Новости про 10 нм

Утекли сведения о Snapdragon 670

Компания Qualcomm уже подготовила новые платформы среднего уровня, которые должны быть представлены в ходе Mobile World Congress. Однако в Сеть уже утекли спецификации чипа Snapdragon 670, который будет изготовлен по 10 нм нормам.

По имеющимся слухам чип Snapdragon 670 (также известный как SDM670) основан на архитектуре ARM big.LITTLE, однако не так, как это было реализовано раньше. В новой SoC будет присутствовать два высокопроизводительных ядра Cortex A-75 и шесть эффективных ядер Cortex A-55.

Qualcomm Snapdragon

Эти два высокопроизводительных ядра названы Kryo 300 Gold. Они работают на частоте 2,6 ГГц. Энергоэффективные ядра Kryo 300 Silver работают на частоте 1,7 ГГц. Кроме того, SoC будет иметь три уровня кэширования, включая 32 КБ L1, 128КБ L2 и 1024 КБ кэша L3.

Графическая часть реализована GPU Adreno 615, хотя ранее ходили слухи о графике Adreno 620. Графический процессор Adreno 615 работает в частотном диапазоне от 430 МГц до 650 МГц с динамическим ускорением до 700 МГц. Максимально поддерживаемое разрешение экрана составляет 2560х1440 пикс.

Из остальных характеристик можно отметить процессор обработки изображений, который поддерживает пару камер разрешением 13 Мпикс. и одну 23 Мпикс.

10 нм процесс Intel опоздал на 2 года

Не секрет, что 10 нм технология от Intel давно выбилась из графика и повлияла на дорожную карту. В период зимних праздников новостей не много, так что можно немного разобраться с тем, что происходит в развитии технологии у Intel.

Архитектура Cannon Lake, изготовленная по 10 нм нормам, должна была стать седьмым поколением процессоров Core, однако вместо неё мы получили 14 нм Kaby Lake. В этом году гигант так и не смог представить никаких решений по 10 нм технологии, и выпустил Coffee Lake, 8-е поколение Core, также изготовленное по 14 нм номам. Эти процессоры стали четвёртым поколением, изготовленным по 14 нм процессу.

Intel Core i7

Эксперты в индустрии считают, что 10 нм технология Intel предложит ту же производительность, что и 7 нм у GlobalFoundries и Samsung, однако о массовом производстве речь пока не идёт. Отмечается, что даже Core Y, самое маленькое 10 нм ядро, пока ещё не выпущено.

Таким образом, 10 нм процессоры так и не были выпущены в 2017 году. Даже самые маломощные и простые версии CPU не готовы к производству. Остаётся надеяться, что хотя бы Core Y мы увидим уже в наступившем году.

Samsung выпустила самую маленькую микросхему DRAM

Компания Samsung Electronics выпустила новые микросхемы оперативной памяти, которые по её уверению являются самыми маленькими в мире.

Микросхемы DRAM DDR4 от Samsung, выпущены по второму поколению технологии 10 нм класса, они имеют объём 8 Гб. Они обеспечивают 30% прирост в производительности по сравнению с первым поколением 10 нм класса производства. Энергоэффективность новых микросхем была увеличена на 15%, а 10% прирост производительности обусловлен новыми проприетарными технологиями производства. Среди инноваций компания отметила высокочувствительную систему данных ячеек и прогрессивную схему воздушного зазора.

Микросхемы Samsung DDR4 10нм-класса второго поколения

Новые 8 Гб микросхемы DDR4 могут работать на скорости 3600 Мб/с на контакт, в то время как 8 Гб чипы первого поколения обеспечивают скорость в 3200 Мб/с на контакт.

Компания Samsung уже завершила валидацию памяти второго поколения 10 нм класса у производителей CPU. Следующим шагом компании станет тесное сотрудничество с заказчиками в разработке более эффективных вычислительных систем следующего поколения.

