Samsung анонсирует третье поколение памяти HBM2E

Компания Samsung продолжает усовершенствование памяти HBM2. Новой разработкой стало третье поколение стека Flashbolt, которое обещает высокую производительность с возможностью дальнейшего ускорения.

Фирма представила новое поколение памяти Flashbolt HBM2E, модуль которой имеет объём 16 ГБ, а пропускная способность составляет 3,2 Гб/с, что означает общую скорость в стеке на уровне 410 ГБ/с. Для сравнения, память HBM2 в Radeon RX Vega 56 имеет такую же скорость, но на двух чипах. Это значит, что Flashbolt работает вдвое быстрее.

Микросхема памяти HBM2E Samsung Flashbolt
Микросхема памяти HBM2E Samsung Flashbolt

Более того, разработчики отмечают, что пропускная способность может быть увеличена до 4,2 Гб/с, или до 538 ГБ/с общей скорости. Однако такую память предполагается использовать для «определённых будущих задач». В любом случае, даже 410 ГБ/с — поразительный результат.

Когда Samsung начнёт поставлять память Flashbolt HBM2 пока не сообщается.