Samsung прогнозирует уход DDR4 после 2020 года

В ходе Intel Developer Forum компания Samsung рассказала о своих планах по разработке спецификации памяти, которая придёт на смену DDR4.

Работа над подготовкой стандарта начинается за много лет до начала его реализации, и сейчас для памяти будущего южнокорейская компания предлагает частоты от 3,2 ГГц до 6,4 ГГц при типичном объёме модуля от 8 ГБ до 32 ГБ. Таким образом, скорости передачи данных в будущих модулях ОЗУ достигнут 6,4 Гб/с на контакт с возможностью дальнейшего роста. В результате пропускная способность памяти достигнет 51,2 ГБ/с.

После DDR4

Говоря о памяти «после DDR4», как она называется на многих слайдах презентации, можно подразумевать память DDR5, однако вполне возможны и радикальные изменения в интерфейсе и архитектуре памяти.

Новая память будет предназначаться для серверов, настольных ПК и ноутбуков. По словам Samsung, первый прототип памяти будет готов в 2018 году, с внедрением в 2020. Эта память будет изготовлена по техпроцессу с размером элементов менее 10 нм. Существовать новая память на рынке будет до 2025 года и далее.