Новости про 20 нм

NVIDIA откладывает 20 нм Maxwell до 2015 года

Похоже, что 20 нм технологию при производстве GPU придётся ещё немного подождать.

В середине февраля NVIDIA выпустила первые графические процессоры с архитектурой Maxwell. Они были установлены в карты среднего ценового сегмента GeForce GTX 750 и 750 Ti, поэтому Kepler продолжает стоять у руля производительности.

Как бы то ни было, но сейчас даже процессоры Maxwell компания NVIDIA выпускает по 28 нм техпроцессу, и хотя TSMC уже якобы готова производить чипы с размером элементов 20 нм, она, по всей видимости, ещё не способна выпускать мощные процессоры, такие как GPU.

В связи с этим NVIDIA пришлось поменять свои планы. Тайваньские производители оборудования сообщили нашим коллегам из SweClockers, что в лучшем случае графические процессоры, изготовленные по 20 нм процессу, появятся к концу текущего года, однако наиболее вероятно, карты с новыми GPU появятся лишь в 2015 году.

Эти сведения прекрасно объясняют факт того, что NVIDIA решила выпустить первые версии GPU архитектуры Maxwell с использованием 28 нм технологии.

Samsung начинает производство 20 нм DDR3 памяти

Компания Samsung анонсировала начало производства 4-гигабитной DDR3 памяти по 20 нм техпроцессу. Это заявление стало частью дальнейшего ряда обновлений, после того, как эти чипы были впервые представлены общественности ещё год назад.

Говоря о характеристиках можно отметить, что новые 20 нм микросхемы DDR3 стали на 30% лучше прошлого 25 нм производства и в два раза лучше 30 нм технологии в плане общей производственной эффективности. В плане производительности, Samsung сообщила, что эти DRAM чипы на 25% более энергоэффективны, чем 25 нм микросхемы.

Новая память 20 нм память изготавливается с применением эксимер лазерной литографии, совмещённой с технологиями двойного размещения и атомарного послойного позиционирования. В компании ожидают, что новая технология в будущем станет основой для дальнейшей разработки 10 нм технологии.

Компания Samsung также ожидает, что новая 20 нм технология производства позволит продвинуть мобильные устройства в мейнстрим рынок технологий, позволив планшетам и смартфонам сравняться с ноутбуками по производительности.

NVIDIA готовит GTX 750 Ti на базе Maxwell

Как уже сообщалось ранее, следующее поколение GPU NVIDIA под названием Maxwell дебютирует уже в феврале. И вот по новым слухам, дебют будет весьма неожиданным, поскольку компания хочет выпустить новый чип в составе также обещанной ранее карты GeForce GTX 750 Ti. Если быть точным, то карта выйдет 18 февраля.

Архитектура Maxwell должна ввести в GPU довольно много технологических изменений, начиная от унифицированной виртуальной памяти. Эта функция позволяет применять одну и ту же физическую память для CPU и GPU. Данная функция уже может быть реализована посредством CUDA, однако в Maxwell она будет иметь оптимизированную, с аппаратной точки зрения, версию данной технологии. Второй важной особенностью Maxwell станет встроенное в GPU 64-битное вычислительное ядро ARM, которое должно понизить зависимость видеокарты от системного центрального процессора, что будет полезным в определённый случаях выполнения GPGPU расчётов.

Что касается самой GeForce GTX 750 Ti, то с ней NVIDIA стремится продемонстрировать, а заодно и самой увидеть, насколько хорошо будет работать Maxwell на существующем 28 нм техпроцессе, чтобы затем перенести новую архитектуру на будущие, высокопроизводительные процессоры, изготавливаемые по 20 нм техпроцессу. Судя по названию, карта будет помещена по уровню игровой производительности где-то между GTX 760 и GTX 660, однако не стоит исключать того, что по скорости GPGPU расчётов новый ускоритель будет выступать совершенно в другой лиге.

Сейчас в Сети появились сведения о производительности новой карты, согласно которым 750 Ti в среднем на 10% медленнее GTX 660, однако насколько им можно верить пока совершенно не понятно. К сожалению, о спецификациях карты пока нет никакой информации кроме объёма её видеопамяти, который составит 2 ГБ.

TSMC начинает опытное производство FinFET 16 нм

Контрактный производитель процессоров, компания TSMC, приступила к опытному производству микросхем с использованием 16 нм FinFET процесса. Такую информацию сообщил сам производитель микросхем.

