Новости про 5 нм

Intel планирует 1,4 нм процессоры через 10 лет

Компания Intel уже технологически на несколько лет отстаёт от AMD, однако это не мешает ей планировать будущие разработки.

Доктор Айэн Кёртесс, присутствующий на мероприятии IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), увидел и опубликовал технологическую дорожную карту Intel на ближайшие 10 лет.

Технологическая дорожная карта Intel "Мы верим в Мура"

Согласно новым планам, несмотря на явные проблемы с реализацией 10 нм технологии, уже в 2021 год компания перейдёт на 7 нм производство процессоров. В 2023 году нас ждут 5 нм процессоры, 3 нм в 2025 году, а 2 нм в 2027 году. Интересно, что это не предел, и уже в 2029 году фирма перейдёт на процесс с размером элементов в 1,4 нм. Таким образом, фирма планирует переходить на более тонкий техпроцесс каждые два года. Что касается размера в 1,4 нм, то по словам Кёртесса это «эквивалентно размеру 12 атомов кремния». Просто поразительно.

TSMC готовится к переходу на 5 нм

Лидирующий производитель микросхем, компания TSMC, готовится к переходу на процесс 5 нм литографии. Согласно заявлений компании, отпечатки уже лучше, чем современные 7 нм, превзойдя их на 50%.

Конечно, о качестве можно говорить с учётом разных факторов, включая размер ядра и сложность чипа, однако такие заявления уже дают уверенность клиентам компании, что по 5 нм технологии они получат больше годной продукции, чем сейчас по 7 нм нормам.

Что касается перехода на новую технологию для производства больших процессоров, то China Times сообщает об ожидаемом выпуске

TSMC

AMD Zen 4 по 5 нм процессу. Также ожидается, что по 5 нм нормам будут выпущены и мобильные процессоры Apple A14 и новые HiSilicon Kirin.

Будущий 5 нм процесс позволит увеличить энергоэффективность будущих процессоров, а плотность чипов увеличится на 80%. Если сравнить ARM Cortex A72, изготовленный по 7 нм и 5 нм нормам, то логическая плотность будет увеличена в 1,8 раза, а производительность можно будет поднять на 15%, либо снизить энергопотребление на 30%.

Будущие Zen ориентируются на изменения архитектуры

Будущее процессоров Zen связано с изменениями архитектуры, а не только техпроцесса производства. Об этом сообщила исполнительный директор AMD Лиза Су.

Успех Zen 2 связан с тремя факторами: технологией изготовления, улучшенной конструкцией ядра и инновационным чиплетом, подходящим к производству процессора. Много внимания уделялось новой 7 нм технологии производства, которая не только повысила энергоэффективность, но и позволила поднять частоты и уплотнить транзисторы.

Процессор AMD Ryzen

В ходе отчёта за III квартал Лиза Су сообщила, что будущие процессоры Zen будут полагаться не только на улучшения техпроцесса. Теперь фирма будет в основном полагаться на изменения в архитектуре. Она отметила, что переход на 5 нм процесс произойдёт в своё время, однако главным движителем изменений будет именно архитектура.

Тем не менее, вряд ли возможны сильные изменения архитектуры без новой технологии производства. Достаточно вспомнить Intel, которая застряв на 14 нм производстве не внесла сколь-либо значимых изменений в сам CPU. И сейчас для AMD очень важно не повторить эту ошибку.

Qualcomm Snapdragon 875 может стать первым 5-нанометровым чипом

Компания Qualcomm в этом году должна представить процессор Snapdragon 865, а первые устройства на его основе появятся уже в 2020 году. Следующим флагманом компании станет Snapdragon 875, планируемый на 2021 год.

Согласно последним слухам, эта SoC будет изготавливаться TSMC по новому 5 нм техпроцессу. В то время как Snapdragon 865 будет произведен Samsung по 7 нм EUV процессу.

SoC Qualcomm Snapdrgon 855

Ожидается, что Snapdragon 875 будет построен с учётом 5G. Будучи изготовленным по 5 нм нормам он будет содержать 171,3 миллиона транзисторов на квадратный миллиметр. Смартфоны на его основе появятся в 2021 или 2022 годах.

ARM: стоимость 5 нм чипов — астрономическая

Последние 20 лет производители чипов постоянно уменьшали размеры элементов, чтобы получить преимущества. Это приводило к снижению энергопотребления и повышению производительности при сокращении стоимости.

Однако теперь наступает технологический тупик, и для дальнейшего роста производительности необходимо думать над другой конструкцией микросхем.

Сайт EE Times взял интервью у исполнительного директора ARM Саймона Сегарса, который выразил мнение, что лишь несколько компаний смогут использовать 5 нм конструкции, поскольку стоимость проектирования для этого процесса — астрономическая.

«Стоимость проектирования 5 нм чипов будет астрономической… что ограничивает использование технологии до нескольких компаний, которые могут амортизировать её на разных моделях. Из-за закона Мура вы вынуждены тяжелее трудиться, и уже нет лёгких путей для оптического масштабирования».

В то же время Санджай Мехротра, исполнительный директор Micron, рассказал о влиянии закона Мура на сектор производства памяти. Он сообщил, что ожидает появление NAND стеков из более 200 слоёв, а в области DRAM компания рассматривает шесть техпроцессов, которые заменят традиционные. «Мы хотим использовать EUV в больших объёмах, пока она финансово эффективна», — заявил Мехротра.

TSMC ускоряет переход на 5 нм

Компания TSMC приступила к рисковому производству чипов по 5 нм нормам. К массовому производству эта технология будет доступна в первой половине 2020 года.

