Новости про оперативная память

В этом году аналитики ожидают комбинированный рост рынка памяти чуть менее 30%, а в следующем году эта величина снизится до однозначной.

Что касается финансовой стороны, то в этом году сегмент DRAM покажет рекордный уровень в 100 миллиардов долларов. Главной причиной аналитики называют высокий спрос на память для серверов. Так, в этом году мировой спрос на серверы вырастет на 15%, а объём памяти для каждого сервера продолжит увеличиваться.

Производители активно реагируют на эти изменения. К примеру, доля серверной памяти у SK Hynix в этом году составила 38,8%, в то время как 2016 году она составляла 24%. У Micron эта доля составляет 29%, на 7% выше, чем пять лет назад.

Утилита CPU-Z позволяет получить подробные сведения о модели и производителе процессора, количестве ядер, степпинге, замерить внутренние и внешние частоты, множитель и выявить разгон. Также она показывает поддерживаемые инструкции, объём кэша и даже физические размеры ядра.

Кроме того, с помощью CPU-Z можно получить некоторые сведения о материнской плате, включая её модель, версию BIOS и модель чипсета, и об оперативной памяти.

На удивление, CPU-Z 1.86 получила очень короткий перечень изменений. Отныне утилита может работать с процессорами Intel 9-го поколения Core (Coffee Lake 9900K, 9700K, 9600K, 9600, 9500 и 9400), процессорами Intel Coffee Lake-U, и может определять производителя видеокарты (только NVIDIA).

Загрузить CPU-Z 1.86.

Гиганты рынка, Samsung Electronics и SK Hynix, готовят изменить ориентированные на прибыль стратегии бизнеса, поскольку обе компании ожидают, что стремительный рост рынка памяти, который длится 2—3 года, закончится к концу текущего. При этом обе компании в ходе конференций с инвесторами сообщили, что продолжат наращивать складские запасы чипов.

После пикового 50,2% проникновения Samsung на рынке в IV квартале 2016 года, её доля продолжает снижаться. Эти изменения происходят в первую очередь за счёт роста прибыли Micron.

Ожидается, что мировой рынок DRAM достигнет пика в 104 миллиарда долларов США в 2018 году, после чего пойдёт снижение на 1,8% и 2,6% в 2019 и 2020 годах соответственно. Что касается рынков сбыта, то вместо сектора смартфона, лидирующего сейчас, всё больше памяти станет требовать автомобильная электроника.

В ближайшем будущем смартфоны высшего класса уже обойдут настольные ПК по некоторым характеристикам. Так, компания Vivo готовит новый флагманский смартфон, который получит поразительные 10 ГБ ОЗУ.

По слухам, этот смартфон будет выпущен в августе. Он получит процессор Qualcomm Snapdragon 660 и 10 ГБ ОЗУ. Похоже, что в противостоянии Oppo и Vivo в этом году победит последняя. Однако это будет первый, но не единственный смартфон с такими характеристиками. Так, к концу года, а особенно к началу следующего, многие производители готовят свои аналогичные предложения, а вот насколько они будут востребованы, узнаем уже через месяц.

Южнокорейский гигант успешно протестировал 8 ГБ модули памяти, собранные из 8 чипов LPDDR5 объёмом 8 Гб. Этот анонс выпущен вместе с традиционными обещаниями по «повышению производительности» и «снижению энергопотребления».

Представленная память использует последнюю спецификацию DDR5, разработка которой ещё не окончена. Теоретически, память LPDDR5 может работать на 6,4 Мб/с, в то время как LPDDR4X работает на 4,26 Мб/с.

Улучшенное энергопотребление новой памяти достигается за счёт введения «режима глубокого сна». В результате, по сравнению с LPDDR4X, энергопотребление LPDDR5 снижается вдвое.

Когда же память LPDDR5 будет доступна, ещё не ясно, но Samsung явно подготовилась к этому моменту.

Кроме огромного объёма оперативной памяти в 128 ГБ к нему прилагается огромный накопитель в 6 ТБ. Также машина оснащается 15,6” дисплеем разрешением 4K, шестиядерным процессором от Intel и видеокартой Nvidia Quadro P3200. В общем, у Lenovo теперь появилась очень мощная рабочая станция для САПР или создания контента для виртуальной реальности.

