Новости про оперативная память, разработчики и технологии

Viking представили комбинацию DRAM и флэш-памяти

Вчера компания Viking Technology представила свою новую разработку — модули памяти ArxCis-NVTM, которые, по утверждениям разработчиков, могут автоматически определять прерывания ввода-вывода и производить резервное копирование данных на твердотельную NAND память в случае аварийной ситуации.

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.

Intel предсказывает создание стеков чипов ОЗУ

Стив Павловски (Steve Pawlowski), один из управляющих компании Intel, сказал, что «Развитие DRAM является проблематичным».

Такое заявление было сделано в ответ на невозможность достижения фирмами своих целей, связанных с высокопроизводительными вычислениями, добавив что «Производительность DRAM увеличится незначительно». Ранее Павловски говорил, что операции ввода-вывода процессоров стали большой проблемой, а производители памяти могут столкнуться с трудностями, перейдя на техпроцессы менее 17 нм. «Производителям DRAM понадобятся более экзотические решения»,— говорил он. Тогда же он предположил, что таким решением может стать создание стеков чипов памяти, а увеличение количества каналов не даст положительного эффекта.

Безусловно, идея создания стеков не нова, однако Павловски обратил внимание на проблему, связанную с охлаждением на нижних слоях. По его заявлению, Intel уже пробовали изготовить стекированные образцы памяти, однако в связи со сложностью охлаждения, нижний слой микросхемы просто расплавился.

Кроме того, специалист Intel предрекает интеграцию памяти с центральным процессором, располагая чипы памяти физически под кристаллом центрального процессора.

Если видение Павловски будущей конструкции DRAM станет реальным, то, безусловно, многие производители возьмут эту технологию на вооружение и начнут тесное сотрудничество с разработчиками процессоров.