Новости про 10 нм

Intel подтверждает подготовку 10 нм к 2017 году

Ранние заявления компании Intel о том, что она не будет использовать технологию производства с размером элементов 10 нм в течение ближайших двух лет, оказались недостаточно точными, поскольку теперь она заявила о продолжении плановых работ по выпуску технологии в 2017 году.

Ранее сообщалось, что компания должна приступить к массовому производству 10 нанометровых чипов «примерно через два года». Однако сама Intel заявила, что данное сообщение неверно. Согласно информации, опубликованной самим полупроводниковым гигантом, «первый 10-нанометровый продукт запланирован на вторую половину 2017 года».

Процессор Intel

В настоящее время не ожидается, что Intel выпустит серверный процессор в 2017 году. Сейчас компания готовит второе поколение 14 нм серверных процессоров, которое будет выпущено к середине 2017 года. Однако компания продолжает эксперименты с потребительским рынком, пытаясь выпустить бытовые CPU по более тонкой технологии и наладить их производство во втором полугодии 2017. Серверный же чип, изготовленный по 10 нм, появится только в 2018 году.

Скорее всего, компания выпустит несколько моделей чипов по 10 нм технологии для оценки надёжности технологии. По крайней мере, так она поступила с нынешним 14 нм поколением.

Samsung продемонстрировала 10 нм FinFET SRAM

Южнокорейская компания Samsung продемонстрировала 128 Мб чипы SRAM, изготовленные по FinFET процессу с размером элементов 10 нм.

Компания заявила, что представленные 10 нм чипы на 38% меньше, чем их аналоги, выпущенные по 14 нм технологии.

Структура 10 нм SRAM от Samsung

По словам Тхаэджоона Сона, автора документации Samsung SRAM, главное, что должны знать конструкторы чипов, это то, что существует рост производительности при переходе на 10 нм. Однако конечное сопротивление этих чипов, по сравнению с 14 нм, не улучшилось. Отвечая на вопросы, он сообщил, что конечное сопротивления продолжит расти и при 7 нм технологии производства. Сон отметил: «Вы ожидаете, что новый процесс будет лучше во всём, но не в этом случае».

Отмечается, что компания Samsung приступит к массовому производству чипов по 10 нм FinFET технологии к концу этого года.

Intel выпустит три поколения 10 нм чипов

Согласно имеющимся слухам, компания Intel планирует выпустить третье поколения процессоров по 10 нм технологии после выпуска Cannonlake и Icelake.

Третье поколение будет называться Tigerlake, и оно будет представлять собой второй, дополнительный «так» в схеме выпуска «тик-так». В этом году мы увидим выпуск чипов Kabylake, которые также являются этапом «так» для 14 нм. На этом этапе компания использует тот же техпроцесс производства, но с применением новой архитектуры процессоров.

Intel

В ходе отчётной квартальной финансовой конференции, прошедшей в начале января, компания выразила своё стремление к возвращению к своей традиционной модели релизов «тик-так».

Если процессоры Cannonlake будут выпущены во второй половине 2017 года, а Icecake годом позднее, то Tigerlake должен поступить в продажу во второй половине 2019 года, и как следствие, 7 нм процессоры будут выпущены в 2020 году.

Примечательно, что контрактный производитель TSMC к этому времени планирует наладить выпуск чипов по 5 нм техпроцессу.

TSMC готовит 5 нм технологию через два года, после 7 нм

Компания TSMC сообщила о том, что будет готова начать производство микросхем с размером элементов 5 нм через два года, после освоения 7 нм технологии.

При этом начать выпуск чипов по 7 нм нормам фирма планирует начать уже в 2018 году. Такую информацию распространил в ходе встречи с инвесторами соисполнительный директор Марк Лиу. При этом идёт ли речь об опытном, или о массовом производстве, директор не уточнил.

Также глава отметил, что TSMC уже занимается исследованиями, направленными на 5 нм технологию производства уже в течение года, добавив, что технология будет готова к запуску в первой половине 2020 года.

TSMC

Отмечается, что выпускаться 5 нм микросхемы будут при помощи экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV): «мы добились значительного прогресса с EUV для подготовки к внедрению, подобному 5 нм».

Что касается 10 нм, то компания отметила, что уже в первом квартале этого года она будет готова отпечатать микросхемы на заказ. Новая версия 16 нм FCC, менее энергоёмкая и менее дорогая версия 16 нм FinFET, будет готова для массового производства также в первом квартале.

