Новости про DDR4 и Micron

Поставки DRAM остаются напряжёнными

Сайт DigiTimes сообщает, что снижения цен на оперативную память в ближайшее время ждать не придётся, поскольку сохраняется дефицит на общемировом рынке.

Сейчас средняя мировая цена на 4 ГБ модули DDR4 мейнстрим уровня составляет 33 долларов США, а пиковая — 34. По сравнению с IV кварталом 2017 года это выше на 5%.

Логотип Micron
Логотип Micron

При этом 20 марта на заводе Micron Memory Taiwan произошёл масштабный сбой в работе газового оборудования. Вышедший из строя компонент газовой станции, находящийся за пределами предприятия, привёл к прекращению подачи азота в цехи. Эта авария повлияла на производственные возможности компании. Система подачи газа уже отремонтирована, а производство восстановлено в первой половине апреля.

Этот факт также приведёт к удорожанию памяти на фоне всевозрастающей её нехватки. По мнению аналитиков, авария на заводе Micron приведёт к дальнейшему росту цены на память во II квартале ещё на 3%.

Crucial выпускает память NVDIMM

Компания Crucial (Micron) выпустила модули памяти NVDIMM для серверов. Интересными эти модули делают то, что они объединяют микросхемы DRAM и NAND на одной планке.

Таким образом, эти модули работают как оперативная память, однако в случае отключения питания, все данные оказываются сохранёнными в энергонезависимой памяти.

Crucial NVDIMM

Модули NVDIMM содержат энергонезависимую память, которая помещается в обычные слоты серверов DDR4. Модули с 288 контактами обеспечивают скорость 2133 МТ/с и пропускную способность в 17 ГБ/с. Память работает на стандартизованном JEDEC напряжении в 1,2 В.

Crucial NVDIMM

При сбое по питанию или иному прерыванию нормальной работы системы, контроллер переводит сигналы в модуль, и таким образом данные из ОЗУ переносятся в энергонезависимую память. При восстановлении питания контроллер записывает данные обратно в системную память, и весь сервер может продолжать работу, как и до выключения. Производитель продаёт NVDIMM в виде отдельных модулей и в форм факторе 2,5”, «объединённым с конденсатором PowerGem от AgigA Tech, который постоянно поддерживает питание DIMM при сбоях».

Crucial NVDIMM

Сейчас Crucial предлагает только модули объёмом 8 ГБ. Версия ёмкостью 16 ГБ будет представлена немного позднее.

Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Микросхемы памяти Samsung LPDDR4

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

Micron представили первый модуль памяти DDR4

В настоящее время члены JEDEC приводят множество аргументов при обсуждении времени выпуска памяти стандарта DDR4. Одни считают, что это должно произойти уже в следующем году, другие предлагают повременить ещё два года, а между тем, Micron начали выпуск первых опытных модулей памяти DDR4, работающих на частоте 2400 МГц.

Сообщается, что компания уже начала поставки первых инженерных образцов «полнофункциональных модулей DDR4 DRAM» в форм-факторе DIMM своим основным клиентам. Это означает, что Micron будет готов к массовому производству нового типа памяти уже в 2013 году.

Основным преимуществом DDR4 является снижение энергопотребления при повышении производительности, по сравнению с памятью современного стандарта. Представленный образец был разработан в сотрудничестве с тайваньской компанией Nanya (входящей в конгломерат Formosa Plastics) с использованием 30 нм технологического процесса Micron.

Память Micron DDR4

Восемь четырёхгигабитных (512 МБ) чипов DDR4 в одном модуле обещают увеличить плотность памяти до 8 ГБ на один DIMM модуль, таким образом, мейнстрим системы смогут иметь объём ОЗУ равный 32 ГБ, а топовые, в будущем — до 128 ГБ. Micron использует чипы с 8-ю, 16-ю и 32-я ножками, сами же чипы способны производить от 2,4 до 3,2 млрд. переключений в секунду. Это значит, что в ближайшее время компания представит модули с эффективной частотой 3,2 ГГц.

Главный игрок рынка вычислений, компания Intel, не планирует переход на память DDR4 ранее 2014 года. Первым чипом, который будет поддерживать память этого типа, будет серверный Haswell-EX. Настольные же ПК должны получить поддержку DDR4 только в 2015 году вместе с Broadwell, 14 нм версией Haswell.

Казалось бы, что если такая компания как Intel не заинтересована в продвижении стандарта, то Micron зря так рано начали работу над этим проектом. Но к счастью для производителей памяти, такие компании как AMD, NVIDIA, Qualcomm и TI не разделяют мнение гиганта и могут начать поддержку DDR4 уже в 2013 году.