Новости про DDR4

Crucial выпускает память NVDIMM

Компания Crucial (Micron) выпустила модули памяти NVDIMM для серверов. Интересными эти модули делают то, что они объединяют микросхемы DRAM и NAND на одной планке.

Таким образом, эти модули работают как оперативная память, однако в случае отключения питания, все данные оказываются сохранёнными в энергонезависимой памяти.

Crucial NVDIMM

Модули NVDIMM содержат энергонезависимую память, которая помещается в обычные слоты серверов DDR4. Модули с 288 контактами обеспечивают скорость 2133 МТ/с и пропускную способность в 17 ГБ/с. Память работает на стандартизованном JEDEC напряжении в 1,2 В.

Crucial NVDIMM

При сбое по питанию или иному прерыванию нормальной работы системы, контроллер переводит сигналы в модуль, и таким образом данные из ОЗУ переносятся в энергонезависимую память. При восстановлении питания контроллер записывает данные обратно в системную память, и весь сервер может продолжать работу, как и до выключения. Производитель продаёт NVDIMM в виде отдельных модулей и в форм факторе 2,5”, «объединённым с конденсатором PowerGem от AgigA Tech, который постоянно поддерживает питание DIMM при сбоях».

Crucial NVDIMM

Сейчас Crucial предлагает только модули объёмом 8 ГБ. Версия ёмкостью 16 ГБ будет представлена немного позднее.

Установлен очередной рекорд разгона ОЗУ

G.SKILL с гордостью сообщает, что ей удалось побить рекорд разгона оперативной памяти DDR4, который теперь составляет 5189,2 МГц. Данный рекорд установлен в ходе Computex, где были побиты 12 рекордов в 8 бенчмарках.

В ходе 5 дней выставки результаты тестирования в бенчмарках были подняты на новый уровень, для чего использовалась память DDR4 от G.SKILL на базе микросхем Samsung, процессоры Intel Core i7, видеокарты NVIDIA последнего поколения и материнские платы на базе чипсетов Z170/X99.Как видно из таблицы рекордов, наилучшего результата удалось достичь при использовании процессора Core i7 6700K и материнсколй платы ASRock Z170M OC Formula, однако компания выразила благодарность всем производителям аппаратного обеспечения, включая MSI, ASUS, EVGA, GIGABYTE и ASRock.

Призёры соревнования оверклокеров

Компания отметила, что рекорда удалось достичь благодаря высокому профессионализму оверклокеров, которые грамотно подобрали настройки BIOS, модифицировали аппаратную часть, контролировали температуру жидким азотом, доводя производительность каждого узла системы до предела.

Установлен рекорд разгона DDR4 до 5 ГГц

Известный бренд G.Skill сообщил о том, что модули памяти Trident Z DDR4 достигли рекордной частоты в 5 ГГц.

Модуль памяти DDR4 Trident Z объёмом 4 ГБ был разогнан до невероятной частоты в 2501,2 МГц или 5002,4 МГц эффективной частоты. Разгон осуществлялся на материнской плате MSI Z170I Gaming Pro AC и процессоре Intel Skylake Core i5-6600K. Безусловно, разгон проводился с охлаждением жидким азотом. Разгон осуществлялся известным оверклокером Toppc, который многократно находился в топе HWBOT. Задержки памяти составляли 31-31-31-63. Дело в том, что при разгоне основной упор делался на частоту, а не на тайминги. Примечательно, что разгон осуществлялся на плате форм фактора mini-ITX.

Память G.Skill Trident Z

Разгон G.Skill Trident Z

Частота 5 ГГц долгое время была главным порогом производительности, которого стремились достичь все производители и оверклокеры. Именно поэтому корпоративный вице-президент G.Skill Текила Хуан выразил «крайнюю радость от достижения столь значимой величины благодаря компонентам Samsung и материнской плате MSI». При этом он пообещал продолжать ставить аппаратное обеспечение на пределы его возможностей, предлагая ещё более совершенные продукты.

Результаты разгона G.Skill Trident Z

Samsung представила 10 нм память LPDDR4

Компания Samsung представила мобильную память LPDDR4 объёмом 6 ГБ, изготовленную по 10 нм техпроцессу. По слухам, эта память будет использована в смартфоне Galaxy Note 6, который поступит в продажу в августе этого года.

