Новости про DDR4

Память G.SKILL DDR4 разогнали до 4 ГГц

Компания G.SKILL International Co. Ltd. с гордостью сообщает о том, что память DDR4 её производства установила новый рекорд частоты на уровне 4004 МГц.

Для достижения этого результата G.SKILL использовала платформу Asus ROG X99 Rampage V с процессором Intel Core i7 5930k. Данная установка, как обычно и происходит, охлаждалась жидким азотом. В качестве ОЗУ в систему была установлена новая линейка памяти Ripjaws 4. Для того, чтобы увеличить потенциал разгона частота микропроцессора была занижена до 2184,24 МГц. В результате удалось достичь частоты модулей памяти 4004,4 МГц.

Память Ripjaws 4 от G.Skill

Компания G.SKILL никогда не оставляла попыток достичь предела, и в последние месяцы активно пыталась разработать память для работы с Intel X99, и теперь эти усилия щедро вознаграждены.

Разгон памяти G.Skill

Результаты разгона были подтверждены CPU-Z.

Утверждена спецификация DDR4 для ноутбуков

Уже все ведущие производители представили свои модули памяти DDR4, которые будут работать с процессорами Haswell-E, в связи с чем в JEDEC решили подготовить спецификацию DDR4 и для ноутбуков.

Итак, спецификация получила название JESD209-4 Low Power Double Data Rate 4 или коротко — LPDDR4.

Он определяет пропускную способность модулей LPDDR4 на уровне 3200 МТ/с, а целевая скорость составит 4266 МТ/с, что вдвое больше, чем установлено для LPDDR3.

JEDEC

Для достижения этого архитектура была полностью переработана. В ней было заменено 16-битное одноканальное ядро на 32-битное двухканальное ядро (по 16 бит на канал). Ключевой особенностью новой памяти стала именно двухканальная архитектура, поскольку она позволяет снизить затраты энергии, необходимые для отправки больших объёмов данных, требуемых для интерфейса LPDDR4. Также были объединены тактовая и адресная шины, что позволило уменьшить тайминги.

На первый взгляд память LPDDR4 значительно превосходит по своим характеристикам прошлое поколения, и очень жаль, что мы не увидим лэптопов, основанных на ней, до середины будущего года.

Avexir готовит DDR4 частотой 3,4 ГГц

Несмотря на то, что память DDR4 имеет заметно большую частоту, чем DDR3, до настоящего времени все производители памяти для энтузиастов не выпустили ни одной модели DDR4 с частотой выше 3,0 ГГц.

Таким образом продукция компании из Тайваня, Avexir, станет первым модулем памяти с частотой в 3,40 ГГц.

Память Avexir

На прошлой неделе два розничных интернет магазина, Overclockers UK и Caseking, объявили о подготовке эксклюзивных продаж новых модулей от Avexir на территории Великобритании и материковой Европы. Среди прочего две компании объявили о том, что Avexir готовит к выпуску память DDR4 частотой в 3,40 ГГц. Однако при этом представленные к продаже планки модели Avexir Platinum продаются без радиатора, а их максимальной частотой называется 2,40 Ггц. Это значит, что они гарантировано не предназначены для разгона. Наиболее вероятно, для энтузиастов компания подготовит модули Blitz, которые оснащаются светодиодной подсветкой.

Пока ещё не известно, когда же Avexir планирует представить планки DDR4 частотой 3,40 ГГц, но учитывая, что в настоящее время компания не анонсировала память для энтузиастов, можно предположить, что модель Blitz станет частью этой программы в ближайшие месяцы.

SMART Modular представляет гибрид ОЗУ и SSD

Одной из самых больших проблем оперативной памяти является её энергозависимость. В результате, при потере питания, данные, хранящиеся в памяти, безвозвратно исчезают, что может привести к потере важной информации. В SMART Modular озадачились этой проблемой.

Конечно, они не изобрели новый тип памяти, поэтому разработчики пошли на хитрость, добавив к модулям памяти DDR4 чипы NAND памяти, что позволяет надёжно хранить данные в течение большого промежутка времени.

