Техпроцессы микросхем перестанут уменьшаться в 2024 году

Так, согласно дорожной карте устройств и систем, Roadmap for Devices and Systems (IRDS), производители микросхем смогут достичь размеров элементов в 4 или 3 нм, после чего нельзя будет физически уменьшить размеры элементов.

«Снижение стоимость кристалла продолжалось за счёт постоянного масштабирования транзисторов, проводников и высот ячеек. Этот процесс, скорее всего, продолжится до 2024 года», — такой прогноз освещён в диаграмме IRDS.

После этого «не останется места для размещения контактов, а также будет снижаться производительность, как результат масштабирования контактирующих транзисторов. Ожидается, что физические каналы будут насыщаться на длине 12 нм в связи с ухудшением электростатики, в то время как контакты будут насыщены на длине 24 нм… что является приемлемым паразитным фактором».

Также, согласно опубликованному исследованию, технология FinFET достигнет своих пределов через пару лет, поэтому уже в 2019 году ожидается переход на технологию окружающего затвора, Gate-all-around (GAA), в то же время возможен переход к вертикальным нанопроводникам. После чего будет необходимо осуществить переход на 3D стеки и монолитную 3D конструкцию. Она будет необходима для продолжения прогрессирования в области производительности, энергоэффективности и затрат.

Стоит отметить, что информация о прекращении Закона Мура и невозможности дальнейшего уменьшения размера элементов проходит каждые несколько лет, и каждый раз физики-теоретики достают из рукава новые квантовые эффекты, а их коллеги на производстве учатся их использовать.