Новости про производство

Цены на DDR3 самые высокие за 2 года

Последние годы индустрия оперативной памяти переживала не лучшие времена. Из-за этого обанкротилась компания Elpida, а остальные были вынуждены значительно сократить производство.

Месяц назад на заводе Hynix в китайском Уси произошёл пожар. И хотя руководство компании утверждало о том, что особых проблем с отгрузкой не будет, и что производство практически не пострадало, сейчас цены на оперативную память оказались самыми высокими за последние два года. Такую информацию распространило агентство Bloomberg.

Микросхемы памяти Hynix

Аналитики ожидают, что цены на чипы памяти продолжат свой рост на протяжении всего четвёртого квартала, либо же до тех пор, пока производство не возрастёт до нормальных объёмов. Так, на прошлой неделе, цена на 2 гигабитный чип памяти DDR3 составила 2,27 доллара, по сравнению с 1,60 доллара 4 сентября, когда пожар на заводе Hynix привёл к остановке производства. Таковы данные DRAMeXchange, крупнейшего азиатского рынка комплектующих.

Компания Hynix является вторым крупнейшим мировым поставщиком чипов памяти. В списке её клиентов присутствуют такие гранды IT как Apple, Dell и Sony. Сейчас фирма значительно нарастила производство на заводе Южной Кореи, чтобы снизить влияние произошедшего пожара на рынок.

Blu-Ray диски объёмом 100 GB для видео 4K уже в производстве

Нынешнее поколение дисков Blu-Ray не поддерживает контент разрешением Ultra HD, но похоже, скоро всё изменится.

Согласно недавно утекшим у одного из производителей дисков данным, компания готовит к выпуску диск 4K Blu-Ray. При этом официального сообщения на этот счёт от Blu-ray Disc Association пока не поступало, однако Singulus утверждает, что внедряет технологию производства, поддерживающую новые накопители высокой ёмкости — трёхслойные Blu-Ray диски.

С объёмом нового диска до 100 ГБ, линия Singulus BLULINE III способна отпечатать фильм разрешением 4K на один трёхслойный диск Blu-Ray. Контент 4K будет доступен в цифровом виде через такие сервисы как Netflix и Sony Video Unlimited, но учитывая размеры файлов, диски, скорее всего, ещё будут сохранять популярность.

Blu-Ray проигрыватель

Можно надеяться, что выход диска с 4K контентом наконец-то исключит путаницу, существующую с форматами Ultra HD, ведь даже сейчас, когда утверждён стандарт этого разрешения и начат выпуск первых дисплеев, всё равно некоторые производители предпочитают собственное видение нового стандарта.

В выпуске диска остаётся лишь один вопрос, смогут или нет Blu-Ray проигрыватели нынешнего поколения воспроизводить новые диски 4K. Некоторые предполагают, что это будет возможным после применения новых прошивок, однако никаких официальных сведений не поступало, а значит есть вероятность того, что для поддержки новых дисков придётся покупать и новые плееры.

Hynix может восстановиться через две недели

Как известно, завод по производству памяти Hynix, расположенный в китайском городе Уси, на прошлой неделе пострадал от взрыва и последовавшего за ним пожара, однако по последним данным, завод может полностью восстановить производство через 2—3 недели.

И хотя завод обволакивал густой дым, после детального анализа выяснилось, что производство сильно не пострадало. Вначале существовали опасения того, что завод может остановиться на месяц или больше, в результате цены на память на мировом рынке резко подскочили вверх, поскольку завод производил 15% всей DRAM памяти в мире.

Сейчас же сайт Fudzilla, ссылаясь на своих информаторов, уверяет: «Работа по всей видимости возобновиться скоро… возможно в течение двух или трёх недель, или даже раньше, но это всё ещё ранние оценки и более ясная картина откроется на следующей неделе».

Hynix

Сейчас всё выглядит так, что в случившейся аварии было больше дыма, чем огня, разрушения оказались минимальными и потери в производстве пластин крайне малы, поскольку пожар по большей части бушевал в зоне вентиляции и главные производственные мощности, включая чистые помещения, не были задеты.

Сообщается, что компания Hynix имеет на своих складах готовой продукции запасы, достаточные для бесперебойной отгрузки продукции в течение 2—3 недель, и если за это время завод полностью восстановится и быстро выйдет на проектные производственные мощности, то рынок даже не заметит произошедшей аварии.

На заводе памяти Hynix произошёл взрыв

В первую очередь хочется надеяться, что в результате инцидента никто не пострадал. По крайней мере первые сообщения ничего не говорят о жертвах.