В дополнение компания отметила, что во втором квартале 2016 года TSMC внедрит новую более плотную технологию пакетирования InFO, которая найдёт применение у крупных заказчиков. «Мы не ожидаем распространения среди большого числа заказчиков. Правда, мы ожидаем нескольких очень больших заказчиков». Одним из первых заказчиков продукции по технологии InFO станет Apple.

TSMC начинает работы над 5 нм технологией производства

Компания TSMC приступила к разработке технологии производства микросхем с размером элементов равным 5 нм. О будущих планах контрактного производителя было рассказано в ходе недавней конференции с поставщиками, которая проходила в Тайване.

Сообщается, что в настоящее время TSMC проводит аттестацию 10 нм технологии производства, а первые микросхемы, изготовленные на заказ по этой технологии, будут выпущены уже в следующем году. Что касается 7 нм, то первый функционирующий чип SRAM был изготовлен компанией по этой технологии в октябре текущего года. Компания ожидает, что сможет наладить массовое производство микросхем по этой технологии в 2017 году.

TSMC

О том, как же будет производиться продукция по 5 нм технологии, пока известно мало. Разработка технологии находится на ранних этапах, и пока TSMC размышляет над тем, использовать ли при производстве пластин экстремальную ультрафиолетовую литографию (EUV).

При этом аналитики отмечают, что наилучшим решением для компании может стать комбинирование технологий 193-immersion и EUV. Дело в том, что сама по себе 193i намного дороже комбинации, и требует четырёхкратного наложения металлического подслоя и тройного наложения межслойных переходов. Также уменьшится и скорость роста кристаллов. В то же время исключительно EUV технология потребует меньше слоёв и позволяет охватывать большую площадь, обладает большей производительностью и меньшими энергетическими затратами, однако пока она ещё слишком сырая для промышленного применения.

Intel восстановит справедливость закона Мура

Несколько месяцев назад компания Intel сообщила о технологических проблемах, которые приводят к переносу производства 10 нм чипов на более поздний срок. В результате компания вынуждена выпустить по 14 нм технологии не два, а три поколения CPU.

Но похоже, что ситуация может выправиться. Билл Холт, исполнительный вице-президент и генеральный менеджер группы технологии и производства Intel сообщил, что технологический гигант постарается вновь соответствовать закону Мура в соответствии с экономикой и технологией.

Исполнительный вице-президент и генеральный менеджер группы технологии и производства Intel Уиллиам Холт

Холт пояснил, что Intel недооценила сложность изготовления заметно меньших чипов, однако в долгосрочной перспективе Intel сможет достичь такого же прогресса, как раньше. Это, определённо, обойдётся намного дороже, чем ожидалось. Десять лет назад Intel определила необходимость в инвестициях на уровне 104 миллиардов долларов, и 10 лет компания придерживались закона Мура. Теперь же ожидания выросли до 270 миллиардов.

«Наблюдаются рост стоимости исследований и разработки, но это не та вещь, которая нас остановит от погони за законом Мура», — заявил Холт.

Холт уверен, что производственные возможности компании получат большое преимущество по сравнению с конкурентами, а затраченные средства обязательно окупятся.

Intel Cannonlake отложен до 2017 года

Несмотря на плохие дела у AMD и явное технологическое и архитектурное отставание от Intel, компания может немного вздохнуть с облегчением, по крайней мере, в следующем году. Согласно последним слухам, Intel будет вынуждена задержать архитектуру Cannonlake с конца 2016/начала 2017 на минимум второе полугодие 2017 года, что даёт AMD возможность подготовить архитектуру 14 нм Zen без конкурентного давления и даже раньше, чем Intel выпустит 10 нм Cannonlake.

После выпуска Skylake несколько месяцев назад, компания Intel планирует в середине 2016 освежить линейку 14 нм чипами Kabylake, а уже затем, в конце 2016 или начале 2017 года фирма должна была выпустить 10 нм процессоры Cannonlake. Теперь же, с учётом переноса Cannonlake, цикл Тик-Так смещается уже на полтора года, возможно, даже на два.

Intel

В то же время сдвиг Cannonlake открывает перед AMD новые возможности, позволяя компании в конце следующего года спокойно выпустить 14 нм процессор Zen, который будет конкурировать с Kabylake. Несмотря на различия в технология производства, новый чип Zen вполне может показать лучшую энергоэффективность и переиграть Kabylake. Также на фоне слухов о выпуске Intel 8-ядерного процессора Cannonlake, AMD не стоит переживать, ведь выпуск и этого процессора будет перенесён, а значит, AMD имеет шанс маркетингово переиграть Intel и в этом направлении.