Также машина сможет похвастать парой портов Thunderbolt 3, выходами HDMI 2.0 и mini DisplayPort, тремя портами USB Type-A, разъёмом Ethernet и гнездом для наушников. Пока цена на компьютер неизвестна, но очевидно, что Lenovo хочет конкурировать с новой рабочей станцией Dell, которая может поддерживать до 128 ГБ ОЗУ.

В целом же компьютер выглядит как обычный ThinkPad в чёрном корпусе и со светящимся логотипом. Вот только масса составляет 2,45 кг.

В них используется память 10-нанометрового класса, а модули предназначены для достижения производительности эквивалентной настольным ПК. По словам Samsung, новая память заметно увеличивает ёмкость и скорость работы, при снижении потребляемой энергии.

Так, в сравнении с прошлым поколением 16 ГБ модулей, изготовленных по 20 нм классу из чипов по 8 Гб, новые модули обещают 11% прирост в скорости и на 39% меньшее потребление энергии. Новая память обладает пропускной способностью в 2,666 Мб/с, а пара таких модулей при объёме 64 ГБ будет потреблять менее 4,6 Вт при нагрузке и 1,4 Вт в простое.

Изначально, память DDR5 должна иметь частоту в диапазоне от 4400 МГц до 6400 МГц. Однако главным изменением в этой памяти станет не производительность, а объём. Ожидается, что каждое ядро микросхемы будет иметь объём до 32 Гб.

Дело в том, что на рынке имеется высокий спрос на память, и современные задачи требуют большого объёма ОЗУ. Однако серверы физически могут работать лишь с ограниченным количеством модулей. Новый стандарт позволит производителям изготавливать микросхемы объёмом 16 Гб и 32 Гб со встроенной коррекцией ошибок. То есть подсистема памяти получит собственную ECC. Стандарт призван оптимизировать внутреннюю сегментацию и уменьшить тайминги. Кроме увеличения ёмкости ядра до 32 Гб память DDR5 унифицирует создание стеков, что облегчит производителям создание многоядерных чипов.

Пока использование памяти DDR5 видится только в серверах. Ожидается, что первое применение памяти DDR5 произойдёт в 2019/2020 годах, а её внедрение окажется стремительным. В Cadence, имеющей работающие чипы памяти нового типа, считают, что DDR5 обойдёт DDR4 к 2020 году.

В конце года экономический регулятор Китая начал расследование касательно высокой стоимости памяти. Теперь же и другие агентства решают присоединиться к процессу, подав иск на Samsung, SK Hynix и Micron.

Эти три компании являются крупнейшими производителями DRAM. Иск подан адвокатской конторой Hagens Berman в Калифорнии. Согласно этому иску все три компании обвиняются в коллективном ограничении поставок и незаконном раздувании цены.

В качестве доказательства иск приводит скачки цен на память в прошлом году, в результате которых цены на DRAM выросли на 47%, считая эти изменения неслучайными.

Стив Берман, один из адвокатов, сделал заявление: «То, что мы нашли на рынке DRAM — классическая монополия, схема фиксации цены, с малым количеством лидирующих корпораций держащих львиную долю рынка. Вместо игры по правилам, Samsung, Micron и Hynix решили придушить клиентов, выдавив из рынка больше прибыли».

Что касается самих виновников дела, то пока ни Micron, ни Samsung, ни SK Hynix не дали своих комментариев.

Сейчас средняя мировая цена на 4 ГБ модули DDR4 мейнстрим уровня составляет 33 долларов США, а пиковая — 34. По сравнению с IV кварталом 2017 года это выше на 5%.

При этом 20 марта на заводе Micron Memory Taiwan произошёл масштабный сбой в работе газового оборудования. Вышедший из строя компонент газовой станции, находящийся за пределами предприятия, привёл к прекращению подачи азота в цехи. Эта авария повлияла на производственные возможности компании. Система подачи газа уже отремонтирована, а производство восстановлено в первой половине апреля.

Этот факт также приведёт к удорожанию памяти на фоне всевозрастающей её нехватки. По мнению аналитиков, авария на заводе Micron приведёт к дальнейшему росту цены на память во II квартале ещё на 3%.