Новости про DDR4

ASRock представляет первую материнскую плату mini-ITX с четырёхканальной памятью

Компания ASRock представила первую в мире материнскую плату форм фактора mini-ITX, которая оснащена процессорным слотом LGA2011v3 и четырёхканальным интерфейсом памяти.

Материнская плата получила номер модели EPC612D4I и относится она к классу серверных платформ. Она предлагает в общей сложности 4 слота DDR4 SO-DIMM, однако пока их нельзя полноценно использовать, поскольку совместимых модулей памяти ещё попросту нет. Плата построена на чипсете Intel C612 и поддерживает процессоры серий Intel Xeon E5-1600/2600 v3.

Материнская плата ASRock EPC612D4I

Платформа оснащена 3 гигабитными сетевыми портами и тремя разъёмам USB 3.0. На ней присутствует единственный слот расширения PCI-Express 3.0 x16, а также 4 порта SATA 6 Гб/с для подключения накопителей. В ней поддерживаются механизмы Wake-On-LAN, Dual LAN с функцией объединения пропускной способности (тиминг), PXE, содержит набор температурных датчиков, тахометров для фронтального, заднего и процессорного вентиляторов и мониторинг напряжений. Плата совместима с операционными системами Microsoft Windows Server 2008 и 2012. Также поддерживаются и основанные на *nix серверные дистрибутивы, такие как Fedora, Ubuntu, SUSE Enterprise Linux Server, CentOS и FreeBSD 9.2.

Сейчас данная материнская плата уже поступила в продажу по цене 265 долларов США.

MSI установила рекорд частоты DDR4

Компания MSI похвасталась новым рекордом производительности памяти DDR4.

Для его достижения компания использовала одну из своих новых материнских плат на базе чипсета Intel X99. С помощью материнской платы MSI X99S XPower AC была установлена максимальная частота для 4 ГБ памяти Kingston HyperX DDR4. Непосредственно разгоном занимался оверклокер Toppc.

Разгон DDR4

Результатом его работы стала абсолютно стабильная память DDR4 в плате X99S XPOWER AC, работающая на невероятной частоте 4351 МГц. При этом режиме компьютер мог использоваться и дальше для выполнения повседневных задач.

По мнению MSI, данный рекорд свидетельствует не только о прекрасных возможностях и функционале материнской платы X99S XPOWER AC, но и о её большой надёжности, которая позволяет эксплуатировать платформу в составе высоконагруженных рабочих станций, выполняющих тяжёлые рассчёты и рендер видео.

Установлен рекорд скорости DDR4

Компания MSI сообщает, что оверклокер с ником Toppc установил новый мировой рекорд для памяти DDR4. На материнской плате MSI X99 SLI Plus он разогнал оперативную память до 4032 МГц, что всего на 17 МГц опережает предыдущий рекорд.

Данная материнская плата является одной из последних разработок компании на базе чипсета Intel X99. Для установления рекорда разгона в ней Toppc применил оперативную память Kingston Hyper X DDR4 4GB. Как несложно догадаться, компания MSI использовала данное достижение чтобы в очередной раз похвалить себя за превосходный арсенал функций разгона, которыми обладает материнская плата.

Разгон памяти Kingston

По словам компании, производительности платы будет достаточно для построения на её основе мощной рабочей станции, предназначенной для тяжёлых расчётов и рендера сцен. Среди главных функций в платформе, MSI назвала наличие Gigabit LAN от Intel, поддержку NVIDIA SLI, поддержку накопителей Turbo M.2 со скоростью до 32 Гб/с, интерфейса SATA Express со скоростью до 10 Гб/с. Также фирма похвасталась наличием на плате технологии Guard-Pro и компонентов военного класса 4, что должно обеспечить стабильную и надёжную работу.

Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

Samsung

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Микросхемы памяти Samsung LPDDR4

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

TeamGroup выпускает первую в мире 16 ГБ память DDR4

TeamGroup Inc. анонсировала свои новые наборы модулей памяти DDR4 2666 объёмом 64 ГБ (4х16 ГБ) для оверклокинга, что делает их самой ёмкой памятью в мире.

Этот новый продукт разделён на две параллельные серии, представленные в четырёх цветовых схемах.

Память DDR4 Team Dark

Серия Team Dark использует специально сконструированный радиатор, который может обеспечить наилучшее охлаждение и превосходную производительность для оверклокеров. Модельный ряд Team Vulcan сохраняет размеры стандартного модуля, что делает его гарантированно совместимым с широким спектром материнских плат и предохраняет от несовместимости с большими кулерами процессора.

Память DDR4 Team Vulcan

Кроме наборов DDR4 2666 64GB, TeamGroup также предлагает память того же типа в наборах общим объёмом 4, 8 или 16 ГБ. Все модули памяти оснащаются алюминиевыми радиаторами и построены на 8-слойных печатных платах.

О цене и доступности пока ничего не сообщается.

Transcend анонсирует серверную DDR4 память частотой 2133 МГц

Компания Transcend Information с гордостью представила три новых модуля памяти DDR4 серверного класса.

В их число вошли модели RDIMM объёмом 8 ГБ и 16 ГБ частотой 2133 МГц со скоростью передачи данных в 17 ГБ/с, а также сверхнизкопрофильные модули объёмом 16 ГБ.

В пресс-релизе производитель утверждает, что планки памяти полностью совместимы с семейством процессоров Intel Xeon E5-2600 v3. Также память может похвастать высокой ёмкостью, превосходной производительностью, сверхнизким энергопотреблением при напряжении питания 1,2 В, а также увеличенной надёжностью. Всё это делает представленные модули превосходным решением для облачных вычислений, виртуализации и высокопроизводительных вычислительных технологий.

Модули памяти RDIMM Transcend

Что касается, низкопрофильных модулей DDR4 VLP RDIMM, то они примечательны высотой планки всего в 2 см, что прекрасно подходит для применения в современных системах с ограниченным пространством, таких как блейд серверы. Благодаря же меньшему вертикальному размеру, эти модули не препятствуют движению воздуха внутри корпуса, упрощая и удешевляя систему охлаждения.

Все представленные модули DDR4 от Transcend обеспечены ограниченной пожизненной гарантией. О сроках начала продаж модулей пока не сообщается.

Samsung изготовила 8 Гб микросхемы DDR4

Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

32 ГБ модуль памяти DDR4 от Samsung

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

SK Hynix разрабатывает самые плотные модули памяти

Корпорация SK Hynix объявила о разработке самых плотных в мире NVDIMM (Non Volatile DIMM) модулей памяти объёмом 16 ГБ, основанных на 4 Гб чипах DDR4. Производство чипов использует собственный 20 нм процесс компании.

Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.

16 ГБ NVDIMM модули от Hynix

SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.

Память G.SKILL DDR4 разогнали до 4 ГГц

Компания G.SKILL International Co. Ltd. с гордостью сообщает о том, что память DDR4 её производства установила новый рекорд частоты на уровне 4004 МГц.

Для достижения этого результата G.SKILL использовала платформу Asus ROG X99 Rampage V с процессором Intel Core i7 5930k. Данная установка, как обычно и происходит, охлаждалась жидким азотом. В качестве ОЗУ в систему была установлена новая линейка памяти Ripjaws 4. Для того, чтобы увеличить потенциал разгона частота микропроцессора была занижена до 2184,24 МГц. В результате удалось достичь частоты модулей памяти 4004,4 МГц.

Память Ripjaws 4 от G.Skill

Компания G.SKILL никогда не оставляла попыток достичь предела, и в последние месяцы активно пыталась разработать память для работы с Intel X99, и теперь эти усилия щедро вознаграждены.

Разгон памяти G.Skill

Результаты разгона были подтверждены CPU-Z.