/ / 10 нм процесс Intel увеличит производительность CPU на 40%
7994420702;horizontal

10 нм процесс Intel увеличит производительность CPU на 40%

15 апреля 2017

В ходе «дня технологий» компания Intel рассказала об очередной своей разработке, которая касается будущих CPU.

Большая часть презентации была посвящена 10 нм технологии производства, которая, по уверению Intel, будет намного лучше предложений Samsung и TSMC.

Так чем же они будут отличаться? Во-первых, в ней будет использовано третье поколение технологии FinFET. Однако главной особенностью в 10 нм технологии станет Hyper Scaling, масштабирование, которое позволит компании «продолжить работу экономического Закона Мура, выпуская меньше транзисторы с меньшей удельной стоимостью».

Продолжение закона Мура

С выпуском 10 нм технологии, компания сможет в 2,7 раза увеличить плотность транзисторов, по сравнению с 14 нм продуктами. Это стало возможным благодаря уменьшению контактной площадки затвора с 70 нм до 54 нм, а контактной площадки проводника с 52 нм до 36 нм. В результате логическая плотность транзисторов составляет 100,8 миллиона штук на квадратный миллиметр, что вдвое больше, чем у конкурирующих 10 нм решений.

10 нм транзисторы Intel

Кроме того, переход на меньшую технологию позволит на четверть увеличить производительность при 45% снижении энергопотребления. Дальнейшее совершенствование 10 нм технологии, известное как «10++», увеличит производительность ещё на 15%, снизив потребление энергии на дополнительные 30%.

10 нм, Intel