Новости про 40 нм и оперативная память

Эти чипы доступны как в типах MCP (Multi Chip Package) так и в PoP (Package on Package), работают при напряжении 1,2 В и могут передавать до 4,26 Гб информации в секунду через 32-битную полосу пропускания. Чипы работают на частоте 1066 МГц и потребляют на 50 % меньше энергии, чем существующие на рынке решения.

Эти чипы созданы для применения в смартфонах нового поколения, в смартбуках и планшетных ПК. В массовое производство чипы поступят в первой четверти этого года.

Завершение разработки 40-нм чипов DDR3 компания закончила в октябре, поэтому всего за два месяца Elpida удалось наладить массовое производство.

По данным Elpida, новые 2-гигабитные кристаллы DDR3 позволяют производить на 44 % больше чипов на одной 300-мм пластине по сравнению с 50-нм чипами. По сравнению с 50-нм чипами, новые продукты также используют на две трети меньше тока и работают при напряжении всего 1,2/1,35 В. Всё это позволяет уменьшить энергопотребление на 50 %.

В середине 2010 года компания собирается расширить 40-нм производство чипов памяти и на своё подразделение Rexchip в Тайване.

Продукты, построенные на основе таких кристаллов, как отмечает производитель, отличаются от 50-нм решений возросшей на 60 % эффективностью. Также Hynix отмечает, что при аналогичной частоте новая память будет потреблять на 40 % меньше энергии, а также обладать более высоким разгонным потенциалом.

Также главный маркетолог компании, господин Д.Б. Ким, отметил, что благодаря переходу на новый техпроцесс, самыми массовыми чипами станут 2-гигабитные, которые заменят существующие 1-гигабитные кристаллы.

Компания надеется, что полную сертификацию чипы пройдут до конца года.