Samsung разработала первые модули памяти DDR-4

Следующее поколение оперативной памяти уже проходит тестирование.

Samsung Semiconductor объявило о завершении разработки модулей памяти стандарта DDR4 и начале опытного производства соответствующих микросхем памяти по 30 нм технологическому процессу. Разработка памяти стандарта DDR4 началась еще в 2008 года, а появление на рынке ожидается лишь в 2012 году, но уже сейчас компания начала предоставлять модули ёмкостью 2 Гб разработчикам контроллеров для тестирования. Модули DDR4 предоставят скорость обмена 2,133 Гбит/с (эффективная полоса пропускания 17,064 Гб/с на модуль) при напряжении питания 1,2 В, с перспективой достижения в будущем скоростей обмена до 3,2 Гбит/с. Представленные на изображении модули имеют маркировку PC4-14300E, что означает эффективную полосу пропускания в 14,3 Гб/с, и, судя по числу микросхем и индексу E, поддерживают ECC и предназначены для серверов.

Samsung DDR-4 memory module

Главным преимуществом новой памяти в Samsung считают снижение энергопотребления в сравнении с текущими модулями DDR-3. В ноутбуках компания ожидает уменьшения вклада оперативной памяти в разрядку батарей на 40 %, как благодаря общему снижению напряжения, так и благодаря применению технологии терминации линий шины Pseudo Open Drain, уже хорошо зарекомендовавшей себя в памяти GDDR для графических применений.

Стандартизация DDR4 в консорциуме JEDEC должна произойти во второй половине этого года, так что к концу года память DDR4 уже может выйти на серверный рынок.