Intel не спешит с технологией EUV

В то время как компании Samsung и TSMC спешат внедрить литографию в глубоком ультрафиолете (EUV) в следующем году. В то же время Intel не участвует в гонке.

Промышленный источник, имя которого не раскрывается, сообщил,  что компания не заказывала материалы, необходимые для EUV, как это сделала Samsung и TSMC.

Машины, необходимые для выпуска продукции по технологии EUV, производятся голландской компанией ASML. Такие машины стоят по 150 миллионов долларов и основываются на самых современных разработках. Сама ASML получила заказы на 21 машину, которые она изготовит к 2019 году. Столь медленный выпуск связан с нехваткой линз, которые производит Zeiss.

Машины ASML для литографии в глубоком ультрафиолете

Дж. Дан Хатчесон, исполнительный директор исследовательской компании VLSI Research, утверждает, что внедрение EUV проходит сложнее, чем ожидалось. Все производители рассчитывали наносить один-два маскирующих слоя, но теперь речь идёт о пяти, шести или даже семи защитных слоях.

Но почему Intel не спешит с EUV? Обозреватели считают, что причина кроется в отсутствии конкуренции. Если на рынке ARM чипов TSMC и Samsung активно соперничают, то у Intel в этом направлении нет конкурентов. В связи с чем у последней есть больше времени на тщательную подготовку и совершенствование технологии для производства быстрых и мощных процессоров.

Samsung обещает начать 7 нм производство в конце 2018 года

Маркетинговая война за нанометры не останавливается. Компания Samsung сообщила о добавлении в свой технологический портфель процесса, позволяющего производить микросхемы с размером элементов 11 нм.

Новым процессом стал 11 нм Low Power Plus (LPP) FinFET. Эта технология будет коммерчески доступна в первой половине 2018 года. По сравнению с процессом 14LPP, новая технология Samsung обеспечит 15% прирост производительности изготавливаемых процессоров, а также уменьшит на 10% физическую площадь чипов. Всё это достигается при том же энергопотреблении. Технологию планируется применять при производстве SoC, используемых в смартфонах среднего уровня. Для своих топовых смартфонов компания продолжит использование процесса 10LPP.

Пластины с чипами

Также южнокорейская компания объявила о новых достижениях в разработке 7 нм LPP процесса, который использует ультрафиолетовую литографию (EUV). В компании сообщили, что первые чипы по этой технологии будут выпущены во втором полугодии 2018, однако о коммерческом производстве не сообщила ничего. Сейчас Samsung уверяет, что добилась 80% эффективности при выпуске по 7 нм EUV технологии 256 Мб чипов SRAM на тестовой линии.

Intel может опять перенести выпуск Cannon Lake

Компания Intel всё ещё планирует выпустить процессоры по технологии 14 нм+ для рынка настольных машин. Фирма также готовится к переходу на 10 нм, по которой будут выпущены CPU Cannon Lake.

Эти чипы уже переносились пару раз. После последнего анонса они планировались к выпуску на конец 2017 года или начало 2018-го. Но теперь этот срок может быть опять сдвинут.

Пластина микропроцессоров

По информации DigiTimes компания Intel может изменить график выпуска процессоров Cannon Lake. Скорее всего, речь идёт о версии с интегрированным GPU, на которую рассчитывали многие производители компьютеров.

По отчётам, 10 нм процессоры Cannon Lake с интегрированной графикой могут не появиться в продаже до конца 2018 года. Однако чипы без iGPU могут появиться раньше. Их массовое производство начнётся в первой половине будущего года.

Intel хорошо подготовлена к 10 нм

Компания Intel уже несколько раз говорила о подготовке к выпуску 10 нм процессоров в конце этого года. Однако теперь фирма сообщает о достигнутом прогрессе в 10 нм производстве второго поколения.

