Новости про 20 нм и Samsung

Samsung снизила цену на память DDR4

Памяти стандарта DDR4 ещё предстоит стать основой обычных ПК, однако Samsung Electronics уже заботится о своём будущем, для чего снижает стоимость чипов. Этот подход позволит компании захватить больше рынка ОЗУ и повлечёт дальнейшее удешевление чипов.

В настоящее время память DDR4 можно встретить исключительно в настольных ПК высшего уровня и серверных системах. Основная же масса компьютеров использует память DDR3. В ближайшие месяцы Intel готовит выпуск процессоров с микроархитектурой Skylake, которая будет поддерживать память DDR4, что повлияет на увеличение спроса на модули памяти данного типа. Компания Samsung, желая гарантировать себе надёжную позицию на новом рынке, начала предлагать DDR4 со скидкой.

Модули памяти DDR4 от Samsung

Теперь цена на память DDR4 близка к цене DDR3. Если Samsung закрепится на этом рынке, другие производители ОЗУ, такие как SK Hynix и Micron Technology, будут вынуждены и дальше снижать цену.

Эксперты в данной области уверены, что для сохранения высокого дохода производители будут вынуждены изготавливать микросхемы DRAM по наиболее тонким техпроцессам, таким как с размером элементов 20 нм, и сейчас лишь Samsung выпускает значительное количество памяти по данной технологии. Именно поэтому компания и может позволить себе скидку.

Сама же Samsung отказалась комментировать данную информацию.

Samsung начинает массовое производство 8 Гб памяти GDDR5

Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в области оперативной памяти, объявила о начале массового производства первой в мире памяти GDDR5 ёмкостью 8 гигабит, которая изготавливается по 20 нм технологическому процессу.

Как не трудно догадаться, новые микросхемы предназначены для графических плат и плат модульных суперкомпьютеров. С ростом требований к 3D играм, а также популярности видео сверхвысокого разрешения, возросли и требования к высокоскоростной передаче больших объёмов данных в графических системах.

Чипы памяти GDDR5 Samsung объёмом 8 Гб

Новая 8 Гб память Samsung предлагает беспрецедентную пропускную способность, ведь собрав всего восемь чипов, можно получить целых 8 ГБ видеопамяти, вдвое больше, чем на современных высокопроизводительных графических платах и столько же, сколько есть в нынешних консолях. Представленные чипы работают на скорости ввода/вывода равной 8 Гб/с на контакт, что более чем в 4 раза превосходит скорости памяти DDR3.

С выпуском 20 нм памяти GDDR5 ёмкостью 8 Гб, Samsung завершила свою линейку решений памяти объёмом 8 Гб. Далее же компания продолжит увеличение объёмов производства 20 нм памяти в различных плотностях, равных 4 Гб, 6 Гб и 8 Гб, а также надеется и впредь увеличивать ёмкости чипов для сохранения своих лидирующих позиций.

Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

Samsung

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

Samsung изготовила 8 Гб микросхемы DDR4

Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

32 ГБ модуль памяти DDR4 от Samsung

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

Samsung анонсирует 20 нм процессор Exynos 5430

Компания Samsung выпустила свою первую 20 нм систему на чипе. Восьмиядерный процессор Exynos 5430, в целом, не обеспечивает ничего нового. Он по-прежнему оснащён вычислительным ядром ARM Cortex A15, однако благодаря технологии производства HKMG с размером элементов 20 нм, компании удастся значительно увеличить энергоэффективность и поднять частоты.

Новый чип Exynos 5430 Octa очень похож на модель Exynos 5422. Он также имеет 4 ядра ARM Cortex A15 ревизии r3p3, однако они более эффективны, чем ядра ревизии r2p4 в 5422. Более быстрый CPU имеет частоту в 1,8 ГГц. Кроме того, чип имеет 4 ядра ARM Cortex A7 низкого энергопотребления, частота которых составляет 1,3 ГГц.

Со стороны GPU чип получил ARM Mali-T628 MP6 частотой 533 МГц, который поддерживает разрешение WQXGA (2560x1600) и WQHD (2560x1440).

Samsung Exynos

В новый процессор Samsung добавила поддержку нового мультиформатного кодека для декодирования H.265. Новый сопроцессор, названный Seiren, предназначен для распаковки аудио. Также в процессор были включены и новые технологии, такие как Mobile Image Compression и Adaptive Hibernation Display, которые позволят уменьшить потребление энергии экраном.

В целом Samsung ожидает 25% снижение энергопотребления при идеальных условиях использования чипа Exynos 5430 Octa.

Ожидается, что новый процессор впервые появится в смартфонах Samsung Galaxy Alpha, выпуск которых намечен на сентябрь.

TSMC теряет рынок из-за конкурентов

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) проиграет конкурентам в сегменте 14/16 нм производства в 2015 году, однако ожидает вернуть свои позиции в 2016—2017 годах. Об это заявил глава TSMC Моррис Чан.