Недавно назначенный исполнительный содиректор Марк Лиу в ходе ежегодного форума с поставщиками отметил, что завод хочет начать производство по 16 нм процессу с опережением графика. Ранее компания заявляла о начале попыток изготовления таких микросхем только в первом квартале 2015 года.

Лиу также отметил, что в следующем месяце TSMC приступит к массовому производству SoC на основе 20 нм технологии.

В дополнение Лиу рассказал и о финансовых результатах деятельности компании. Он сообщил, что благодаря 28 нм процессу в 2013 году было заработано 5,4 миллиарда долларов США, и этот процесс к концу года составит 23% от общего производства отпечатков компании.

Также был дан и прогноз развития отрасли в 2014 году. Ожидается, что мировой рынок полупроводников в 2014 году вырастет на 5%, что на процент больше ожидавшегося в 2013 году. Что же касается непосредственно производства полупроводниковых пластин, то здесь ожидается снижение роста с 11% в текущем году до 9% в наступающем. При этом рост самой TSMC будет опережать средние показатели. Содиректор считает, что после показанного в этом году роста на уровне 17—18%, TSMC ожидает также получить двухзначное число роста объёмов производства.

TSMC начнёт 20 нм производство в начале 2014 года

Компания TSMC огласила свои планы по производству пластин по 20 нм техпроцессу. Так, компания начнёт их производство в первом квартале 2014 года. Кроме того тайваньская компания заявила, что 16 нм FinFET производство будет начато вслед за 20 нм.

«Мы начнём массовое производство по 20 нм в первой четверти 2014 года. Это в 90 днях от современности. 16 нм последуют за 20 нм через год. Мы видим оба процесса 20 нм и 16 нм как виртуально один размер», — заявил Моррис Чэн, исполнительный директор и глава TSMC, в ходе конференции с финансовыми аналитиками.

«Собственно по 20 нм мы получили заказ на 5 отпечатков и запланировали более чем 30 отпечатков в этом и следующем году от сегментов мобильных вычислений, CPU и PLD [programmable logic device]. И все эти отпечатки представлены в больших объёмах. Конструкция 20 нм экосистемы была подтверждена в реальных продуктах, и она готова поддерживать клиентов. Процесс подготовки производства равнозначен, или даже лучше, чем был у 28 нм. Мы ожидаем большое развитие 20 нм в следующем году, с прибылью от 20 нм в 2014 году большей, чем была с 28 нм в 2012 году. Вы видите, что 20 нм стартует вначале следующего года, в то время как 28 нм стартовали в третьем-четвёртом квартале 2011 года. Таким образом, точкой отсчёта для 28 нм был 2012 год. Однако наш рост с 20 нм в 2014 году будет более быстрым, чем рост с 28 нм в 2012 году. И хотя рост 28 нм процесса был рекордным для TSMC, 20 нм рост будет на 30% быстрее», — заявил господин Чэн.

Samsung начала промышленное производство 20 нм памяти DDR4

Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

TSMC готовит 20 нм производство на начало 2014 года

Моррис Чан, исполнительный директор Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. заявил, что его компания планирует начать производство чипов по 20 нм техпроцессу в феврале 2014 года, для чего выбран завод Fab 14/phase 5, а с мая производство откроется и на заводах Fab 15/phase 3 и 4.

«В 20 нм техпроцессе мы видим малую конкуренцию. Опытное производство началось в первом квартале 2013 г. и массовое производство начнётся в начале следующего года. Оборудование уже будет смонтировано, оборудование поставляется и будет смонтировано», — заявил Моррис Чан в ходе квартальной конференции с финансовыми аналитиками.

TSMC начала строительство производства Phase 5 на заводе Fab 14 ещё в апреле прошлого года. Конструкция цеха уже готова и установка оборудования началась в апреле этого года. Обычно, на полное оснащение завода по производству микросхем уходит от 6 до 12 месяцев. Кроме перечисленных заводов TSMC также планирует позднее начать производство 20 нм микросхем на заводе Fab 12/phase 6.

Также интересным фактом является то, что большую часть оборудования, которое будет использовано для производства 20 нм чипов, будет позднее применяться для 16 нм FinFET техпроцесса. Случится это где-то в 2015 году.

«По 16 нм FinFET процессу массовое производство начнётся примерно через год после 20 нм SoC, другими словами, в начале 2015 года. Наш научно-исследовательский процесс производства 16 нм FinFET идёт хорошо, есть новые усовершенствования, и они лучше, чем планировались и он лучше, чем 20 нм год назад. Мы работаем с несколькими крупными клиентами и много изготавливаем, многие продукты изготавливаются», — несколько путано заключил Чан.

