Новости про 14 нм и технологии

Intel планирует 10 нм в 2015 году

Компания Intel провела для журналистов хорошую техническую пресс-конференцию, в ходе которой сотрудник компании Марк Бор (Mark Bohr) рассказал о 14 нм производственном процессе.

Он сообщил, что Intel надеется выпустить 14 нм производство уже к концу 2013 года. Этот процесс будет проходить по графику подготовки процессоров следующего поколения, известных под кодовым именем Broadwell, которые поступят в массовое производство в 2014 году.

Марк Бор рассказывает о технологиях Intel

Сам техпроцесс называется P1272 и предусматривает использование элементов схемы равных 16 нм, однако в Intel предприняли некоторые шаги, которые позволили уплотнить элементы кристалла. Разработчики сумели расположить элементы более плотно, чем ожидалось 6 лет назад, когда этот техпроцесс был только анонсирован. В результате Intel получила более энергоэффективную дорожную карту, в отличие от более ранней,  направленной на высокую производительность.

Говоря о будущем компании, были отмечены исследования в области 10 нм технологии, которая запланирована на 2015 год. В то же время Intel работает и над 7 нм, и даже над 5 нм техпроцессами, но Бор не уточнил ожидаемые сроки их поступления в производство.

Если Intel продолжит обновление техпроцесса теми же темпами, то при условии выхода 10 нм литографии в 2015 году, 7 нм появятся в 2017, а 5 нм технология — в 2019 году.

Intel уже имеет 14 нм тестовую схему

Сайт Nordic Hardware опубликовал эксклюзивное интервью с Пэтом Блимером (Pat Bliemer), управляющим директором Intel Northern Europe.

В этой беседе наши коллеги обсудили с Блимером технологические перспективы развития компании после перехода на 22 нм технологические нормы, которые будут использованы в центральных процессорах семейства Ivy Bridge. К сожалению, Блимер не стал заострять внимание на технических деталях вопроса, и не указал даже примерный срок, когда новые технологические решения появятся на свет. Однако он отметил, что в них в полной мере будут использована трёхмерная транзисторная технология Tri-Gate, такая же, как и в Ivy Bridge, а также то, что тестовая электросхема будущей технологии уже работоспособна.

Управляющий директор Intel Northern Europe Пэт Блимер

«Нам нужно продолжать и вы можете мне поверить, что в наших лабораториях мы уже имеем работающее следующее, после 22 нм, поколение, так что нам нужно продолжать… Я действительно не могу рассказать об этом ничего большего, кроме как то, что в лабораторных условиях мы уже стоим на пути, наши инженеры уже стоят на пути запуска и производства 14 нм продуктов… И я думаю, что самым важным нашим достижением стали металлические 3D затворы, и лишь конструкция затворов, на самом деле, может обеспечить более эффективное использование энергии и меньшее выделение тепла».

Сравнение плоской и 3D технологий транзисторов Intel

Напомним, что летом компания сообщала и о дальнейших производственных планах. Тогда, 14 нм техпроцесс планировался к внедрению в 2014 году, а 10 нм — около 2018 года.

Промышленные слухи: 14 нм в 2015

По заявлению руководителя отдела исследований компании TSMC Шан-и Чиана (Shang-yi Chiang), их компания планирует переход на нормы 14 нм техпроцесса в 2015 году.

Для примера, в настоящее время Intel изготавливает свои процессоры по 32 нм технологии. 22 нм чипы должны появиться уже в этом году, однако, по всей видимости, выход этих микросхем будет отложен. Согласно существующей технологической дорожной карте Intel, производство чипов по 14 нм технологии начнётся в 2013 году, а в 2015-м компания планирует перейти на 10 нм. На следующей неделе в Сан-Франциско пройдёт выставка IDF, на которой Intel представят обновленную дорожную карту. Интересно, будут ли смещены существующие сроки?

Дорожная карта GloFo

В то же время, GlobalFoundries планирует переход на 20 нм в микросхемах слабой мощности, предназначенных для сетевых, беспроводных и мобильных устройств, лишь в 2013 году. При этом выпуск высокомощных процессоров по 20 нм техпроцессу компания планирует начать в 2014 году. Эти данные полностью совпадают с планами AMD, по переходу на новые техпроцессы, что позволяет считать эту информацию правдоподобной.

Технологические планы GloFo

Кроме уменьшения размера элементов интегральных схем, Чиан также предположил, что в 2015 году их производство перейдёт на использование блинов подложек диаметром 450 мм.

При всем этом ни одна из трёх компаний не объявила об использовании технологии КНИ (кремний-на-изоляторе) в своих будущих чипах. Однако это вовсе не означает, что вся лидирующая тройка отказалась от этого. Тем не менее, по слухам, первыми на технологию 14 нм КНИ с использованием подложек диаметром 450 мм перейдёт компания Samsung.