Новости про DDR4

Transcend выпускает модули DDR4 SO-DIMM для экстремальных условий

Компания Transcend заявила о выпуске модулей памяти DDR4 SO-DIMM, которые могут работать при экстремальных температурах.

Они были созданы для промышленных компьютеров, компьютеров специального назначения, POS терминалов, банкоматов и прочих систем, работающих в режиме 24/7.

Компания отмечает, что модули могут безопасно использоваться в компьютерах малого форм фактора без дополнительного охлаждения в течение продолжительного периода.

Модули памяти Transcend DDR4 2400 SO-DIMM 1R

Для этого Transcend использовала на печатных платах конденсаторы промышленного уровня с позолоченными контактами (толщина слоя золота 30 мкм), которые способны выдерживать вибрацию, электромагнитные возмущения и экстремальные температуры в диапазоне от –40°C до +85°C.

Это значит, что модели памяти можно смело использовать как в Антарктиде, так и в пустыне Деште-Лут. На практике же, они найдут себе применение в малогабаритных промышленных компьютерах, военных системах и встраиваемых системах с недостаточным охлаждением.

Модули SO-DIMM основаны на 8 Гб чипах Samsung и предлагаются в 8 ГБ и 16 ГБ версиях. Скорость работы модулей составляет 2400 МТ/с при напряжении 1,2 В, что означает их полную совместимость с промышленными и встраиваемыми маломощными CPU, поддерживающими DDR4.

О цене на модули памяти в официальном релизе ничего не говорится.

G.Skill представила самые быстрые наборы памяти Trident Z

Компания G.Skill анонсировала новые наборы памяти Trident Z DDR4 64GB (4x16GB), которые работают на частоте 3600 МГц при тайминге CL17.

Два месяца после анонса наборов Trident Z DDR4-3866, компания G.Skill расширила границы частотного диапазона и для 64 ГБ наборов, модули в которых при частоте 3600 МГц и напряжении 1,35 В обладают таймингами CL17-19-19-39.

Память G.Skill Trident Z DDR4 64GB

Четыре модуля памяти, входящие в представленные наборы, основаны на микросхемах Samsung 8Gb и оснащены фирменным радиатором Trident Z. Компания отметила, что тестировала свою память на материнских платах Asus Z170-Deluxe с процессорами Intel Core i5-6600K.

Память G.Skill Trident Z DDR4 64GB

В продажу наборы G.Skill Trident Z DDR4-3600 64GB должны поступить в декабре, однако о цене пока ничего не сообщается.

Тестирование G.Skill Trident Z DDR4 64GB

Geil выпускает модули памяти с подсветкой

Компания Geil начала продажи модулей памяти Evo X RGB DDR4. Данная память уникальна тем, что способна подключаться к светодиодному разъёму, присутствующему на некоторых материнских платах. Такой подход позволяет изменять цвета подсветки и управлять световыми эффектами модулей, используя фирменное ПО производителя материнской платы.

Для использования этой памяти вам придётся приобрести необходимые провода для подключения дополнительного питания светодиодов. Конечно, память будет работать и без дополнительного подключения, но светиться она не будет.

Geil Evo X RGB DDR4

Однако куда большая проблема заключается в том, что на рынке есть лишь несколько материнских плат с разъёмом для подключения светодиодов. Конечно, подключить светодиоды памяти можно и в вентиляторный разъём, однако для этого потребуется ещё больше проводов, а также лишает возможности управлять яркостью и цветом подсветки.

Geil Evo X RGB DDR4

Память Geil Evo X RGB DDR4 выпускается наборами по две планки объёмом от 4 ГБ до 8 ГБ каждая. Частота RAM составляет 3000 МГц или 3200 МГц, а напряжение питания составляет 1,35 В.

Стоимость наборов варьируется от 70 до 115 долларов США.

Samsung выпустила 8 ГБ модули ОЗУ

Похоже, что в скором будущем мы увидим смартфоны, оснащённые 8 ГБ оперативной памяти, поскольку компания Samsung приступила к выпуску 8 ГБ модулей оперативной памяти в крошечном пакете.