Qualcomm может использовать 10 нм технологию в производстве Snapdragon 830

В Сети появились слухи, согласно которым компания Qualcomm, выпуская свой новый флагманский процессор Snapdragon 830, может перейти к использованию нового производственного процесса с размером элементов в 10 нм.

Сейчас во многих флагманских устройствах применена SoC Snapdragon 810. В следующем году мы увидим телефоны на базе Snapdragon 820, так что модели устройств на основе системы на чипе Snapdragon 830 должны появиться где-то в 2017 году.

Qualcomm Snapdragon

Более совершенный техпроцесс, которым может воспользоваться Qualcomm при производстве новых процессоров, позволит обеспечить лучшее охлаждение и энергоэффективность, создав большую производительность на ватт.

В процессоре Snapdragon 810 разработчики использовали 20 нм технологию, в 820-й модели — 14 нм. Пока ещё никакой официальной информации о Snapdragon 830 не поступало, но учитывая нынешнюю скорость прогресса компании, вполне можно допустить, что компания стремится выпустить новый процессор по новой технологии. Пока о SoC известно лишь её заводское название, MSM8998, что полностью совпадает с нынешней схемой наименования продуктов Qualcomm.

Дорожная карта Intel обещает Broadwell-E через полгода

Согласно новой дорожной карте Intel на 2015 и 2016 год, опубликованной на форуме XFastest, компания в ближайшее время планирует выпуск новых процессоров Skylake.

Однако кроме этого также показана и другая информация о размещении продуктов и о появлении 8-ядерной платформы Broadwell-E.

Дорожная карта CPU Intel на 2015-2016 годы

Дорожная карта CPU Intel на 2015-2016 годы

Все планируемые процессоры будут изготавливаться по 14 нм технологии. Также по этому техпроцессу будет выпущен и Broadwell-E, запланированный на первый квартал. Процессоры с этим кодовым именем получат номера моделей Core i7 6960X, Core i7 6930K и Core i7 6820K. По сути, новые процессоры станут 14 нм альтернативой для Haswell-E. Как ожидается, серия Skylake, планируемая к релизу в ближайшие месяцы, будет начата с процессоров i7 6700K, i5 6500 и 6600(K). Процессоры Broadwell-E, запланированные на первый квартал, будут совместимы с материнскими платами, основанными на чипсете X99.

Дорожная карта CPU Intel на 2015-2016 годы

Дорожная карта CPU Intel на 2015-2016 годы

Таким образом, компания переносит выпуск 10 нм процессоров на более позднее время. По словам исполнительного директора Брайана Крзанича, разработка 10 нм технологии оказалась более сложной задачей, чем в компании предполагали изначально, и изготавливать столь малые транзисторы оказалось не так просто. «Две последние технологии производства транзисторов показали нам, что наш цикл сейчас ближе к 2,5 годам, чем к двум». Похоже, закон Мура требует пересмотра.

TSMC начинает 10 нм прототипирование

Компания TSMC в ходе 52-й Design Automation Conference представила первый прототип чипов изготовленных по 10 нм технологии. Эти прототипы открывают возможность опытного производства, рискового производства и дальнейшего перехода к массовому производству микросхем.

Сейчас начало рискового производства микросхем запланировано на вторую половину 2016 года. Массовое же производство должно начаться в самом конце будущего года. Технологию планируют использовать в низкоэнергетичных чипах, а в далёком будущем — высокоэнергетичных.

В подтверждение своих возможностей TSMC выпустила по новому процессу чип ARM Cortex-A57. Сама же технология, получившая название CLN10FF+, позволяет разместить на 110% транзисторов больше, чем при 16 нм FinFET+ технологии. Также он позволяет на 20% увеличить частоту при том же энергопотреблении, либо снизить энергопотребление на 40% при той же частоте.

Производство на заводе Fab 3 TSMC

Проект производственного завода обошёлся TSMC в существенный миллиард долларов, а его монтаж и наладка будут длиться несколько месяцев. Ожидается, что главным заказчиком микросхем по данной технологии станет Apple, которая по плану получит свои микросхемы к 2017 году.

Кроме того фирма хочет обновить технологию EUV литографии, что избавит её от необходимости выполнения двойной экспозиции. Новая технология, с засветкой волной 13,5 нм позволит делать отпечатки глубиной от 7 нм, и, вероятно, даже глубже.