В третьем квартале 2015 года 16 нм производство будет занимать незначительную долю от общей прибыли. Чан не сообщил, какая именно компания обойдёт TSMC по производству в 2015 году, но промышленные источники говорят, что Samsung Electronics станет лидером в 14/16 нм сегменте, после того, как смогла заполучить у Qualcomm заказ на производство микросхем по 14 нм процессу.

Тем не менее Чан заявляет, что 16/20 нм процесс приведёт к росту прибыли его компании в следующие три года. При этом 20 нм процесс сможет обеспечить 10% общей прибыли уже в третьем квартале 2014 года с дальнейшим ростом до 20% в третьем квартале. В 2015 году ожидается дальнейший рост прибыли от 20 нм производства.

Глава TSMC Моррис Чан

16-нанометровый процесс производства от TSMC будет конкурентоспособным при производстве систем радиосвязи, потребительских микросхем, GPU, сетевых решений, программируемых вентильных матриц и серверных чипов.

Тем не менее, компания TSMC ожидает продолжение роста квартальной прибыли на 12,6—14,2% до 6,86—6,96 миллиардов долларов США за третью четверть этого года.

В третьем квартале валовая прибыль составит 48,5—50,5%, в то время как операционная прибыль достигнет 38,5—40,5%, отметил руководитель компании.

Samsung начинает производство 20 нм DDR3 памяти

Компания Samsung анонсировала начало производства 4-гигабитной DDR3 памяти по 20 нм техпроцессу. Это заявление стало частью дальнейшего ряда обновлений, после того, как эти чипы были впервые представлены общественности ещё год назад.

Говоря о характеристиках можно отметить, что новые 20 нм микросхемы DDR3 стали на 30% лучше прошлого 25 нм производства и в два раза лучше 30 нм технологии в плане общей производственной эффективности. В плане производительности, Samsung сообщила, что эти DRAM чипы на 25% более энергоэффективны, чем 25 нм микросхемы.

20 нм память DDR3 от Samsung

Новая память 20 нм память изготавливается с применением эксимер лазерной литографии, совмещённой с технологиями двойного размещения и атомарного послойного позиционирования. В компании ожидают, что новая технология в будущем станет основой для дальнейшей разработки 10 нм технологии.

Компания Samsung также ожидает, что новая 20 нм технология производства позволит продвинуть мобильные устройства в мейнстрим рынок технологий, позволив планшетам и смартфонам сравняться с ноутбуками по производительности.

Samsung начала промышленное производство 20 нм памяти DDR4

Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Модуль памяти Samsung DDR4

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Apple переходит на 20 нм SoC TSMC

Сайт Korea Times сообщает, что Apple всё-же отказывается от производства Samsung и для выпуска процессоров A7 обратится к TSMC и их 20 нм техпроцесса.

Samsung же, хочет сохранить объёмы производства. Для этого компания заключает дополнительные соглашения производства чипов для NVIDIA.

TSMC

Исполнительный директор одного из региональных подразделений Samsung сообщил: «Apple поделилась конфиденциальной информацией для своих следующих систем-на-чипе A7 с Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. TSMC начала оформлять заказы у своих контрагентов на поставку оборудования для производства будущих процессоров Apple с использованием улучшенной технологии 20 нм уровня».

Улучшенная технология обеспечит меньшее энергопотребление чипов при сохранении числа транзисторов.

Apple хочет производить процессоры на заводах TSMC?

Судебное противостояние Apple и Samsung стало одной из важнейших тем для обсуждения в сфере патентных споров в этом году. Обе компании, имея гигантские обороты, стремились получить друг от друга как можно больше выплат, из-за чего долгое время судились в разных концах света.

Таким образом, хотя Samsung по-прежнему является производственным партнёром Apple, в Купертино уже не хотят иметь с корейским гигантом никаких  связей.

Apple и TSMC

Теперь в Apple ищет сотрудничества с TSMC в качестве производителя мобильных чипов для своих устройств. В СМИ неоднократно сообщалось, что Apple ведёт переговоры с тайваньской компанией, однако пока официальных подтверждений тому нет. Более того, сообщается, что Apple также вела переговоры и с Intel, предлагая компании существенный кусок от пирога мобильного рынка. Если эти слухи окажутся правдой, то у Apple появится прекрасный шанс отказаться от услуг столь ненавистной им Samsung и получить огромные технические преимущества, поскольку Intel является одной из передовых компаний в производстве чипов и она обладает такими технологиями, до которых TSMC будет развиваться ещё несколько лет.

Правда, Taipei Times сообщает, что уже со второго квартала 2013 г. Apple начнёт производство процессоров для своих гаджетов на заводах TSMC по 28 нм техпроцессу, что является для «яблочной» компании шагом назад, поскольку Samsung изготавливает для них процессоры по 20 нм технологии. В сообщении также говорится, что от этого могут пострадать главные заказчики компании — Qualcomm и NVIDIA. Дело в том, что Apple предложила 1 миллиард долларов за эксклюзивное право использования производственных мощностей TSMC, однако финансовый директор Taiwan Semiconductor Manufacturing Company заявил, что его фирма не продаётся, каким-бы то ни было способом, а значит, остальным заказчикам пока что волноваться рано.