Гибридная память SART Modular

Используя схему с высокой пропускной способностью, чипы NAND обеспечивают резервное копирование ОЗУ, при необходимости восстанавливая сохранённые данные. Безусловно, NAND память намного медленнее DDR4, поэтому для надёжного создания резервных копий в модулях памяти предусмотрены временные источники питания, которые необходимы для питания системы при отключении энергии. Также разработчики предусмотрели систему коррекции ошибок, которая крайне необходима в операциях резервного копирования и восстановления.

Что касается RAM, то производитель использовал чипы спецификации DDR4 JEDEC частотой 2133 МГц. Напряжение питания такой памяти равно 1,2 В.

О том, по какой цене будут продаваться эти модули, и с каким объёмом ОЗУ, пока не сообщается.

AMD обновляет дорожную карту процессоров

Компания AMD продемонстрировала обновление платформы Toronto. По информации Bitsandchips.it выходит, что AMD хочет на этой платформе обеспечить одновременную поддержку памяти DDR3 и DDR4.

Ускоренные и центральные процессоры Toronto являются частью платформы AMD Opteron, в которой используются ядра Excavator. Ранее утекшая диаграмма демонстрировала поддержку либо памяти DDR3, либо DDR4, но теперь выяснилось, что чипы будут поддерживать оба типа памяти благодаря Dual IMCs (Integrated Memory Controller).

Ранее AMD избегала использования DDR4 памяти, но теперь решила изменить своё решение. В настоящее время платформа Opteron используется в APU Berlin, а Toronto станет его наследником, получив обновление архитектуры Bulldozer. В новом чипе, как APU, так и CPU, будет присутствовать 4 ядра.

Дорожная карта AMD Opteron

Чипы Carrizo изначально должны были поддерживать память DDR4, однако от неё отказались в связи с высокой стоимостью вопроса. С учётом того, что процессоры Toronto предназначены для серверного рынка, цена на реализацию такой поддержки окажется не столь важным фактором, как для потребительского рынка. И если вместе с ростом цены вырастет и производительность, такой шаг можно будет считать успешным. Главное преимущество DDR4 — это использование более плотной памяти с меньшим энергопотреблением, и, конечно же, задел на будущее.

Возможно, что эти слухи не соответствуют действительности, да и представленный слайд не высокого качества, так что будем ждать официальное заявление AMD.

Начались продажи памяти DDR4

Хотя чипсет Intel X99, вместе с процессорами Haswell-E, не поступит в продажу раньше сентября, один производитель памяти уже начал продажи модулей DDR4, пока лишь в Японии.

Стандарт памяти наконец-то получил обновление. Первой платформой, которая её поддерживает, станет Intel с чипсетом X99.

Память DDR4 от SanMax

И для тех, кто хочет заполучить пока бесполезную память DDR4, один компьютерный магазин в Японии уже начал продавать модули объёмом 16 и 32 ГБ по цене в 350 и 685 долларов США соответственно. Конечно, цена немного шокирует, но не забывайте, что это первое предложение на рынке. Предлагаемые модули памяти изготовлены компанией SanMax из чипов производства SKHynix.

Маркировка памяти DDR4 от SanMax

Память DDR4 поддерживает намного большую скорость передачи данных на уровне 2133—4266 МТ/с, в то время как предшественник работал на скоростях 800—2133 МТ/с. Новая память будет иметь и увеличенное количество контактов — 288, по сравнению с 240, и будет питаться напряжением 1,2 В.

Компания Finalwire обновила AIDA64 до версии 4.50

Сегодня компания FinalWire Ltd. анонсировала новую майскую версию за номером 4.50 популярной диагностической и тестовой утилиты AIDA64.

В новой версии набора утилит появился криптографический бенчмарк OpenCL, расширена база данных по новым платформам Intel, появилась поддержка памяти DDR4 и новых видеоускорителей.

