Новости про оперативная память

Новая линейка Spark будет выпущена компанией в самом конце года. Этот модельный ряд будет включать наборы памяти объёмом 16 ГБ и 32 ГБ, а скорость их работы будет находиться в диапазоне от 4800 МТ/с до 7200 МТ/с. Новая DDR5-память будет предназначаться для работы с платформами Intel 12-го поколения Alder Lake и готовящимися чипами AMD Zen 4.

Модули Zadak Spark RGB получат чисто белый радиатор и светодиодную RGB-подсветку. Чтобы убедиться в стабильной работе своей памяти компания тесно сотрудничает с производителями материнских плат, включая Asus, MSI, Gigabyte и ASRock. Выпуск DDR5-памяти Zadak Spark RGB состоится до конца этого года.

Эпоха DDR5 только-только началась, а технологические гиганты уже смотрят в будущее. Спецификация памяти DDR6 ещё не разработана JEDEC, однако корейские гигант уже занят её проектированием. Ожидается, что эта память будет работать с пропускной способностью в 12800 Мб/с, а разогнанные модели смогут выдавать до 17000 Мб/с. Кроме того, в DDR6 количество банков памяти будет увеличено в 4 раза, по сравнению с DDR4, до 64. Первые модули типа DDR6 должны появиться в 2024 году.

В ходе мероприятия компания Samsung также рассказала о 1z нм процессе для производства GDDR6, которую она назвала GDDR6+. Этот новый вариант графической памяти сможет развить скорость от 18000 Мб/с до 24000 Мб/с, что на 33% больше, чем у предшественника. На смену GDDR6+ придёт GDDR7, которая получит защиту от ошибок в реальном времени и максимальную скорость передачи данных до 32000 Мб/с.

Говоря о LPDDR6, компания Samsung особое внимания уделила вопросу энергоэффективности, хотя и скорость также должна возрасти. Компания ожидает повысить эффективность примерно на 20%, а скорость передачи данных возрастёт до 17000 Мб/с.

Наконец, компания рассказала о своих планах по производству памяти HBM3 со скоростью 800 ГБ/с и HBM2E с пропускной способностью 450 ГБ/с. Первые модули типа HBM3 южнокорейский гигант должен выпустить во II квартале 2022 года.

Несколько дней назад обозреватели стали сообщать о дефиците чипов управления питанием для модулей DDR5. Немногим ранее MSI сообщила, что модули DDR5 будут в момент старта продаж намного дороже DDR4 на старте, из-за большей себестоимости производства. Всё это вылилось в нехватку моделей и активизацию спекулянтов.

Так, на eBay, спекулянты уже продают DDR5 за очень большие деньги. К примеру, один из продавцов просит за два набора 2×16 ГБ, то есть за 64 ГБ памяти DDR5-5200 Corsair Dominator Platinum, ни много ни мало 5000 долларов. Этой памяти в продаже нет нигде, лишь на сайте самой Corsair имеется заявленная стоимость в 339,99 долларов за каждый набор. То есть спекулянт вместо номинальных 680 долларов просит 5000.

Конечно, цена указанная Corsair на своём сайте чисто номинальная, однако переплачивать в 8 раз за набор памяти вряд ли кто-нибудь станет.

И вот, компания Samsung заявила о создании первых в индустрии модулей оперативной памяти LPDDR5X, которая обладает в 1,3 раза большей скоростью, чем LPDDR5, и на 20% меньшим энергопотреблением.

Процессоры M1 в MacBook используют память LPDDR4X со скоростью 4266 Мб/с, а LPDDR5X способна удвоить эту производительность. Память нового типа обеспечивает скорость до 8500 Мб/с. Другим интересным примером может служить компьютер Valve Steam Deck. В нём установлена память LPDDR5, которая работает на скорости 5500 Мб/с. Следующее поколение Steam Deck с памятью LPDDR5X будет работать в полтора раза быстрее.

Спецификация LPDDR5X утверждена как стандарт JEDEC, а значит в будущем мы увидим память этого типа и от других производителей.

Представленный формат Ultra Temperature расширяет стандартные для промышленности рабочие температуры модулей памяти. Теперь для промышленности открыта дверь к новым решениям, недоступным ранее. Повышенная надёжность подтверждена различными экстремальными тестами. В первую очередь это касается беспилотных автомобилей и авиации, которые работают в тяжёлых условиях.

Серия памяти Ultra Temperature обладает скоростью DDR4-3200 и представлена в версиях SODIMM и ECC SODIMM в объёмах 16 ГБ и 32 ГБ. Память обладает повышенной защитой, а также утолщёнными золотыми контактами в 1,1 мм, против 0,76 мм в обычных модулях. Кроме того, разработчики защитили и усилили хрупкие паянные соединения, сделав их стойкими к термическому и механическому воздействую. Дополнительным защитным уровнем уязвимых деталей стала защита от серы, которая вызывает коррозию серебра.