Отмечается, что новый смартфон получит 5,8” AMOLED дисплей «Slim RGB» и будет основан на процессоре Snapdragon 823. Также платформа получит 6 ГБ оперативной памяти. Также, по слухам, Galaxy Note 6 получит сканер роговицы.

Samsung LPDDR4

По всей видимости, Note 6 станет первым смартфоном от Samsung, оснащённым 6 ГБ памяти LPDDR4.

Будучи изготовленной по 10 нм технологии, новая память обеспечит большую производительность при меньшем энергопотреблении, что означает увеличение времени автономной работы. Сообщается, что компания уже занята разработкой прошивки для данного смартфона, который должен появиться в продаже в августе.

Память G.Skill преодолела 4 ГГц барьер

Уже давно мы используем оперативную память частотой более 1 ГГц, и новые модули DDR4 G.Skill вывели частоту на новые горизонты. Благодаря набору модулей Trident Z объёмом 8 ГБ и 16 ГБ теперь вы сможете работать с ОЗУ частотой более 4266 МГц.

Вся плата, вместе с микросхемами, спрятана под алюминиевым радиатором. Будучи доступной в серебристом и чёрном цвете с различной цветовой маркировкой, зависящей от модели, данные модули вряд ли станут эталоном дизайна, однако они обеспечат беспрецедентную производительность.

G.Skill Trident-Z DDR4

Самым быстрым решением стали наборы объёмом 16 ГБ (2х8 Гб) частотой 4266 МГц. При этом тайминги памяти составляют 19-23-23-43. В то же время менее производительное решение серии поставляется в наборах по 64 ГБ и при таймингах 14-14-14-34 работает на частоте 3466 МГц. С обратной стороны модельного ряда расположились наборы объёмом от 8 ГБ до 64 ГБ с частотой 3200 МГц при таймингах 13-13-13-33. Все три модели питаются напряжением 1,35 В, так что вполне возможно, для ещё большего ускорения его стоит немного увеличить.

Если вы заинтересовались новым предложением G.Skill, то у вас ещё есть время внимательно обдумать покупку, поскольку в продажу новые Trident Z поступят только в июне.

G.Skill выпускает память DDR4-4333, работающую только с ASRock Z170M OC Formula

Компания ASRock объявила, что новые хай-энд модули памяти Trident-Z DDR4 частотой 4333 МГц работоспособны исключительно в материнской плате mATX Z170M OC Formula.

Новые модули памяти  Trident-Z DDR4 частотой 4333 МГц нельзя найти на сайте G.Skill, но, скорее всего, они будут аналогичны нынешним наборам Trident Z DDR4-4266 по 8 ГБ, которые работают на таймингах CL19-26-26-46 с напряжением 1,40 В. И именно этот набор памяти смог установить рекорд частоты, который составил 4901 МГц.

G.Skill Trident-Z DDR4-4333

По информации ASRock, материнская плата Z170M OC Formula является единственной, где можно использовать данную память прямо из коробки. Это возможно благодаря грамотному дизайну платы, который включает 10 слоёв и 14+2 фазы ШИМ.

Как нетрудно догадаться, данные модули памяти предназначены для экстремального разгона в системах, основанных на процессорах Intel 6-го поколения.

Наверняка, представленная память окажется работоспособной и на многих других материнских платах хай-энд класса, однако пока монопольное положение держит ASRock. К сожалению, ни о цене, ни о дате выпуска Trident-Z DDR4-4333 пока ничего не известно.

Samsung начинает массовое производство 10 нм памяти DDR4

Компания Samsung приступила к массовому производству «первых в мире 10 нм, 8 Гб чипов DRAM DDR4», а также модулей памяти, основанных на этих чипах.

По уверению разработчиков, новая память обеспечит лучшие скорости передачи данных и повышенную энергоэффективность, по сравнению с предыдущей памятью 20 нм класса. Так, прирост составит до 30%, а чипы смогут поддерживать передачу данных на скорости до 3200 Мб/с.

Что касается энергоэффективности, то она возрастёт на 10—20%. Этого удалось добиться благодаря фирменной конструкции ячеек памяти Samsung, новой технологии литографии и технологии осаждения сверхтонкого диэлектрического слоя.

Оперативная память Samsung

Кроме энергоэффективности это позволило повысить и качество. В своём блоге компания отметила, что при переходе на 10 нм производство 8Gb DDR4 DRAM количество брака на пластинах снизилось более чем на 30%.

