Новости про DDR4

Так, вместо памяти GDDR5, которая всегда ставилась в видеоплаты GT 1030, теперь устанавливают DDR4. Кроме того, видеочипы имеют пониженное тепловыделение, а их частоты снижены.

Медленная память, несомненно, резко повлияет на производительность. Теоретическая пропускная способность DDR4 составляет 16 ГБ/с, что несравнимо ниже 48 ГБ/с для GDDR5 в картах GT 1030. Кроме того, все частоты GPU также снижены на 5—6%. Тепловыделение этих карт невероятно низкое и составляет 20—30 Вт.

Ожидается, что модели GeForce GT 1030 с памятью DDR4 будут продаваться заметно дешевле, правда, пока цена и доступность не называется.

Выход на эту частоту является важным этапом в работе компании. Совсем недавно для достижения такой частоты требовалось охлаждать память жидким азотом, теперь же память с частотой 5 ГГц станет доступной рядовому пользователю.

Для достижения такой частоты в G.Skill использовали чипы Samsung DDR4 B-die IC, которые являются выбором для большинства производителей быстрой памяти. Работать с этой памятью рекомендуется на материнской плате MSI Z370I GAMING PRO CARBON AC с процессором Intel Core i7-8700K.

К сожалению, в отличие от 4700 МГц модулей, которые будут выпущены во втором квартале, новая память частотой 5000 МГц пока не готова к продаже. В любом случае, 5 ГГц скоро будет нормой для игровых систем.

Наборы DDR4 частотой 4700 МГц выпущены в объёмах 16 ГБ (2х8 ГБ) с использованием микросхем Samsung DDR4 B-die. Память работает на таймингах CL19-19-19-39 при напряжении 1,45 В.

Наборы прекрасно подойдут для материнских плат Intel на чипсетах Z370. Они были протестированы на платах MSI Z370I GAMING PRO CARBON AC с процессором Core i7-8700K. Конечно же, память поддерживает автоматическую настройку по стандарту XMP 2.0.

Пока о сроках появления новой памяти и её цене производитель ничего не сообщает, но продавцы сообщают о продажах во втором квартале 2018 года.

Это позволяет компании выпускать модули того же объёма, что раньше, используя для этого вдвое меньше микросхем. В результате снижается энергопотребление модулей и появляется возможность создания модулей повышенного объёма. Это очень важно, поскольку позволят экипировать сервера от Intel или AMD модулями ОЗУ общим объёмом 4 ТБ.

Чипы SK Hynix 16 Гб DDR4 организованы как 1Gx16 и 2Gx8 и собраны в пакеты FBGA96 и FBGA78. Микросхемы объёмом 16 Гб предлагают скорости DDR4-2133 CL15 или DDR4-2400 CL17 при напряжении 1,2 В. В будущем компания обещает увеличить частоты, выпустив линейки DDR4-2666 CL19.

Для его реализации ADATA решила погрузить память DDR4 в минеральное масло. На данный момент проект Jellyfish представлен маленьким акриловым конвертом, в который вставлен модуль DIMM. Внутри конверта налито минеральное масло. Данное количество масла рассеивает тепло от радиаторов наилучшим образом, при этом не требуются металлические радиаторы. Насколько такая система эффективна говорить пока рано.

Равно, как и рано говорить, появится ли на рынке подобное решение, или так и останется на стадии проекта.

Чтобы достичь такой скорости пришлось немного ослабить тайминги. Так, представленные модули работают на задержке CAS в 17 тиков, что означает реальные задержки на уровне 64 ГБ наборов с пропускной способностью 3200 МТ/с. Большую частоту поможет поддерживать 18-ядерный процессор Core i9-7980XE при тяжёлой многопоточной нагрузке.

Для стабильной работы памяти потребуется установка напряжения в 1,35 В. Она поддерживает XMP 2.0, так что её конфигурация будет предельно простой.

Учитывая нестабильный рынок памяти, производитель не стал называть её стоимость до начала продаж, которая состоится в начале года.

Микросхемы DRAM DDR4 от Samsung, выпущены по второму поколению технологии 10 нм класса, они имеют объём 8 Гб. Они обеспечивают 30% прирост в производительности по сравнению с первым поколением 10 нм класса производства. Энергоэффективность новых микросхем была увеличена на 15%, а 10% прирост производительности обусловлен новыми проприетарными технологиями производства. Среди инноваций компания отметила высокочувствительную систему данных ячеек и прогрессивную схему воздушного зазора.

Новые 8 Гб микросхемы DDR4 могут работать на скорости 3600 Мб/с на контакт, в то время как 8 Гб чипы первого поколения обеспечивают скорость в 3200 Мб/с на контакт.

Компания Samsung уже завершила валидацию памяти второго поколения 10 нм класса у производителей CPU. Следующим шагом компании станет тесное сотрудничество с заказчиками в разработке более эффективных вычислительных систем следующего поколения.

Модули памяти Corsair Vengeance представлены в наборах по 4 планки по 8 ГБ каждая. Хотя память SODIMM традиционно используется в ноутбуках, данные наборы предназначены в первую очередь для компьютеров малого форм-фактора, работающих под управлением чипсетов X299.

Теперь, благодаря новой памяти, энтузиасты могут оснастить свои машины 32 ГБ оперативной памяти частотой 4000 МГц, а также получить максимум преимущества от использования хай-энд процессоров, таких как Intel Core i9 в форм-факторе Mini-ITX и SFF.

Как и остальная современная высокопроизводительная память, данные планки основаны на микросхемах Samsung B-die. Память стабильно работает на таймингах CL19-23-23-45 при напряжении 1,35 В. Настройка режимов работы памяти происходит быстро и просто благодаря XMP 2.0.

К сожалению, о доступности и цене новой памяти пока ничего не сообщается.

Чтобы достичь такой задержки, компании пришлось создать наборы из «надёжных отобранных вручную высокопроизводительных компонентов Samsung B-die DDR4».

Все наборы имеют объём 32 ГБ (4х8 ГБ). Первый основан на памяти DDR4-4000 МГц с таймингами CL17-17-17-37 при напряжении 1,35 В. Есть наборы с такими же таймингами, но частотой 4133 МГц. Правда, эта память работает на напряжении 1,4 В.

Рекордный набор  — DDR4-4266 МГц. Эти планки работают на напряжении 1,45 В и вытягивают тайминги 17-18-18-38.

Каждая из этих конфигураций была протестирована на материнской плате ASUS ROG MAXIMUS X HERO с процессором Intel Core i7-8700K.

Наборы памяти G.Skill CL17 Trident Z RGB появятся в продаже в январе следующего года.

Новые наборы двухканальной памяти выпускаются под маркой Trident Z. Они представлены в наборах 4х8 ГБ общим объёмом 32 ГБ. На частоте 4400 МГц память способна работать при напряжении 1,5 В и с таймингами CL19-19-19-39. Примечательно, что, как и все другие модули с заявленной частотой от 4 ГГц, память DDR4 Trident Z 4400 построена на микросхемах Samsung B-die DDR4.

На изображении приведено стресс-тестирование наборов памяти на материнской плате ASUS ROG MAXIMUS X HERO с процессором Intel Core i7-8700K.

Модули памяти автоматически конфигурируются через профиль Intel XMP 2.0 в BIOS. Конечно, это не остановит фанатов разгона от ручных настроек.

О цене и доступности набора пока не сообщается.