Найден полупроводниковый материал — заменитель кремния

Последние годы производители полупроводниковых устройств остаются на одном технологическом процессе более двух лет, ставя под сомнение известный принцип Гордона Мура.

Проблема в том, что им становится всё труднее уменьшать размеры элементов традиционными способами. Много лет назад был найден идеальный полупроводниковый материал, доступный в неограниченном количестве — кремний. Окисляясь, он создаёт слой диоксида, который уже является диэлектриком, изолируя полупроводниковые цепи.

Структура цепей на основе гафния

Теперь учёные из Стэндфордского университета нашли два новых полупроводниковых материала: диселенид гафния и диселенид циркония, которые не только близки к кремнию по многим свойствам, но и решают самую сложную на сегодня задачу — позволяют создавать меньшие элементы. А благодаря их высоким изоляционным свойствам исследователи смогли создать работоспособные цепи шириной всего три атома. В результате им требуется меньше энергии для переключения, что является главным преимуществом.

По словам Эрика Попа, одного из исследователей, «Кремний не исчезнет. Но для потребителей это значит большую продолжительность автономной работы и большую сложность и функциональность при интеграции этих полупроводников».

Звучит отлично, но до реализации технологии в промышленности пройдут долгие годы.