Goke Microelectronics представила SSD на базе памяти Toshiba XL-Flash

Компания Goke Microelectronics не слишком широко известна на уровне потребительской электроники. Тем не менее, она создала первый в мире твердотельный накопитель на базе памяти XL-FLASH, которая характеризуется особо малыми задержками.

Память XL-FLASH была представлена Toshiba год назад. В ней применены ячейки 3D SLC, которые обладают сверхмалыми задержками чтения на уровне 5 мкс, что в десять раз меньше, чем у современной памяти 3D TLC NAND.

Представленный накопитель Goke 2311 изготовлен в формате NVMe SSD. Пока это прототип, однако даже он демонстрирует задержки при случайном чтении блоками по 4K равные 20 мкс. В финальной версии эта величина будет снижена до 15 мкс. Ёмкость накопителя Goke 2311 составляет 4 ТБ. Максимальная скорость записи равна 1 ГБ/с, а чтения — 3 ГБ/с по шине PCIe Gen 3 x4. В накопителе предусмотрено аппаратное шифрование SM2/3/4 и SHA-256/AES-256.

Прототип твердотельного накопителя Goke 2311
Прототип твердотельного накопителя Goke 2311

По случаю анонса накопителя Хиру Ота, технологический исполнительный директор по инжиниргу памяти в Toshiba Memory Corporation заявил: «Toshiba Memory очень рада видеть успешную интеграцию продукта XL-FLASH с продукцией Goke. На флагманском контроллере NVMe-SSD от Goke были продемонстрированы характеристики с низкой задержкой».

Ожидается, что накопитель Goke 2311 поступит в массовое производство в 2020 году.