AIDA64

Полный перечень изменений приведён ниже:

  • добавлен криптографический бенчмарк OpenCL GPGPU AES-256;
  • расширена диагностика графического акселератора AMD Mantle;
  • добавлена поддержка чипсетов Intel H97 и Z97;
  • улучшена поддержка процессоров Haswell-E и модулей памяти DDR4.
  • добавлена поддержка профилей памяти DDR4 XMP 2;
  • добавлена поддержка SSD A-Data SP;
  • детализирована информация для AMD Radeon R9 295X2 и FirePro W9100;
  • детализирована информация для NVIDIA GeForce GT 740, GeForce GTX Titan Z.

AIDA64 v4.50, доступна в трёх редакциях: Extreme и Business, а также Extreme Engineer для инженеров с разрешением использовать на неограниченном количестве ПК, приобрести которые можно в онлайн-магазине AIDA64.

SK Hynix разрабатывает 128 ГБ модули DDR4

Пока на рынке отсутствуют материнские платы и процессоры с поддержкой памяти DDR4, но это не останавливает производителей памяти. Одним из лидеров этого рынка, как известно, является SK Hynix, и она сделала прорыв в подготовке памяти DDR4 высокой ёмкости.

Этот корейский производитель представил первый в мире модуль ОЗУ DDR4 объёмом 128 ГБ, который основан на 8 Гб чипах компании, изготовленных по 20 нм процессу.

«Разработка первого в мире 128 ГБ модуля DDR4 является важным в открытии серверного рынка ультравысокой плотности», — заявил Сун Джу Хон, глава подразделения DRAM в SK Hynix. «В дальнейшем компания усилит свою конкурентоспособность и сфере премиальной ОЗУ, разрабатывая высокоплотные, сверхвысокоскоростные и слабомощные потребительские продукты».

128 ГБ модуль DDR4 от Hynix

Компания SK Hynix использует технологию TSV (Through Silicon Via) — методику производства, позволяющую пропускать электрические соединения вертикально сквозь кремниевое ядро, что и позволяет удвоить плотность по сравнению с памятью предыдущего поколения. Новая память DDR4 работает со скоростью 2133 МГц и будет способна пропускать данные на скорости 17 ГБ/с по шине шириной 64 бита. Для питания этой памяти необходимо 1,2 В, в то время как DDR3 требуется 1,5 В.

Массовое производство новых 128 ГБ модулей DDR4 должно начаться к первой половине 2015 года. Однако есть большие сомнения, что подобные модули найдут свой путь на потребительском рынке, ведь редко какая материнская плата будет поддерживать более 32 ГБ ОЗУ.

Samsung начала промышленное производство 20 нм памяти DDR4

Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Модуль памяти Samsung DDR4

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Haswell-E — 8 ядер, DDR4

В будущем году компания Intel планирует выпуск своих первых бытовых 8-и ядерных процессоров для энтузиастов, под традиционным названием Haswell-E.

С новой платформой Intel откажется от четырёхъядерных чипов и остановится на 6-и и 8-и ядерных решениях с кэшем L3 вплоть до 20 МБ. Ну и, конечно же, стоит помнить, что технология Hyper Threading позволит использовать 16 логических ядер в каждом таком CPU. Процессоры будут построены по второму поколению 22 нм техпроцесса, что обеспечит их тепловыделение на уровне 130—140 Вт.

Haswell-E

Вместе с новым процессором компания также представит и новый чипсет с кодовым именем Wellsburg, главной особенностью которого станет поддержка четырёхканальной памяти DDR4 частотой 2133 МГц. Кроме того чипсет, который получит имя X99, будет иметь: 6 портов USB 3.0, 8 портов USB 2.0, до 10 портов SATA 6 Гб/с и TDP в 6,5 Вт. Стоит также отметить, что четырёхканальная конфигурация памяти DDR4 позволит на 50% повысить её пропускную способность, по сравнению со старыми трёхканальными версиями.

Haswell-E

Новый процессор получит и новый сокет — LGA 2011-3. Он будет иметь то же количество контактов, что и нынешняя версия сокета, однако они будут иметь другое расположение. Новая конструкция станет более эффективной и позволит Intel улучшить поддержку сокетов.

Чипсет Wellsburg

Что же, восьмиядерные процессоры с четырёхканальной памятью DDR4 наверняка установят новую планку в производительности, практически недостижимую для AMD, даже с её новым 5 ГГц процессором.

DDR4