GloFo переходит на 20 нм 3D стеки
Компания GlobalFoundries сообщила, что на своём заводе в Нью-Йорке установила специальный производственный агрегат, способный производить многослойные 3D чипы по 20 нм техпроцессу.
Это устройство позволит компании создать междукристальные связи (Through-Silicon Vias —TSV), что даст их клиентам возможность собирать многослойные стеки чипов — один над другим. В первую очередь технология позволит производителям размещать чипы памяти непосредственно над процессором, что резко увеличит производительность и снизит общее энергопотребление.
Грегг Барлетт (Gregg Bartlett), главный технолог GlobalFoundries, заявил, что данная технология обеспечивает экономию финансов и времени, а также снижает технические риски, связанные с разработкой новых техпроцессов. Данная технология выглядит очередным логическим этапом в развитии производства микросхем, которая найдёт своё применение вместо простого увеличения числа транзисторов.
Пока данная технология является лишь целью, однако этот метод аналогичен тому, что применяет Intel в нынешних процессорах Ivy Bridge, которые имеют на 20% меньшее энергопотребление при большей производительности.