использование заряда аккумулятора.

Сейчас компания занимается производством чипов и заполнением складов, а значит, ваш следующий гаджет может иметь больше ОЗУ, чем ваш настольный компьютер.

DDR4, LPDDR, Samsung

«Engadget»

Gigabyte выпускает игровую материнскую плату премиум класса #

2 сентября 2015

Компания Gigabyte выпустила новую премиальную игровую SFF материнскую плату, которая поддерживает процессоры Core 6-го поколения, плату, получившую имя Z170N-Gaming 5.

Новая плата форм фактора mini-ITX получила категорию Gigabytes G1.Gaming, что означает, что она выделяется из остальных.

Представленная платформа рассчитана для установки процессоров с сокетом LGA1151, поддерживает двухканальную память DDR4 и получает энергию от 24-контактного ATX коннектора и 8-контактного EPS. Сам же процессор использует 5-фазную ШИМ. Он связан с двумя полноразмерными слотами памяти DDR4, в которые можно установить до 32 ГБ ОЗУ. Также плата имеет единственный слот расширения — PCI-Express 3.0 x16, оснащённый усиленным фиксатором.

Материнская плата Gigabyte Z170N-Gaming 5

Для подключения накопителей имеется слот M.2 со скоростью передачи данных 32 Гб/с. Также имеется два порта SATA-Express 16 Гб/с и 6 портов SATA 6 Гб/с. Кроме того, плата содержит два порта USB 3.1 (по одному типа С и A), пять USB 3.0 и четыре хедера для портов USB 2.0/1.1.

Возможности подключения дисплеев ограничены двухканальным DVI и HDMI портами. Гигабитная сеть организована на контроллере Killer E2200, имеются и беспроводные сетевые адаптеры 802.11ac WLAN (до 867 Мб/с) и Bluetooth 4.2. Звуковое решение является объединением 115 дБА SNR кодека и электролитических конденсаторов аудио класса, а также усилителя для наушников.

Материнская плата Gigabyte Z170N-Gaming 5

Сообщается, что цена на материнскую плату Gigabyte Z170N-Gaming 5 составит 150 долларов США.

DDR4, Gigabyte, mini-ITX, Skylake, материнские платы

«Fudzilla»

DDR4 G.SKILL разогнана до 4,8 ГГц #

11 августа 2015

Ведущий мировой изготовитель высокопроизводительной памяти, компания, G.SKILL International Enterprise Co., объявила об установлении мирового рекорда частоты, который теперь составляет почти 4,8 ГГц.

Так, оверклокер Чи-Куи Лам, сумел разогнать память Ripjaws 4, изготовленную из микросхем Samsung, до умопомрачительных 4795,8 МГц. К сожалению, переломить психологический барьер, который всего на 4,2 МГц выше, ему не удалось.

G.Skill Ripjaws 4

Для установления рекорда использовалась новая материнская плата ASRock Z170 OC Formula, процессор Intel i7-6700K и жидкий азот для охлаждения. Подтверждение мирового рекорда установлено посредством HWBOT.

Разгон памяти G.Skill Ripjaws 4

Разгон памяти G.Skill Ripjaws 4

DDR4, G.Skill, разгон


Samsung снизила цену на память DDR4 #

29 июня 2015

Памяти стандарта DDR4 ещё предстоит стать основой обычных ПК, однако Samsung Electronics уже заботится о своём будущем, для чего снижает стоимость чипов. Этот подход позволит компании захватить больше рынка ОЗУ и повлечёт дальнейшее удешевление чипов.

В настоящее время память DDR4 можно встретить исключительно в настольных ПК высшего уровня и серверных системах. Основная же масса компьютеров использует память DDR3. В ближайшие месяцы Intel готовит выпуск процессоров с микроархитектурой Skylake, которая будет поддерживать память DDR4, что повлияет на увеличение спроса на модули памяти данного типа. Компания Samsung, желая гарантировать себе надёжную позицию на новом рынке, начала предлагать DDR4 со скидкой.

Модули памяти DDR4 от Samsung

Теперь цена на память DDR4 близка к цене DDR3. Если Samsung закрепится на этом рынке, другие производители ОЗУ, такие как SK Hynix и Micron Technology, будут вынуждены и дальше снижать цену.

Эксперты в данной области уверены, что для сохранения высокого дохода производители будут вынуждены изготавливать микросхемы DRAM по наиболее тонким техпроцессам, таким как с размером элементов 20 нм, и сейчас лишь Samsung выпускает значительное количество памяти по данной технологии. Именно поэтому компания и может позволить себе скидку.

Сама же Samsung отказалась комментировать данную информацию.

20 нм, DDR4, Samsung, оперативная память

«KitGuru»