Следующим шагом в развитии памяти, компания Samsung видит выпуск более плотных 10 нм чипов мобильной ОЗУ, которая будет иметь меньшие габариты и большую скорость работы.

Также не будут забыты и пользователи PC, которые получат модули памяти объёмом от 4 ГБ для ПК и ноутбуков до 128 ГБ для промышленных серверов. Эти модули памяти южнокорейская компания планирует выпустить в текущем году.

Corsair представила память DDR4 частотой до 3,6 ГГц

Компания Corsair представила новые модули памяти DDR4, которые поддерживают частоту до 3600 МГц. Наборы будут доступны в объёмах 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ.

Топовый набор Vengeance LPX 128GB состоит из 8 модулей объёмом по 16 ГБ с частотой 3000 МГц. Планки имеют полную поддержку XMP 2.0 и работают на напряжении 1,35 В с таймингами CL16-18-18-36. Средний набор, Vengeance LPX 64GB, также состоит из модулей объёмом 16 ГБ, однако пиковая частота 4 планок набора составляет 3333 МГц при том же напряжении и таймингах. Самый маленький набор, Vengeance LPX 32GB, представлен восемью модулями по 8 ГБ частотой 3600 МГц, питающим напряжением 1,35 В и таймингами CL16-19-19-39.

Память DDR4 Corsair Vengeance LPX

Все три версии оснащены чёрными фирменными радиаторами Corsair, при этом в больших вариантах доступны также красные радиаторы. Кроме того, модули оснащаются системой вентиляции Corsair Vengeance Airflow, которая включает 40 мм вентилятор, устанавливаемый на обратную сторону планок.

Наборы памяти Vengeance LPX объёмом 128 ГБ, 64 ГБ и 32 ГБ уже поступили в продажу по цене 1174, 549 и 349 долларов США соответственно.

G.SKILL анонсирует наборы памяти частотой 3 ГГц

Компания G.SKILL International Enterprise, Ltd., известный производитель игровой периферии и оперативной памяти представила новые наборы ОЗУ, которые стали самыми быстрыми в мире для платформы Intel X99.

Месяц назад компания подготовила наборы памяти DDR4 частотой 3200 МГц и объёмом 64 ГБ для платформы Intel Skylake с чипсетом Z170. Теперь же G.SKILL занялась самым свежим поколением экстремальных процессоров Intel, представив 128 ГБ (8x16 ГБ) наборы памяти DDR4 с частотой 3000 МГц и сверхнизкими таймингами CL14-14-14-34. Таким образом, анонсированные модули стали поистине одним из самых быстрых решений на рынке DDR4, позволяя построить превосходную рабочую станцию для создания контента, научных вычислений или 3D рендера.

Память G.Skill Ripjaws V

Свежепредставленные модули памяти соответствуют стандарту Intel XMP2.0. Для демонстрации работы фирма представила результаты стресс-тестирования набора памяти DDR4 на материнской плате Asus ROG Rampage V Extreme с процессором Intel Core i7-5820K.

Валидация памяти

Компания сообщила, что новая память для платформы X99 будет включена в модельный ряд Ripjaws V и поступит в продажу к концу этого месяца через сеть авторизованных дилеров.

ASRock позволит разгонять память не с чипсетом Z170

Как известно, память DDR4 поддаётся разгону лишь на материнских платах с чипсетом Intel Z170, однако компания ASRock решила исправить ситуацию, представив технологию Non-Z OC, которая позволяет разогнать ОЗУ на чипсетах B150, H170 и H110.

Эта технология позволяет автоматически разгонять модули памяти на материнских платах ASRock. Функция очень похожа на ту, которую можно встретить в UEFI BIOS на платах ASRock Z170. Там частота может быть поднята с 2133 МГц до 2800 МГц.

ASRock DDR4 Non-Z OC

Определить, поддерживает ли ваша плата и модули памяти разгон, как на Z-платах, так и на остальных, можно по специальному логотипу ASRock, который в случае поддержки имеет золотой отлив.

Золотая подсветка для Non-Z OC

Список не-Z170 плат ASRock, которые поддерживают DDR4 Non-Z OC, приведён ниже, однако компания обещает в ближайшее время его расширить.

Поддержка DDR4 Non-Z OC

Ранее ASRock также выпускала решения по разгону ОЗУ на платах не с чипсетом серии Z. Так, в 2013 году фирма обеспечила разгон на платах Intel H87 и B85.