В представленных модулях использована память типа LPDDR4, изготавливаемая по 10 нм технологии. Распространение 64-битной архитектуры в SoC для смартфонов позволило устанавливать в портативные устройства больше 4 ГБ ОЗУ, однако многие производители, включая Samsung, пока не заинтересованы в этом. Выпустив же 8 ГБ модули стоит ожидать, что южнокорейские флагманы будущего года могут получить целых 8 ГБ ОЗУ.

Samsung LPDDR4 объёмом 8 ГБ

Память LPDDR4 сейчас является самой быстрой среди всей памяти с низким энергопотреблением. По словам Samsung, представленная ею RAM находится в том же классе, что и память для ПК, только работает на частоте вдвое большей, которая составляет 4266 МГц.

Благодаря 10 нм техпроцессу удалось создать модули размером 15х15х1 мм. Столь малая толщина также позволяет размещать их поверх других чипов.

Пока цель использования этих модулей в смартфонах не совсем понятна, однако в планшетах и производительных устройствах 2-в-1 она может прийтись кстати.

Производители ноутбуков переходят на встраиваемую память

Производители ноутбуков начинают массово переходить на встраиваемую оперативную память, отказываясь от DIMM модулей. Таким образом, лэптопы на базе процессоров Apollo Lake могут стать ещё тоньше.

Процессоры Apollo Lake, которые характеризуются 14 нм размером элементов, низким энергопотреблением, неплохой производительностью и малыми размерами, увеличивают свою популярность, а вместе с тем конструкторы лэптопов переходят к впаиванию микросхем памяти непосредственно в материнскую плату. Такой шаг позволит производителям сделать ноутбуки ещё тоньше.

Intel Apollo Lake

Количество ноутбуков, использующих LPDDR4, также увеличилось, поскольку производители продолжают прикладывать усилия по минимизации энергопотребления, увеличению производительности и увеличению срока автономной работы.

В качестве примера приведены ультратонкие ноутбуки Acer Aspire S 15 и S 17, которые имеют толщину менее 17 мм. Другие же производители, включая Lenovo, Asustek Computer, HP и Dell, во втором полугодии также должны сфокусироваться на ультратонких моделях и устройствах 2-в-1.

Crucial выпускает память NVDIMM

Компания Crucial (Micron) выпустила модули памяти NVDIMM для серверов. Интересными эти модули делают то, что они объединяют микросхемы DRAM и NAND на одной планке.

Таким образом, эти модули работают как оперативная память, однако в случае отключения питания, все данные оказываются сохранёнными в энергонезависимой памяти.

Crucial NVDIMM

Модули NVDIMM содержат энергонезависимую память, которая помещается в обычные слоты серверов DDR4. Модули с 288 контактами обеспечивают скорость 2133 МТ/с и пропускную способность в 17 ГБ/с. Память работает на стандартизованном JEDEC напряжении в 1,2 В.

Crucial NVDIMM

При сбое по питанию или иному прерыванию нормальной работы системы, контроллер переводит сигналы в модуль, и таким образом данные из ОЗУ переносятся в энергонезависимую память. При восстановлении питания контроллер записывает данные обратно в системную память, и весь сервер может продолжать работу, как и до выключения. Производитель продаёт NVDIMM в виде отдельных модулей и в форм факторе 2,5”, «объединённым с конденсатором PowerGem от AgigA Tech, который постоянно поддерживает питание DIMM при сбоях».

Crucial NVDIMM

Сейчас Crucial предлагает только модули объёмом 8 ГБ. Версия ёмкостью 16 ГБ будет представлена немного позднее.

Установлен очередной рекорд разгона ОЗУ

G.SKILL с гордостью сообщает, что ей удалось побить рекорд разгона оперативной памяти DDR4, который теперь составляет 5189,2 МГц. Данный рекорд установлен в ходе Computex, где были побиты 12 рекордов в 8 бенчмарках.

В ходе 5 дней выставки результаты тестирования в бенчмарках были подняты на новый уровень, для чего использовалась память DDR4 от G.SKILL на базе микросхем Samsung, процессоры Intel Core i7, видеокарты NVIDIA последнего поколения и материнские платы на базе чипсетов Z170/X99.Как видно из таблицы рекордов, наилучшего результата удалось достичь при использовании процессора Core i7 6700K и материнсколй платы ASRock Z170M OC Formula, однако компания выразила благодарность всем производителям аппаратного обеспечения, включая MSI, ASUS, EVGA, GIGABYTE и ASRock.

