Новости про оперативная память

Google Chrome будет потреблять меньше памяти

Компания Google много работает над снижением требований к оперативной памяти для браузера Chrome, и в версии обозревателя номер 55 результат этого труда должен стать очевидным.

Браузер Chrome 55 будет включать обновлённый движок JavaScript, занимающий заметно меньше ОЗУ. А поскольку многие сайты используют JavaScript, это должно привести к резкому уменьшению объёма занимаемой памяти. По словам Google, при просмотре тестовых сайтов, среди которых New York Times, Reddit и YouTube, браузер использует на 50% меньше памяти, чем версия 53.

Если вам не терпится опробовать эти изменения, то вы можете загрузить предварительную версию браузера. Финальная же сборка Chrome 55 будет выпущена 6 декабря.

Разработчики отмечают, что, несмотря на резкое сокращение используемой оперативной памяти, вы не заметите ускорения в работе. Изменения будут ощущаться, только если вы используете много открытых вкладок, приложений, или объём ОЗУ вашего компьютера просто мал, по современным меркам.

Так что команде V8 предстоит ещё много работы по оптимизации браузера. Целью разработчиков является облегчение обозревателя до такой степени, чтобы он нормально работал на системах с менее чем 1 ГБ ОЗУ.

Цены на DRAM вырастут

По информации DRAMeXchange и сайта DigiTimes контрактные цены на память DRAM и NAND в четвёртом квартале этого года поднимутся более чем на 10%.

На фоне роста спроса на ноутбуки в Северной Америке, 4 ГБ модули DRAM, как типа DDR3, так и DDR4, поднимутся в среднем до 13,50 долларов. В то же время в четвёртом квартале цена продолжит расти и достигнет 15 долларов.

Производители памяти продолжат расширять производство мобильной ОЗУ и прочих не связанных с ПК продуктов, для увеличения прибыли в связи с низким спросом на PC-память. «Ожидается, что мобильная DRAM займёт порядка 45% мировых поставок ОЗУ в четвёртом квартале этого года, а серверная память составит 25% всех поставок DRAM», — заявила Аврил Ву, директор по исследованиям DRAMeXchange. «Для сравнения, PC DRAM будет занимать менее 20% от всех поставок в четвёртом квартале».

Что касается NAND памяти, то аналитики отмечают, что цена на неё продолжит свой рост благодаря высокому спросу от производителей смартфонов, включая Apple и китайских производителей Huawei, Vivo и Oppo. Спрос на NAND память начнёт превышать предложение уже с третьего квартала.

Производители ноутбуков переходят на встраиваемую память

Производители ноутбуков начинают массово переходить на встраиваемую оперативную память, отказываясь от DIMM модулей. Таким образом, лэптопы на базе процессоров Apollo Lake могут стать ещё тоньше.

Процессоры Apollo Lake, которые характеризуются 14 нм размером элементов, низким энергопотреблением, неплохой производительностью и малыми размерами, увеличивают свою популярность, а вместе с тем конструкторы лэптопов переходят к впаиванию микросхем памяти непосредственно в материнскую плату. Такой шаг позволит производителям сделать ноутбуки ещё тоньше.

Количество ноутбуков, использующих LPDDR4, также увеличилось, поскольку производители продолжают прикладывать усилия по минимизации энергопотребления, увеличению производительности и увеличению срока автономной работы.

В качестве примера приведены ультратонкие ноутбуки Acer Aspire S 15 и S 17, которые имеют толщину менее 17 мм. Другие же производители, включая Lenovo, Asustek Computer, HP и Dell, во втором полугодии также должны сфокусироваться на ультратонких моделях и устройствах 2-в-1.

LeEco представила смартфон с 8 ГБ ОЗУ

Смартфоны хай-энд уровня уже оснащаются 6 ГБ оперативной памяти, однако китайский производитель LeEco пошёл ещё дальше, и установил в телефон целых 8 ГБ RAM, вдовое больше, чем в современных флагманах.

