Новости про 20 нм, flash-память и NAND

SK Hynix выпустит 48-слойную NAND память через год

Один из лидеров рынка памяти, компания SK Hynix, недавно приступила к массовому производству DRAM чипов 20 нм класса и сообщила о планах по выпуску 36-слойной флеш-памяти до конца этого года. Что касается 48-слойных чипов, то их выпуск компания запланировала на 2016 год.

На этом рынке фирма пытается догнать Samsung, которая начала массовое производство 20 нм ОЗУ ещё в марте 2014 года, а первая серийная 48-слойная микросхема NAND была выпущена в августе этого года.

SK Hynix 20 Nano-class 8GB LPDDR3

SK Hynix также объявила о своих планах по разработке флеш-продуктов на базе 3D NAND. Президент фирмы Парк Сун-вук заявил: «Это процесс становления новой технологии. Мы планируем произвести некоторое количество 36-слойных 3D NAND чипов поэтапно в этом году и массово выпускать 48-слойные продукты в начале следующего года».

Он также отметил, что «новая память будет хороша, но мы больше фокусируемся на расширении достижений нынешних DRAM и NAND продуктов. Вместо выпуска новой памяти на рынок, мы пытаемся найти способ сделать лучшими существующие чипы памяти».

Micron представила самое маленькое 128 Гб флэш-устройство

Компания Micron Technology представила самое маленькое в мире устройство на флэш-памяти NAND объёмом 128 гигабит, при производстве которого использовался 20 нм техпроцесс.

Новый чип позволяет хранить три бита информации на ячейку, что, как известно, называется технологией TLC (triple-level-cell), а это в свою очередь позволяет создать невероятно компактные решения по хранению данных.

Имея площадь в 146 мм2, новое 128 Гб TLC устройство на четверть меньше, чем аналогичный 20 нм чип Micron, но изготовленный по технологии многоуровневых (а по сути двухуровневых) ячеек (MLC).

Micron

Новый чип нацелен на рынок недорогих сменных накопителей (флэш карты и USB брелки). Ожидается, что эти микросхемы займут в 2013 году 35% (по объёму данных) всей продукции компании для таких накопителей. Сейчас же речь идёт лишь об опытных образцах 128 Гб TLC NAND памяти. Массовое же производство запланировано на второй квартал.

«Это самое маленькое, самое высокоёмкое устройство на флэш-памяти NAND на рынке. Оно открывает новый класс потребительских устройств хранения данных», — заявил Глен Хок (Glen Hawk), вице-президент Micron NAND Solutions Group. «Каждый день мы изучаем новые и инновационные способы использования флэш накопителей, укрепляя энтузиазм и возможности Micron. Мы нацелены на расширение нашего портфеля лидирующих решений флэш накопителей, которые служат нашим проводником к клиентской базе».

Samsung начала производство быстрой flash-памяти для мобильных устройств

Компания Samsung не ограничивается выпуском быстрой памяти NAND лишь для быстрых SSD накопителей.

Компания также развивает и направление быстрой флэш-памяти для мобильных устройств. Новые микросхемы Pro Class 1500 обещают значительный прирост скорости работы памяти, но насколько большой? Ответ кроется в названии. Новая память при записи способна выполнить 1500 IOPS (операций ввода-вывода в секунду), а при чтении — 3500 IOPS, что примерно в 4 раза выше, чем в любом другом ранее представленном чипе флэш-памяти Samsung.

Чипы памяти NAND Pro Class 1500

В реальности это означает, что микросхема обеспечит скорость в 140 МБ/с при чтении и 50 МБ/с при записи данных. Успеха удалось добиться после применения всех технологических решений, имеющихся в арсенал е компании, включая 20 нм технологически процесс, быстрый контроллер DDR 2.0 и новый стандарт памяти JEDEC с пропускной способностью в 200 МБ/с.

Компания не назвала конкретных потребителей новой памяти объёмом 16, 32 и 64 ГБ, однако ни для кого не секрет, что главный потребитель флэш-памяти для мобильных устройств Samsung по-прежнему является компания Apple, несмотря на все судебные перипетии и патентные войны.

Samsung анонсировал высокоскоростную флэш-карту для смартофонов

Компания Samsung заявила, что они разработали высокоскоростную карту памяти объёмом 64 ГБ, предназначенную для использования в планшетах и смартфонах.

Карта памяти формата e-MMC использует стек чипов памяти объёмом 64 Гб. Применяемые микросхемы представляют собой NAND память «20 нм класса» с интерфейсом DDR2. Микросхемы памяти имеют толщину 1,4 мм и массу 0,6 г.

«Начав в этом году производство 64 ГБ e-MMC решений на основе 64 Гб микросхем, мы ускорили темп внедрения встраиваемых карт памяти премиум класса»,— заявил в своем отчёте вице-президент по маркетингу памяти Samsung Мьюн Хо Ким (Myung Ho Kim).

20 нм карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung

По заявлению компании-производителя, карта памяти способна обеспечить последовательное чтение на скорости до 80 МБ/с и последовательную запись до 40 МБ/с, что примерно в три раза лучше продуктов нынешнего поколения. Производительность ввода-вывода заявлена разработчиками на уровне 400 IOPS.

Первые карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung начали поставлять ещё в январе 2010 года, используя для их производства 30 нм чипы NAND объёмом 32 Гб. Производство 64 ГБ модулей NAND памяти с использованием 20 нм чипов ёмкостью 32 Гб было начато ранее в этом году. О том, когда же компания начнёт поставки представленной вчера памяти, ничего не сообщается.