Сообщается, что на китайском заводе Hynix в Уси произошёл пожар, который стал следствием мощного взрыва химикатов. Уже сейчас цены на память подскочили на 10%.

Пожар на заводе Hynix

По информации Kitguru, пострадавший завод выпускал память GDDR5, которая предназначалась для видеокарт NVIDIA, а значит произошедшая катастрофа заметно повлияет на мировые цены на память, а также на продукты, выпускаемые под брендом NVIDIA и наверняка опустошит складские запасы производителей видеокарт.

На территории, где бушевал пожар, Hynix изготавливала 30% от мирового объёма памяти, и теперь она потеряет половину своего производства, а значит, мировое производство чипов памяти снизится на 15%.

Пожар на заводе Hynix

Сейчас компания занята выяснением есть ли пострадавшие, а также проводит расследование причин возникновения пожара. Об этом заявил в телефонном интервью Сон Хее Ёоун, представитель Icheon, южнокорейского филиала Hynix. Огонь, вспыхнувший в 15:50 по местному времени в ходе монтажа оборудования был погашен к 17:20, сообщает источник.

Samsung начала промышленное производство 20 нм памяти DDR4

Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Модуль памяти Samsung DDR4

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Закон Мура перестанет работать через 10 лет?

Роберт Колвелл, директор группы микросистем в Defense Advanced Research Projects Agency, рассказал о Законе Мура в ключевой речи на конференции Hot Chips.

Инженер, который однажды придумал конструкцию процессоров класса Pentium, предсказывает, что Закон Мура существует и выполняется из последних сил. Он заявил, что возможность упаковки вдвое большего числа транзисторов каждые два года на кристалле того же размера будет исчерпана к 2020 году с 7 нм технологией производства или к 2022 году с 5 нм техпроцессом.

Директор группы микросистем в Defense Advanced Research Projects Agency Роберт Колвелл

Колвелл заявил, что прекращение Закона Мура будет иметь далеко идущие последствия для полупроводниковой промышленности, поскольку это будет означать конец экспоненциального роста вычислительной мощности. Он добавил, что инженеры непременно предпримут ряд действий по недопущению застоя, но усомнился, что будут сделаны новые открытия, которые поспособствуют новому экспоненциальному росту производительности либо восстановлению Закона Мура.

Экспоненциальный рост по Закону Мура, продолжающийся уже три десятка лет, привёл нас к ускорению работы процессоров с 1 МГц до фактически 5 ГГц, т. е. к увеличению скорости в 3500 раз. Для сравнения, Колвелл сообщил, что сделанные модификации архитектуры привели к увеличению производительности только в 50 раз. Экспоненциальный рост всегда заканчивается по причине невозможности дальнейшего развития, и существующая тенденция, к сожалению, очень редка.

«Я не ожидаю очередного ускорения в электронике в 3500 раз, может, в 50 раз, за следующие 30 лет», — отметил инженер. Он также добавил, что с завершением действия Закона Мура ежегодный прирост производительности составит не более 10%, к сожалению.

TSMC готовит 20 нм производство на начало 2014 года

Моррис Чан, исполнительный директор Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. заявил, что его компания планирует начать производство чипов по 20 нм техпроцессу в феврале 2014 года, для чего выбран завод Fab 14/phase 5, а с мая производство откроется и на заводах Fab 15/phase 3 и 4.

«В 20 нм техпроцессе мы видим малую конкуренцию. Опытное производство началось в первом квартале 2013 г. и массовое производство начнётся в начале следующего года. Оборудование уже будет смонтировано, оборудование поставляется и будет смонтировано», — заявил Моррис Чан в ходе квартальной конференции с финансовыми аналитиками.

TSMC начала строительство производства Phase 5 на заводе Fab 14 ещё в апреле прошлого года. Конструкция цеха уже готова и установка оборудования началась в апреле этого года. Обычно, на полное оснащение завода по производству микросхем уходит от 6 до 12 месяцев. Кроме перечисленных заводов TSMC также планирует позднее начать производство 20 нм микросхем на заводе Fab 12/phase 6.

Производство TSMC

Также интересным фактом является то, что большую часть оборудования, которое будет использовано для производства 20 нм чипов, будет позднее применяться для 16 нм FinFET техпроцесса. Случится это где-то в 2015 году.