По имеющимся данным, данный процесс позволит на 45% сократить занимаемую микросхемой площадь и увеличить производительность на 15% по сравнению с нынешними 7 нм чипсетами.

У компании уже готова технология 7 нм+. Она предлагает снижение энергопотребления на 6—12 процентов и позволяет увеличить плотность транзисторов на 20%, по сравнению с нынешним 7 нм процессом. Микросхемы, изготовленные по технологии 7 нм+, будут доступны уже в этом году.

TSMC

На обновлённую технологию уже есть заказчики. В первую очередь — Apple, которая заказывает процессоры для iPhone эксклюзивно у TSMC. Также по этому процессу будут изготавливать новые топовые SoC Snapdragon по заказу Qualcomm.

Следующее поколение, 5 нм+, также находится на этапе разработки. Рисковое производство по этой технологии планируется на первый квартал 2020 года, а массовое производство — на 2021 год.

TSMC готовит 7 нм EUV производство на этот квартал

Сайт DigiTimes сообщает, что компания TSMC близка к началу производства продукции по 7 нм EUV технологии. Источником информации выступил китайский ресурс Commercial Times.

По имеющимся данным, по новой технологии компания начнёт производить новое поколение флагманских SoC HiSilicon. Эта серия чипов Kirin 985 будет выпущена по 7 нм нормам с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии. В TSMC называют этот процесс N7+.

В дополнение TSMC готовит усовершенствованную версию этого процесса, которая будет использована для выпуска процессоров A13, запланированных Apple для iPhone этого года. Этот процесс, названный N7 Pro, будет готов к массовому производству к концу II квартала.

Что касается 5 нм технологии, то первые микросхемы по этим нормам должны быть изготовлены компанией также в текущем году.

TSMC делает успехи в 5 нм технологии

Мир пятинанометровых устройств стал чуточку ближе благодаря компании TSMC, которая заявила об окончании разработки соответствующей инфраструктуры.

Новая 5 нм технология от TSMC будет выпущена со вторым поколением технологии экстремальной ультрафиолетовой литографии и глубокой ультрафиолетовой литографии. По этой технологии будут изготавливаться SoC нового поколения, устройства 5G и искусственного интеллекта, а также средства высокопроизводительных вычислений.

TSMC

Согласно ранним прогнозам, переход на 5 нм позволит TSMC изготавливать ядра ARM Cortex-A72 в 1,8 раза плотнее, чем по 7 нм нормам, а также на 15% увеличить частоту.

Компания отмечает, что её новый техпроцесс будет готов к 2020 году, и это случится раньше, чем Intel сможет наладить выпуск 7 нм чипов. Первыми SoC, изготовленными по 5 нм нормам должны стать процессоры для iPhone.

TSMC представила технологию производства микросхем WoW 3D

Taiwan Semiconductor анонсировала внедрение технологии производства объёмных стековых чипов. Эта технология была названа пластина-на-пластине (Wafer-on-Wafer, или WoW). Также компания пообещала готовность 7 нм+ процесса в этом году и 5 нм процесса в следующем.

Современные микросхемы очень сложно уменьшать, поэтому переход на более тонкие техпроцессы занимает много времени. Однако промышленность требует увеличения числа транзисторов в чипе, и в TSMC придумали как удвоить их количество, применив стеки. Многослойные конструкции давно используются в микросхемах памяти, но только теперь TSMC стала готова предложить эту технологию для всех типов чипов.

Пластина микросхем

Технология, созданная в партнёрстве с Cadence Design Systems, основана на существующих техниках чип-на-пластине-на подложке (Chip-on-Wafer-on-Substrate — CoWoS) и интегрированного разветвления (Integrated Fan-Out — InFO). По сути, технология WoW заключается в изготовлении двух обычных пластин микросхем, которые производятся перевёрнутыми, так, что сверху и снизу оказывается подложка. Затем традиционные пластины связываются сквозными проводниками по технологии through-silicon via (TSV), образуя пакеты.

Структура чипов TSMC WoW

Кроме технологии WoW в компании также подтвердили, что в этом году она будет готова выпустить усовершенствованный 7 нм процесс, в то время как 7 нм технология первого поколения будет доступна для массового производства. В следующем же году TSMC готовится выпустить 5 нм микросхемы.

2 нм могут оказаться невыгодными

В ходе мероприятия группы Synopsys, прошедшего в Санта Кларе, Калифорния, прозвучали слова сомнения о возможности перехода полупроводниковой промышленности на 2 нм нормы производства в будущем, поскольку этот переход вряд ли будет экономически целесообразным.

Конечно, инженеры видят способы уменьшения транзисторов до 5 нм, 3 нм и даже 2 нм, но некоторые сомневаются в коммерческой эффективности этих переходов. Пока об этом говорить слишком рано, но повышение сложности и рост затрат на всё уменьшающиеся чипы может означать, что даже 5 нм процесс окажется экономически нецелесообразным.

Дорожная карта уменьшения размеров транзисторов в микросхемах

«Прирост производительности в 16%, полученный при переходе на 10 нм, теряется при переходе на 7 нм по причине сопротивления в металлических дорожках. Энергосбережение, возросшее на 30% при 10 нм, при переходе на 7 нм возрастёт на 10—20%, а площадь кристалла, уменьшившаяся на 37% при 10 нм сократится на 20—30% с переходом на 7 нм», — заявил Пол Пензес, старший директор технологической команды Qualcomm.

«Площадь по-прежнему уменьшается на хорошую двухзначную величину, но скрытые затраты возрастают, означая, что реальные преимущества в стоимости и прочие улучшения начинают снижаться… И не ясно, что останется на 5 нм», — добавил Пензес, допустив, что 5 нм процесс может стать единственным улучшением после 7 нм.