Новости про 20 нм и смартфон

MediaTek использует 20 нм техпроцесс производства

Разработчик мобильных процессоров, компания MediaTek, готовится начать производство своего 10-ядерного процессора в третьем квартале 2015 года. Таковы данные источников, близких к производству. Сообщается, что чипы будут изготовлены по 20 нм технологии.

Процессор с кодовым именем Helios X20 в первую очередь на целен на брендовые смартфоны, включая те, что выпускаются в Китае, от тех производителей, которые хотели бы оснастить свои флагманские устройства 10-ядерными SoC. Компания MediaTek должна начать рекламную компанию по продвижению Helios X20 в середине второго квартала. Данный процессор должен стать первым 10-ядерным решением для смартфонов, из доступных сейчас на рынке.

MediaTek

Система на чипе Helios X20 получит конструкцию 2+4+4, обеспечивая на 40% большую производительность, чем 8-ядерные чипы, отмечает источник. Контрактным производителем нового процессора станет Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), при этом отмечается, что производиться чип будет по 20 нм техпроцессу.

Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

Samsung

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

Samsung анонсирует 20 нм процессор Exynos 5430

Компания Samsung выпустила свою первую 20 нм систему на чипе. Восьмиядерный процессор Exynos 5430, в целом, не обеспечивает ничего нового. Он по-прежнему оснащён вычислительным ядром ARM Cortex A15, однако благодаря технологии производства HKMG с размером элементов 20 нм, компании удастся значительно увеличить энергоэффективность и поднять частоты.

Новый чип Exynos 5430 Octa очень похож на модель Exynos 5422. Он также имеет 4 ядра ARM Cortex A15 ревизии r3p3, однако они более эффективны, чем ядра ревизии r2p4 в 5422. Более быстрый CPU имеет частоту в 1,8 ГГц. Кроме того, чип имеет 4 ядра ARM Cortex A7 низкого энергопотребления, частота которых составляет 1,3 ГГц.

Со стороны GPU чип получил ARM Mali-T628 MP6 частотой 533 МГц, который поддерживает разрешение WQXGA (2560x1600) и WQHD (2560x1440).

Samsung Exynos

В новый процессор Samsung добавила поддержку нового мультиформатного кодека для декодирования H.265. Новый сопроцессор, названный Seiren, предназначен для распаковки аудио. Также в процессор были включены и новые технологии, такие как Mobile Image Compression и Adaptive Hibernation Display, которые позволят уменьшить потребление энергии экраном.

В целом Samsung ожидает 25% снижение энергопотребления при идеальных условиях использования чипа Exynos 5430 Octa.

Ожидается, что новый процессор впервые появится в смартфонах Samsung Galaxy Alpha, выпуск которых намечен на сентябрь.

Samsung анонсировал высокоскоростную флэш-карту для смартофонов

Компания Samsung заявила, что они разработали высокоскоростную карту памяти объёмом 64 ГБ, предназначенную для использования в планшетах и смартфонах.

Карта памяти формата e-MMC использует стек чипов памяти объёмом 64 Гб. Применяемые микросхемы представляют собой NAND память «20 нм класса» с интерфейсом DDR2. Микросхемы памяти имеют толщину 1,4 мм и массу 0,6 г.

«Начав в этом году производство 64 ГБ e-MMC решений на основе 64 Гб микросхем, мы ускорили темп внедрения встраиваемых карт памяти премиум класса»,— заявил в своем отчёте вице-президент по маркетингу памяти Samsung Мьюн Хо Ким (Myung Ho Kim).

20 нм карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung

По заявлению компании-производителя, карта памяти способна обеспечить последовательное чтение на скорости до 80 МБ/с и последовательную запись до 40 МБ/с, что примерно в три раза лучше продуктов нынешнего поколения. Производительность ввода-вывода заявлена разработчиками на уровне 400 IOPS.

Первые карты памяти e-MMC объёмом 64 ГБ Samsung начали поставлять ещё в январе 2010 года, используя для их производства 30 нм чипы NAND объёмом 32 Гб. Производство 64 ГБ модулей NAND памяти с использованием 20 нм чипов ёмкостью 32 Гб было начато ранее в этом году. О том, когда же компания начнёт поставки представленной вчера памяти, ничего не сообщается.