В Twitter компания сообщила: «Очередной этап для 10 нм: Cannon Lake идёт по плану, а теперь мы отпечатали Ice Lake, наше второе поколение 10 нм продуктов». Далее компания сообщила об утверждении своей позиции в качестве лидера 10 нм технологии: «Ice Lake, наше 2-е поколение 10 нм процессоров, изготовлено. Intel продолжает лидировать в 10 нм технологии».

Процессор Intel

Несмотря на высокую готовность, до выпуска 10 нм Cannon Lake компания выпустит в продажу процессоры с кодовым именем Coffee Lake, которые станут последним решением полупроводникового гиганта, изготовленным по 14 нм норам. Процессоры Coffee Lake поступят в продажу через несколько месяцев.

10 нм процесс Intel увеличит производительность CPU на 40%

В ходе «дня технологий» компания Intel рассказала об очередной своей разработке, которая касается будущих CPU.

Большая часть презентации была посвящена 10 нм технологии производства, которая, по уверению Intel, будет намного лучше предложений Samsung и TSMC.

Так чем же они будут отличаться? Во-первых, в ней будет использовано третье поколение технологии FinFET. Однако главной особенностью в 10 нм технологии станет Hyper Scaling, масштабирование, которое позволит компании «продолжить работу экономического Закона Мура, выпуская меньше транзисторы с меньшей удельной стоимостью».

Продолжение закона Мура

С выпуском 10 нм технологии, компания сможет в 2,7 раза увеличить плотность транзисторов, по сравнению с 14 нм продуктами. Это стало возможным благодаря уменьшению контактной площадки затвора с 70 нм до 54 нм, а контактной площадки проводника с 52 нм до 36 нм. В результате логическая плотность транзисторов составляет 100,8 миллиона штук на квадратный миллиметр, что вдвое больше, чем у конкурирующих 10 нм решений.

10 нм транзисторы Intel

Кроме того, переход на меньшую технологию позволит на четверть увеличить производительность при 45% снижении энергопотребления. Дальнейшее совершенствование 10 нм технологии, известное как «10++», увеличит производительность ещё на 15%, снизив потребление энергии на дополнительные 30%.

TSMC готовит рисковое производство по 5 нм нормам в 2019 году

Один из лидеров рынка по производству интегральных схем, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), ведёт работу, которая позволит ему приступить к рисковому производству микросхем по 5 нм нормам в первой половине 2019 года. Об этом заявил соисполнительный директор компании Марк Лиу.

Технология производства с размером элементов 7 нм будет готова для рискового производства уже в ближайшие месяцы, а массовое производство, по словам Лиу, должно начаться в 2018 году.

Соисполнительный директор TSMC Марк Лиу

Для усовершенствованной версии 7 нм технологии TSMC применит экстремальную ультрафиолетовую литографию (EUV), а также будет её полноценно использовать для 5 нм процесса.

Поскольку 10 нм технологию TSMC используют в основном для мобильных устройств, компания решила ускорить разработку, и начать выпуск коммерческих чипов по этому процессу уже в этом квартале. При этом во второй половине 2017 года поставки будут быстро расти.

Intel Cannon Lake будут выпущены в этом году

Производитель процессоров Intel подтвердил информацию о том, что 10 нм чипы Cannon Lake для PC поступят в продажу до конца этого года.

Изначально компания планировала представить семейство 10 нм процессоров в конце 2016 года, однако технические проблемы не позволили фирме реализовать планы к намеченному сроку.

Intel

В ходе CES исполнительный директор Intel Брайан Крзанич сообщил, что работы над Kaby Lake идут по плану, а их выпуск состоится в 2017 году. Он даже продемонстрировал некий компьютер 2-в-1 с 10 нм процессором, правда, никаких деталей о машине он не сообщил.

В своей речи Крзанич отметил, что закон Мура продолжает работать, несмотря на то, что Cannon Lake станет первым изменением техпроцесса, начиная с Broadwell в 2014 году.

Ранее фирма сообщала, что активно разрабатывает технологии с размерами элементов 7 нм и 5 нм.