Следующий ARM процессор будет работать на 3 ГГц

Компании TSMC и GlobalFoundries планируют начать производство 20 нм мобильных чипов в следующем году, и эта технология должна быть применена для производства процессоров ARM нового поколения.

В настоящее время 2,3 ГГц является предельной частотой для 28 нм Snapdragon 800 и Tegra 4i (Grey), которые выйдут в конце этого или начале следующего года.

И как обычно, чтобы преодолеть данное ограничение, необходимо использовать техпроцесс с меньшим размером транзисторов. 20 нм процесс TSMC позволит на 30% поднять скорость и в 1,9 раза увеличить плотность при 25% снижении энергопотребления. Тридцатипроцентное ускорение означает, что частота SoC ARM будет находиться на уровне 3 ГГц со значительным увеличением числа транзисторов, используемых в основном под нужды GPU. Скорее всего, именно таким образом компания NVIDIA и обеспечит установку видеоядра Kepler в процессор Logan, однако пока подтверждения этому нет.

Снижение энергопотребления на 25% будет означать на четверть увеличенный срок автономной работы, а поскольку малый срок автономной работы является основным недостатком смартфонов, данная модификация будет крайне важной для потребителей.

Такой технологический переход значительно улучшит позиции альянса ARM в конкуренции с производителями x86 процессоров. Но не стоит забывать, что Intel и AMD не дремлют. В 2014 году Intel планирует выпустить свой 14 нм Atom, предназначенный для планшетов и смартфонов, а AMD, в то же время, при производственной поддержке GlobalFoundries, собирается выпустить свои 14 нм чипы для планшетов и ноутбуков.

Intel прекращает выпуск 25 нм NAND памяти

На прошлой неделе компания Intel объявила о том, что прекращает поставки сразу нескольких модельных рядов твердотельных накопителей, основанных на многоуровневой твердотельной NAND памяти, изготовленной по 25 нм техпроцессу.

Под сокращение попали такие серии SSD как 313, 320, 520, 525 и 710 всех емкостей. Заказчики могут размещать заказы на получение этих накопителей до конца сентября—середины октября этого года. Последние же партии дисков, в зависимости от модели, будут изготовлены в период от 15 декабря 2013 года по 20 января 2014.

Также компания пообещала приложить коммерчески обоснованные усилия для выполнения заказов последней партии. При этом, учитывая ограниченность поставок, может образоваться дефицит накопителей Intel с памятью NAND, изготовленной по 20 нм техпроцессу. Изготовители также подтвердили это, обозначив, что возможно образование ситуации, при которой Intel не сможет обеспечить потребителей накопителями ни по 25 нм процессу, ни по 20 нм.

TSMC будет выпускать для Apple 20 нм, 16 нм и 10 нм чипы

Сайт DigiTimes сообщает, что Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) и её служба разработки микросхем Global UniChip заключили трёхлетнее соглашение с Apple по которому со следующего года производитель обязуется изготавливать чипы серии A используя 20 нм, 16 нм и 10 нм техпроцесс.

Таковы данные источников, близких к производству, при этом ни сам производитель TSMC ни дизайнер Global Unichip не захотели как-либо комментировать ситуацию.

В малом объёме TSMC начнёт производство A8 уже в июле 2013 года и существенно повысит своё 20 нм производство после декабря, отмечает источник. Полноценно же завод сможет изготавливать чипы после запуска нового оборудования в первом квартале 2014 года.

Объём производства нового оборудования составит 50000 блинов, при этом часть из этого оборудования может позже быть использована для выпуска 16 нм чипов. Так, по имеющимся данным, TSMC начнёт выпуск процессоров Apple A9 и A9X в конце третьего квартала 2014 года.

Процессор A8, который сейчас готовится к выпуску, будет устанавливаться в iPhone, которые поступят в продажу в начале следующего года, в то время как процессоры A9/A9X предназначены для новейшего поколения iPhone и iPad. При этом начало поставок этих чипов для производителей смартфонов и планшетов источник не обозначил.

Ранее исполнительный директор и глава TSMC Моррис Чан отмечал, что его заводы начнут выпуск продукции по 16 нм FinFET процессу менее чем через год после начала массового производства 20 нм микросхем. Опытное же производство 20 нм изделий прошло ещё в первой четверти этого года.