Таким образом, устройство LeEco Le2S стало первым в мире смартфоном, оснащённым 8 ГБ оперативной памяти. Кроме большого объёма Ram телефон может похвастать 5,5” экраном и накопителем объёмом 64 ГБ. Построен он на процессоре Qualcomm Snapdragon 821, который имеет 10% преимущество в производительности перед 820-й моделью.

Сообщается, что телефон Le2S должен поступить в продажу в следующем месяце, так что до полноценной информации об устройстве, и его цене, ждать осталось не долго.

Спецификации DDR5 будут завершены в этом году

В ходе IDF было сказано, что мы увидим как минимум ещё одну спецификацию памяти DDR.

Теперь же появилось подтверждение, что JEDEC готовит первую версию спецификации DDR5 к концу этого года. Однако до выхода этой памяти на рынок придётся подождать ещё 4 года.

Ранее некоторые эксперты отмечали, что DDR4 станет последней спецификацией памяти DDR4, после чего произойдёт переход к более совершенной ОЗУ, такой как PCM (фазопеременной ОЗУ) или к MRAM (магниторезистивной памяти). Однако сейчас память этого типа по-прежнему находится в разработке, и её применение может оказаться слишком дорогим в производстве. Также промышленность пока не испытывает необходимости в новом, более быстром типе памяти, однако такие направления как виртуальная реальность могут стимулировать её развитие.

Память DDR5 предложит меньшие и более плотные чипы, которые будут изготовлены по передовым технологическим процессам. Спецификация DDR4, утверждённая много лет назад, не учитывает возможностей нынешних 14 нм и 10 нм технологий, а опирается на 40 и 50 нанометровые нормы.

Отмечается, что память DDR5 просуществует до 2025 года, после чего и будет представлена оперативная память нового типа.

Samsung переориентируется на NAND

C увеличением спроса на NAND память компания Samsung решила переориентировать своё производство на выпуск NAND флеш-памяти.

В ходе мероприятия, организованного для главных инвесторов, южнокорейская компания сообщила о своих планах по снижению вложений в DRAM и большей фокусировке на флеш-памяти NAND.

Изменение курса компании в области памяти произошло через несколько недель после того, как её аналитики отметили снижение продаж DRAM. Теперь же Samsung увеличит инвестиции в производственные мощности флеш-памяти NAND, в то время как другие компания попытаются противостоять гиганту. В прошлом году компания оказалась лидирующем поставщиком NAND в мире, занимая 31,6% рынка.

IBM готовит недорогую память

Ветеран рынка вычислительной техники, компания IBM, объявила о значительных успехах в разработке нового типа динамической памяти со случайным доступом.

Память, получившая название фазопеременной, или PCM — phase-change memory, обеспечит более быстрый доступ к данным при меньшей стоимости. Разработчикам удалось достичь плотности в три бита на ячейку, что на 50% больше, чем у прототипа, представленного в 2011 году.

При работе PCM меняет состояние стеклоподобной подложки из аморфного состояния в кристаллическое, используя электрический заряд. Подобно NAND флеш, память PCM продолжает сохранять своё состояние при отключении питания, однако в отличие от нынешней технологии флеш, где доступ к ячейке занимает 70 мс, доступ к PCM занимает 1 мс.

Трёхбитная память обеспечит более быстрый доступ к твердотельным массивам накопителей, обеспечив ускорение в работе приложений. Также эта память может заменить DRAM в системах подобных базам данных, снизив стоимость технологии. По словам разработчиков, те производители, которые воспользуются трёхбитной PCM в смартфонах, смогут загружать их за 3 секунды.

Когда же эта память появится в конечных устройствах, IBM не уточняет. Частично из-за того, что ей потребуется найти партнёра, который примет память нового типа. Для налаживания коммерческого выпуска PCM потребуется минимум три года.

