Micron изготовила 128-слойную NAND-память

Компания Micron Technology сообщила, что смогла изготовит память 3D-NAND четвёртого поколения со 128-ю слоями.

Данная разработка открывает возможность изготовления более плотных продуктов уже в следующем году. В четвёртом поколении 3D-NAND компания Micron продолжает использовать конструкцию КМОП-под-массивом, однако применяет технологию заменяемого затвора вместо плавающего, которая используется уже несколько лет. Сейчас компания массово производит 96-слойную флэш-память 3D-NAND с физическим слоем TLC, несмотря на готовность QLC-памяти.

Пластины с чипами памяти Micron
Пластины с чипами памяти Micron

Компания отмечает, что новая 128-слойная память будет применяться ограниченно и не достигнет тех уровней популярности, как 96-слойные чипы. В компании более сконцентрированы на эволюции, возможно, пятом поколении 3D-NAND, которое даст заметное снижение себестоимости, вызванное переходом к более тонкой технологии производства, а также использованием более новых технологий, наряду с заменяемым затвором. Однако это произойдёт лишь в 2021 финансовом году.