Intel использует MRAM в коммерческих продуктах

В ходе конференции Electron Devices Meeting, прошедшей в Сан-Франциско, компании Intel и Samsung объявили об использовании памяти типа MRAM. При этом в Intel сообщили, что STT-MRAM готова в качестве продукта, и многие источники сообщили, что память уже применяется в коммерческих продуктах.

В Intel описали свою память на основе передачи момента спина (spin-transfer torque (STT)-MRAM), которая изготавливается по 22FFL. Сама корпорация называет её «первой памятью MRAM, основанной на FinFET технологии». Несмотря на то, что Intel называет свой продукт готовым для коммерческого использования, компания не уточнила, кто будет изготавливать и использовать это решение. Однако слухи гласят, что память уже поставляется некоторым клиентам.

Память Intel Optane
Память Intel Optane

В то же время Samsung изготовила STT-MRAM по 28 нм процессу FDSOI.

Память типа MRAM может стать заменой для DRAM и NAND, а также может заменить встраиваемую SRAM, благодаря меньшим задержкам чтения и записи, высокой надёжности и высокой целостности данных. Кроме того, MRAM легче масштабировать, чем SRAM, которую нельзя уменьшить также, как другие элементы рядом с ней.