Новости про 10 нм, flash-память и Samsung

Samsung выпускает SSD объёмом 1 ТБ

Компания Samsung анонсировала выпуск твердотельного накопителя объёмом 1 ТБ. Этот SSD 840 EVO получил форм-фактор mSATA и предназначен для установки в ультрабуки премиального класса.

И хотя на самом деле объём накопителя 840 EVO составляет 960 ГБ, всего на 40 ГБ не дотягивая до заветной отметки, это по-прежнему несравнимо больший объём памяти по отношению к существующим на рынке SSD. По словам разработчиков, благодаря использованию контроллера MEX пятого поколения, скорость чтения/записи данных практически выровнялась и составляет 540/530 МБ/с соответственно. В качестве микросхем памяти применена NAND флэш, созданная по новой трёхуровневой теологии TLC.

Накопитель Samsung SSD 840 Evo mSATA

В своём блоге компания пояснила, как ей удалось создать накопитель такого объёма. По уверениям Samsung в SSD 840 EVO использовались 128 гигабитные модули NAND памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса. Для формирования терабайтного массива были использованы всего 4 пакета флэш-памяти, каждый из которых содержит 16 слоёв чипов объёмом 128 Гб. Благодаря совершенной технологии производства весь этот накопитель имеет толщину всего 3,85 мм и массу 8,5 г, что примерно на 40% меньше и в 12 раз легче типичного жёсткого диска.

Накопитель Samsung SSD 840 Evo mSATA

Накопитель Samsung SSD 840 Evo mSATA

Samsung SSD 840 Evo mSATA появится в продаже в январе наступающего года, однако цена пока не была названа.

Samsung разрабатывает самую быструю встраиваемую память

Эволюция мобильных чипов памяти идёт всё быстрее, ну если Samsung можно считать показателем прогресса.

Ещё не прошло и восьми месяцев с момента анонса компанией скоростных чипов eMMC 4.5, как появилась новая версия NAND от южнокорейского гиганта. На самом деле Samsung объявила о начале массового производства того, что фирма называет самой быстрой в мире памятью для встраиваемых решений. Новые чипы eMMC PRO основаны на 64 ГБ микросхемах NAND флэш-памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса, и это первые микросхемы, поддерживающие стандарт eMMC 5.0. Напомним, что всего 3 недели назад о начале производства чипов 10 нм класса объявила компания Micron, которая изготовила микросхемы NAND по 16 нм техпроцессу.

Чип памяти Samsung eMMC 5.0

Новые чипы доступны в вариантах с объёмом 16, 32 и 64 ГБ. Случайная скорость чтения из этих микросхем составляет 7000 операций ввода-вывода в секунду, а скорость последовательного чтения и записи равна 250 МБ/с и 90 МБ/с соответственно. Такие скорости окажутся невероятно полезными для обеспечения многозадачности в мобильных устройствах. А учитывая готовящийся к выпуску процессор Exynos 5 Octa 5420 от Samsung, такая память позволит компании в полной мере реализовать его возможности и создать мобильные гаджеты с невероятной производительностью.

Samsung выпускает чипы 10 нм флэш памяти

Лишь в августе компания Samsung объявила о начале массового производства сверхбыстрой памяти eMMC, и вот теперь компания объявила об обновлении техпроцесса.

Теперь в новых чипах eMMC Pro Class 2000 объёмом 64 ГБ компания перешла с 20 нм техпроцесса на 10 нм. Эти чипы стали на 20% меньше, а также, по уверениям Samsung, на 30% более производительными и более лёгкими в производстве. И хотя интерфейс JEDEC eMMC 4.5 только начал набирать популярность, компания планирует в следующем году создать новый стандарт, который будет поддерживать новую конструкцию.

Новая память Samsung eMMC Pro Class 2000

Новые чипы позволяют записывать данные со скоростью 2000 IOPS и считывать на скорости 5000 IOPS, что выше существующих значений в 1500/3500 операций ввода-вывода. Это значит, что физическая скорость записи превысит порог в 260 МБ/с при чтении и 50 МБ/с при записи.

Новые процессоры поступят в массовое производство уже в ноябре и будут применены в тонких смартфонах и планшетах, выпускаемых огромным множеством компаний по всему миру.