Память серии Ultra Temperature от Innodisk уже доступна для опытного заказа избранным потребителям.

В эпоху DDR4 память G.Skill всегда была в авангарде разгона, для установки очередных рекордов зачастую использовалась именно эта память. Похоже, что с переходом на DDR5 ситуация не изменилась, и модули G.Skill Trident Z5 поставили свежий рекорд.

Модули Trident Z5 являются передовыми от G.Skill. Они предлагают высочайшие скорости для потребителей. Используя материнскую плату ASUS ROG Maximus Z690 APEX и процессор Intel Core i7-12700KF с их помощью был установлен мировой рекорд скорости DDR5 — 8704 МГц.

Оверклокер с ником hocayu достиг этой частоты используя систему охлаждения жидким азотом. Память прошла процедуру валидации.

Пока внедрение памяти DDR5 находится на раннем этапе, и рынок предлагает относительно медленные модели, однако пользователи могут ожидать появления модулей до 6800 МГц. Однако уже сейчас многие производители проектируют память DDR5 частотой выше 7 ГГц, и подобные разгон раскрывает отличные перспективы.

После того, как в марте компания представила первые в промышленности микросхемы памяти, изготовленные с применением EUV, её инженерам удалось увеличить количество слоёв до 5, что делает технологию Samsung самой совершенной в отрасли по производству памяти DDR5.

На фоне продолжающегося уменьшения размеров элементов памяти, переход с традиционного аргон-фторидного процесса к EUV позволяет увеличить точность размещения элементов, повысить производительность и увеличить процент выхода годной продукции. Изготавливая память по 14 нм EUV технологии, Samsung удалось достичь высочайшей плотности данных, увеличив общую скорость производства примерно на 20%. Кроме того, переход на новую технологию позволил на 20% снизить энергопотребление микросхем памяти.

В дополнение, использование в микросхемах памяти DDR5 14 нм процесса Samsung позволило беспрецедентно увеличить скорость передачи данных до 7,2 Гб/с, что более чем в два раза превышает скорость DDR4, составляющую 3,2 Гб/с.

Сейчас компания планирует в будущем выпустить память DDR5-8400, однако модели с такой скоростью не будут предлагаться в первых партиях. Вначале частота работы памяти будет куда более скромной, однако уже сейчас, перед самым выпуском Intel Alder Lake и платформы Z690 с поддержкой PCIe 5.0 и DDR5, компания достигла скорости работы памяти в 8118 МТ/с.

Данная величина была достигнута собственным подразделением компании, занимающимся разгоном, XPG Overclocking Lab (XOCL), что вывело ADATA на первое место.

Компания SK Hynix официально заявила, что её память HBM3 обеспечивает максимальную скорость передачи данных в 819 ГБ/с.

Таким образом SK Hynix стала первой в мире фирмой, представившей рыночный образец памяти HBM3. Разработчики уверяют, что это самая быстрая память в мире, и скорость её работы на 78% выше, чем у предшественницы HBM2E. Для понимания, 819 ГБ/с — это передача 163 фильмов в FullHD за одну секунду.

Модули новой памяти предлагаются в объёмах 24 ГБ или 16 ГБ. Все они имеют коррекцию ошибок данных благодаря встроенной системе ECC. Модули объёмом 24 ГБ имеют толщину 30 мкм, что в три раза тоньше листа бумаги. Память HBM3 предназначена для высокопроизводительных центров обработки данных и платформ машинного обучения, обеспечивает высокую скорость в задачах искусственного интеллекта и суперкомпьютерах.

Эти изменения коснуться в первую очередь Apple, поскольку память Micron ставится на их машины.

Компания Micron производит как микросхемы NAND для хранения данных, так и чипы оперативной памяти DRAM, которые применяются во всех отраслях вычислительной техники. Фирма является одним из крупнейших мировых производителей, и она уверяет, что заметно сократит объёмы производства микросхем обоих типов.

Исполнительный директор компании Санджай Мехрота заявил, что некоторые заказчики на рынке PC скорректировали свои заказы на оперативную память и накопители из-за дефицита других комплектующих, не связанных с памятью. «Мы считаем, что эти корректировки наших PC-клиентов будут по большей части разрешены в ближайшие месяцы», — заявил директор.

Сейчас компания ожидает, что в текущем квартале её прибыль составит 7,65 миллиарда, в то время как аналитики прогнозировали 8,57 миллиардов долларов.