Призёры соревнования оверклокеров

Компания отметила, что рекорда удалось достичь благодаря высокому профессионализму оверклокеров, которые грамотно подобрали настройки BIOS, модифицировали аппаратную часть, контролировали температуру жидким азотом, доводя производительность каждого узла системы до предела.

Установлен рекорд разгона DDR4 до 5 ГГц

Известный бренд G.Skill сообщил о том, что модули памяти Trident Z DDR4 достигли рекордной частоты в 5 ГГц.

Модуль памяти DDR4 Trident Z объёмом 4 ГБ был разогнан до невероятной частоты в 2501,2 МГц или 5002,4 МГц эффективной частоты. Разгон осуществлялся на материнской плате MSI Z170I Gaming Pro AC и процессоре Intel Skylake Core i5-6600K. Безусловно, разгон проводился с охлаждением жидким азотом. Разгон осуществлялся известным оверклокером Toppc, который многократно находился в топе HWBOT. Задержки памяти составляли 31-31-31-63. Дело в том, что при разгоне основной упор делался на частоту, а не на тайминги. Примечательно, что разгон осуществлялся на плате форм фактора mini-ITX.

Память G.Skill Trident Z

Разгон G.Skill Trident Z

Частота 5 ГГц долгое время была главным порогом производительности, которого стремились достичь все производители и оверклокеры. Именно поэтому корпоративный вице-президент G.Skill Текила Хуан выразил «крайнюю радость от достижения столь значимой величины благодаря компонентам Samsung и материнской плате MSI». При этом он пообещал продолжать ставить аппаратное обеспечение на пределы его возможностей, предлагая ещё более совершенные продукты.

Результаты разгона G.Skill Trident Z

Samsung представила 10 нм память LPDDR4

Компания Samsung представила мобильную память LPDDR4 объёмом 6 ГБ, изготовленную по 10 нм техпроцессу. По слухам, эта память будет использована в смартфоне Galaxy Note 6, который поступит в продажу в августе этого года.

Отмечается, что новый смартфон получит 5,8” AMOLED дисплей «Slim RGB» и будет основан на процессоре Snapdragon 823. Также платформа получит 6 ГБ оперативной памяти. Также, по слухам, Galaxy Note 6 получит сканер роговицы.

Samsung LPDDR4

По всей видимости, Note 6 станет первым смартфоном от Samsung, оснащённым 6 ГБ памяти LPDDR4.

Будучи изготовленной по 10 нм технологии, новая память обеспечит большую производительность при меньшем энергопотреблении, что означает увеличение времени автономной работы. Сообщается, что компания уже занята разработкой прошивки для данного смартфона, который должен появиться в продаже в августе.

Память G.Skill преодолела 4 ГГц барьер

Уже давно мы используем оперативную память частотой более 1 ГГц, и новые модули DDR4 G.Skill вывели частоту на новые горизонты. Благодаря набору модулей Trident Z объёмом 8 ГБ и 16 ГБ теперь вы сможете работать с ОЗУ частотой более 4266 МГц.

Вся плата, вместе с микросхемами, спрятана под алюминиевым радиатором. Будучи доступной в серебристом и чёрном цвете с различной цветовой маркировкой, зависящей от модели, данные модули вряд ли станут эталоном дизайна, однако они обеспечат беспрецедентную производительность.

G.Skill Trident-Z DDR4

Самым быстрым решением стали наборы объёмом 16 ГБ (2х8 Гб) частотой 4266 МГц. При этом тайминги памяти составляют 19-23-23-43. В то же время менее производительное решение серии поставляется в наборах по 64 ГБ и при таймингах 14-14-14-34 работает на частоте 3466 МГц. С обратной стороны модельного ряда расположились наборы объёмом от 8 ГБ до 64 ГБ с частотой 3200 МГц при таймингах 13-13-13-33. Все три модели питаются напряжением 1,35 В, так что вполне возможно, для ещё большего ускорения его стоит немного увеличить.

Если вы заинтересовались новым предложением G.Skill, то у вас ещё есть время внимательно обдумать покупку, поскольку в продажу новые Trident Z поступят только в июне.