«По 16 нм FinFET процессу массовое производство начнётся примерно через год после 20 нм SoC, другими словами, в начале 2015 года. Наш научно-исследовательский процесс производства 16 нм FinFET идёт хорошо, есть новые усовершенствования, и они лучше, чем планировались и он лучше, чем 20 нм год назад. Мы работаем с несколькими крупными клиентами и много изготавливаем, многие продукты изготавливаются», — несколько путано заключил Чан.

Samsung начал выпуск первой 3D вертикальной NAND памяти

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство усовершенствованной версии NAND флэш-памяти, известной как 3D Vertical NAND (V-NAND), которая должна помочь обойти ограничения масштабирования, установленные традиционной NAND памятью.

Южнокорейский гигант исправил свою архитектуру Charge Trap Flash для использования слоёв в трёх измерениях, которые могут быть собраны друг над другом для создания больших по плотности хранилищ.

Чип V-NAND от Samsung

С V-NAND, компания Samsung, как она утверждает, не только достигла от двух до десяти кратного повышения надёжности, по сравнению с традиционной NAND, но и два раза увеличила скорость записи по сравнению с NAND памятью 10 нм класса с плавающими транзисторами. Первые версии чипов, изготовленных по этой технологии, будут иметь объём 16 ГБ, а с учётом возможности Samsung собирать по 24 слоя, общий объём одной микросхемы составит 128 ГБ.

И хотя данное достижение впечатляет, оно ничто, по сравнению с недавним анонсом компании Crossbar, представившую резистивную память (RRAM), которая позволяет хранить до 1 ТБ данных на чипе размером с почтовую марку. При этом такие микросхемы заметно быстрее, более энергоэффективны и, теоретически, более надёжны, чем V–NAND от Samsung.  Правда, V-NAND даже после 10 лет разработки по-прежнему не готова к массовому производству. В то же время, 3D микросхемы Samsung уже находятся в массовом производстве, а значит, мы увидим продукцию с этой памятью на полках магазинов уже в ближайшее время.

Samsung разрабатывает самую быструю встраиваемую память

Эволюция мобильных чипов памяти идёт всё быстрее, ну если Samsung можно считать показателем прогресса.

Ещё не прошло и восьми месяцев с момента анонса компанией скоростных чипов eMMC 4.5, как появилась новая версия NAND от южнокорейского гиганта. На самом деле Samsung объявила о начале массового производства того, что фирма называет самой быстрой в мире памятью для встраиваемых решений. Новые чипы eMMC PRO основаны на 64 ГБ микросхемах NAND флэш-памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса, и это первые микросхемы, поддерживающие стандарт eMMC 5.0. Напомним, что всего 3 недели назад о начале производства чипов 10 нм класса объявила компания Micron, которая изготовила микросхемы NAND по 16 нм техпроцессу.

Чип памяти Samsung eMMC 5.0

Новые чипы доступны в вариантах с объёмом 16, 32 и 64 ГБ. Случайная скорость чтения из этих микросхем составляет 7000 операций ввода-вывода в секунду, а скорость последовательного чтения и записи равна 250 МБ/с и 90 МБ/с соответственно. Такие скорости окажутся невероятно полезными для обеспечения многозадачности в мобильных устройствах. А учитывая готовящийся к выпуску процессор Exynos 5 Octa 5420 от Samsung, такая память позволит компании в полной мере реализовать его возможности и создать мобильные гаджеты с невероятной производительностью.

Samsung готовит SSD со скоростью 3000 МБ/с

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в производстве памяти, анонсировала разработку первого в промышленности 2,5” твердотельного накопителя с интерфейсом PCIe.

Этот накопитель предназначен для корпоративного хай-энд рынка. Недавно разработанный NVMe SSD объёмом 1,6 ТБ обеспечивает умопомрачительную скорость последовательного чтения данных — 3000 МБ/с. Это означает, что с этого диска можно будет прочитать целый терабайт данных менее чем за 6 минут. Если сравнивать разработанный накопитель с традиционными серверными хранилищами на жёстких дисках, то он окажется в 14 раз быстрее и в 6 раз быстрее предыдущего поколения корпоративных SSD накопителей от Samsung.

PCI-E SSD Samsung XS1715

Скорость случайного чтения достигла 740 000 операций вывода в секунду, что более чем в 10 раз быстрее SSD прошлого поколения. Диск получил название модели XS1715 и он доступен в вариантах с ёмкостью 400 ГБ, 800 ГБ и 1,6 ТБ.

И хотя уже сейчас накопитель позволяет резко увеличить производительность по сравнению с жёсткими дисками и 2,5” SSD, компания планирует продолжать разработку и выпуск NVMe SSD и впредь повышая производительность систем хранения данных.