Память G.Skill преодолела 4 ГГц барьер

Уже давно мы используем оперативную память частотой более 1 ГГц, и новые модули DDR4 G.Skill вывели частоту на новые горизонты. Благодаря набору модулей Trident Z объёмом 8 ГБ и 16 ГБ теперь вы сможете работать с ОЗУ частотой более 4266 МГц.

Вся плата, вместе с микросхемами, спрятана под алюминиевым радиатором. Будучи доступной в серебристом и чёрном цвете с различной цветовой маркировкой, зависящей от модели, данные модули вряд ли станут эталоном дизайна, однако они обеспечат беспрецедентную производительность.

Самым быстрым решением стали наборы объёмом 16 ГБ (2х8 Гб) частотой 4266 МГц. При этом тайминги памяти составляют 19-23-23-43. В то же время менее производительное решение серии поставляется в наборах по 64 ГБ и при таймингах 14-14-14-34 работает на частоте 3466 МГц. С обратной стороны модельного ряда расположились наборы объёмом от 8 ГБ до 64 ГБ с частотой 3200 МГц при таймингах 13-13-13-33. Все три модели питаются напряжением 1,35 В, так что вполне возможно, для ещё большего ускорения его стоит немного увеличить.

Если вы заинтересовались новым предложением G.Skill, то у вас ещё есть время внимательно обдумать покупку, поскольку в продажу новые Trident Z поступят только в июне.

Samsung начинает массовое производство 10 нм памяти DDR4

Компания Samsung приступила к массовому производству «первых в мире 10 нм, 8 Гб чипов DRAM DDR4», а также модулей памяти, основанных на этих чипах.

По уверению разработчиков, новая память обеспечит лучшие скорости передачи данных и повышенную энергоэффективность, по сравнению с предыдущей памятью 20 нм класса. Так, прирост составит до 30%, а чипы смогут поддерживать передачу данных на скорости до 3200 Мб/с.

Что касается энергоэффективности, то она возрастёт на 10—20%. Этого удалось добиться благодаря фирменной конструкции ячеек памяти Samsung, новой технологии литографии и технологии осаждения сверхтонкого диэлектрического слоя.

Кроме энергоэффективности это позволило повысить и качество. В своём блоге компания отметила, что при переходе на 10 нм производство 8Gb DDR4 DRAM количество брака на пластинах снизилось более чем на 30%.

Следующим шагом в развитии памяти, компания Samsung видит выпуск более плотных 10 нм чипов мобильной ОЗУ, которая будет иметь меньшие габариты и большую скорость работы.

Также не будут забыты и пользователи PC, которые получат модули памяти объёмом от 4 ГБ для ПК и ноутбуков до 128 ГБ для промышленных серверов. Эти модули памяти южнокорейская компания планирует выпустить в текущем году.

Цена на DRAM может упасть на 40%

Производители оперативной памяти, включая Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology, после перехода на более тонкие техпроцессы производства, смогли увеличить ёмкости пластин, а значит, и объёмы выпуска, что по мнению президента Пеи Ин Ли Nanya Technology, тайваньского производителя памяти, может повлечь снижение цены во втором полугодии.

Ли отметил, что со стороны крупных производителей ОЗУ начнётся ценовой прессинг, который расширится и на остальные рынки памяти, включая память для мобильных устройств, серверов и бытовых гаджетов. При этом компания считает, что амплитуда удешевления не будет столь экстремальной, какой она была в первом квартале.

Во втором полугодии господин Ли ожидает, что спрос на чипы DRAM будет выше, чем в первом, однако условия рынка будут менее понятными, а цена будет зависеть от того, насколько быстро Samsung, Hynix и Micron нарастят мощности.

Он отмечает, что возможно падение цены на 20—30%, однако если производство быстро наберёт обороты, можно ожидать снижения цены на 25—40%. При этом Ли отметил, что в прошлом году цена на DRAM снизилась на 20—30%.