Samsung начала производство быстрой flash-памяти для мобильных устройств

Компания Samsung не ограничивается выпуском быстрой памяти NAND лишь для быстрых SSD накопителей.

Компания также развивает и направление быстрой флэш-памяти для мобильных устройств. Новые микросхемы Pro Class 1500 обещают значительный прирост скорости работы памяти, но насколько большой? Ответ кроется в названии. Новая память при записи способна выполнить 1500 IOPS (операций ввода-вывода в секунду), а при чтении — 3500 IOPS, что примерно в 4 раза выше, чем в любом другом ранее представленном чипе флэш-памяти Samsung.

Чипы памяти NAND Pro Class 1500

В реальности это означает, что микросхема обеспечит скорость в 140 МБ/с при чтении и 50 МБ/с при записи данных. Успеха удалось добиться после применения всех технологических решений, имеющихся в арсенал е компании, включая 20 нм технологически процесс, быстрый контроллер DDR 2.0 и новый стандарт памяти JEDEC с пропускной способностью в 200 МБ/с.

Компания не назвала конкретных потребителей новой памяти объёмом 16, 32 и 64 ГБ, однако ни для кого не секрет, что главный потребитель флэш-памяти для мобильных устройств Samsung по-прежнему является компания Apple, несмотря на все судебные перипетии и патентные войны.

Samsung анонсировал высокоскоростную флэш-карту для смартофонов

Компания Samsung заявила, что они разработали высокоскоростную карту памяти объёмом 64 ГБ, предназначенную для использования в планшетах и смартфонах.

Карта памяти формата e-MMC использует стек чипов памяти объёмом 64 Гб. Применяемые микросхемы представляют собой NAND память «20 нм класса» с интерфейсом DDR2. Микросхемы памяти имеют толщину 1,4 мм и массу 0,6 г.

«Начав в этом году производство 64 ГБ e-MMC решений на основе 64 Гб микросхем, мы ускорили темп внедрения встраиваемых карт памяти премиум класса»,— заявил в своем отчёте вице-президент по маркетингу памяти Samsung Мьюн Хо Ким (Myung Ho Kim).

20 нм карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung

По заявлению компании-производителя, карта памяти способна обеспечить последовательное чтение на скорости до 80 МБ/с и последовательную запись до 40 МБ/с, что примерно в три раза лучше продуктов нынешнего поколения. Производительность ввода-вывода заявлена разработчиками на уровне 400 IOPS.

Первые карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung начали поставлять ещё в январе 2010 года, используя для их производства 30 нм чипы NAND объёмом 32 Гб. Производство 64 ГБ модулей NAND памяти с использованием 20 нм чипов ёмкостью 32 Гб было начато ранее в этом году. О том, когда же компания начнёт поставки представленной вчера памяти, ничего не сообщается.

Промышленные слухи: 14 нм в 2015

По заявлению руководителя отдела исследований компании TSMC Шан-и Чиана (Shang-yi Chiang), их компания планирует переход на нормы 14 нм техпроцесса в 2015 году.

Для примера, в настоящее время Intel изготавливает свои процессоры по 32 нм технологии. 22 нм чипы должны появиться уже в этом году, однако, по всей видимости, выход этих микросхем будет отложен. Согласно существующей технологической дорожной карте Intel, производство чипов по 14 нм технологии начнётся в 2013 году, а в 2015-м компания планирует перейти на 10 нм. На следующей неделе в Сан-Франциско пройдёт выставка IDF, на которой Intel представят обновленную дорожную карту. Интересно, будут ли смещены существующие сроки?

Дорожная карта GloFo

В то же время, GlobalFoundries планирует переход на 20 нм в микросхемах слабой мощности, предназначенных для сетевых, беспроводных и мобильных устройств, лишь в 2013 году. При этом выпуск высокомощных процессоров по 20 нм техпроцессу компания планирует начать в 2014 году. Эти данные полностью совпадают с планами AMD, по переходу на новые техпроцессы, что позволяет считать эту информацию правдоподобной.

Технологические планы GloFo

Кроме уменьшения размера элементов интегральных схем, Чиан также предположил, что в 2015 году их производство перейдёт на использование блинов подложек диаметром 450 мм.

При всем этом ни одна из трёх компаний не объявила об использовании технологии КНИ (кремний-на-изоляторе) в своих будущих чипах. Однако это вовсе не означает, что вся лидирующая тройка отказалась от этого. Тем не менее, по слухам, первыми на технологию 14 нм КНИ с использованием подложек диаметром 450 мм перейдёт компания Samsung.